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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池-CN201110331456.2有效
发明人：朱振东;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，其包括：一硅片衬底，所述硅片衬底具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面；多个三维纳米结构以阵列形式形成于所述硅片衬底的第二表面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度；一背电极，所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面，并与该第一表面欧姆接触；一掺杂硅层，所述掺杂硅层设置于所述三维纳米结构的表面；以及一上电极，所述上电极设置于所述掺杂硅层的至少部分表面。
太阳能电池

[发明专利]光栅-CN201110333562.4有效
发明人：朱振东;李群庆;张立辉;陈墨 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种光栅，该光栅包括一基底，该基底的一表面形成有多个凸棱，所述多个凸棱相互平行且间隔设置，相邻的两个凸棱之间形成一凹槽，所述每个凹槽的深宽比大于或等于6：1，凹槽的宽度范围为25纳米至150纳米。本发明提供的高密度、高深宽比的亚波长光栅，可以较好的衍射光波。
光栅

[发明专利]一种光栅的制备方法-CN201110333523.4有效
发明人：朱振东;李群庆;张立辉;陈墨 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；形成一抗蚀材料薄膜于该基底的表面；纳米压印并刻蚀所述抗蚀材料薄膜，得到抗蚀层；形成一掩模层于所述基底表面，所述掩模层覆盖所述抗蚀层以及基底通过所述抗蚀层暴露的表面；剥离所述抗蚀层及抗蚀层表面的部分掩模层，使基底形成一具图形化的掩模层；采用反应离子刻蚀法刻蚀基底得到石英光栅，刻蚀过程中刻蚀气体为四氟化碳、六氟化硫以及氩气；以及去除掩膜层。该种光栅对光波的衍射性能较好。
一种光栅制备方法

[发明专利]太阳能电池的制备方法-CN201110331458.1有效
发明人：朱振东;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：提供一硅基板，所述硅基板具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面；在所述硅基板的第二表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述硅基板通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述硅基板，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述硅基板的第二表面形成多个M形三维纳米结构；在所述三维纳米结构表面形成一掺杂硅层；在所述掺杂硅层的至少部分表面设置一上电极；以及设置一背电极与所述硅基板欧姆接触。
太阳能电池制备方法

[发明专利]三维纳米结构阵列的制备方法-CN201110292901.9有效
发明人：朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;金元浩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种三维纳米结构阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底的表面形成一掩模层；纳米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的多个条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成沟槽；刻蚀所述掩模层，使对应掩模层沟槽位置的衬底表面部分暴露；刻蚀所述衬底，使所述掩模层的所述多个条形凸起结构中相邻条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；以及去除所述掩模层，形成三维纳米结构阵列。
三维纳米结构阵列制备方法

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201110293092.3有效
发明人：朱振东;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面设置一掩模层，其形成有多个沿同一方向延伸的凹槽及多个条形凸起结构；刻蚀所述基底，在此过程中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述外延生长面形成一M形三维纳米结构阵列；在所述三维纳米结构阵列表面依次生长一第一半导体层、一活性层及第二半导体层；设置一第一电极与所述第一半导体层电连接；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。
发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201110293093.8有效
发明人：朱振东;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一发光二极管芯片预制体，所述发光二极管芯片预制体包括依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；在所述第二半导体层表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽；刻蚀所述第二半导体层，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合；去除所述掩模层，在所述第二半导体层远离活性层的表面形成多个M形三维纳米结构；刻蚀所述第二半导体层及活性层，暴露出第一半导体层部分表面；设置一第一电极与所述第二半导体层电连接；以及在暴露的第一半导体层表面设置一第二电极与所述第一半导体层电连接。
发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管-CN201110293096.1有效
发明人：朱振东;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，所述第二半导体层位于该发光二极管的出光面一侧；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；其中，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于所述发光二极管的出光面，且所述三维纳米结构为M形三维纳米结构。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201110293091.9有效
发明人：朱振东;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层，所述活性层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间，一第一电极与所述第一半导体层电连接，一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面，其中，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于所述第一半导体层远离活性层的表面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201110293095.7有效
发明人：朱振东;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层，所述基底具有相对的第一表面及第二表面，所述第一半导体层、活性层及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的第一表面，一第一电极与所述第一半导体层电连接，一第二电极与所述第二半导体层电连接，所述基底的第二表面为所述发光二极管的出光面，其中，所述基底的至少一表面进一步包括多个并排延伸三维纳米结构，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。
发光二极管

[发明专利]发光二极管的制备方法-CN201110293094.2有效
发明人：朱振东;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一发光二极管芯片预制体，所述发光二极管芯片预制体包括依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；在所述第一半导体层表面设置图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述第一半导体层通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述第一半导体层，在此过程中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述第一半导体层远离活性层的表面形成多个M形三维纳米结构；设置一第一电极至少覆盖所述多个三维纳米结构远离活性层的部分表面；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。
发光二极管制备方法

[发明专利]三维纳米结构阵列-CN201110292904.2有效
发明人：朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;金元浩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维纳米结构阵列，其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式分布于该基底至少一表面，其中，每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间具有一第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。
三维纳米结构阵列

[发明专利]用于单分子检测的分子载体-CN201210406131.0有效
发明人：朱振东;李群庆;张立辉;陈墨 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于单分子检测的分子载体，其包括一基底，其中，所述基底一表面设置有多个三维纳米结构，所述三维纳米结构分别沿一第一方向及一第二方向间隔排布，以及一金属层包覆于三维纳米结构表面及相邻三维纳米结构之间基底的表面。
用于分子检测载体

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201010612753.X无效
发明人：范守善;金元浩;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，其包括：依次并排且接触设置的一第一电极层、一P型硅层、一N型硅层及一第二电极层，该P型硅层与该N型硅层接触并形成一P-N结区，其中，上述各层沿一直线连续设置成一排构成一平面结构，所述平面结构具有一表面平行于该直线，且该平面结构的表面为该太阳能电池直接接受光线入射的受光端面。本发明也涉及一种太阳能电池的制备方法。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]碳纳米管纳米颗粒复合材料-CN201110283541.6无效
发明人：王佳平;姜开利;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2009-03-21 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管纳米颗粒复合材料，其包括：一碳纳米管结构和多个纳米颗粒，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管，其中，每个纳米颗粒将至少一碳纳米管部分包覆于其中。
纳米颗粒复合材料

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