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[发明专利]一种制备硅纳米晶薄膜的方法-CN200710179368.9无效
发明人：陈晨;贾锐;李维龙;刘明;陈宝钦;龙世兵;谢常青;涂德钰;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硅纳米晶薄膜的方法，包括：在硅衬底上热生长二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物作为靶材通过磁控溅射法沉积至所述二氧化硅层上，形成富硅的混合物薄膜层；在氮气气氛下将形成的混合物薄膜层高温退火形成硅纳米晶薄层。采用本发明提供的方法制备的纳米晶直径在4至6nm，主要应用于硅单电子器件、单电子存储器、硅纳米晶浮栅存储器、纳米晶光电探测器等器件的制备中，适合大规模生产的要求。
一种制备纳米薄膜方法

[发明专利]制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法-CN200710178775.8有效
发明人： 李维龙;贾锐;陈晨;刘明;陈宝钦;谢常青;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电子束蒸发方式制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅隧穿介质层；将高介电常数栅介质的固体粉末和硅粉末的混合物通过电子束蒸发技术蒸发至该二氧化硅层上；高温热退火。采用该方法制备的高介电常数栅介质埋嵌的硅量子点颗粒的大小约为3至6nm，可用于纳米晶浮栅存储器的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。
制备埋嵌硅纳米介电常数介质方法

[发明专利]一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法-CN200710178778.1无效
发明人：龙世兵;刘明;贾锐;陈宝钦;王琴;涂德钰;胡媛;管伟华;刘琦;李维龙;王永;杨潇楠;张森 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器，包括：硅衬底1、位于硅衬底1上两侧重掺杂的源导电区6和漏导电区7、源导电区6与漏导电区7之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层2、覆盖在隧穿介质层2上的金属纳米晶浮栅层3、覆盖在金属纳米晶浮栅层3上的控制栅介质层4，以及覆盖在控制栅介质层4上的栅电极材料层5。本发明同时公开了一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器的制作方法。利用本发明，降低了浮栅结构非挥发性存储器的编程/擦除电压和操作功耗，提高了编程/擦除操作速度、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能，提高了器件的集成度，并简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了制作效率。
一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法

[发明专利]采用电子束蒸发方式制备硅纳米晶体的方法-CN200710178770.5无效
发明人： 李维龙;贾锐;刘明;陈宝钦;龙世兵;谢常青;王琴;涂德钰;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电子束蒸发方式制备硅纳米晶体的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化硅粉末的混合物共同蒸发至该二氧化硅层上；高温热退火。采用该方法制备的硅量子点颗粒的大小约为3至6nm，可用于单电子器件、纳米晶浮栅存储器或单电子存储器的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。
采用电子束蒸发方式制备纳米晶体方法

[发明专利]垂直可变磁场装置-CN200810240271.9有效
发明人：陈晨;贾锐;李维龙;姚嘉宁;朱晨昕;李昊峰;刘明;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种垂直可变磁场装置，应用于低温探针台系统，该装置包括：顶部永磁铁、底部永磁铁、样品座以及多个支撑螺杆，所述的支撑螺杆一端固定于所述的样品座上；所述的顶部永磁铁固定于所述的支撑螺杆；所述的底部永磁铁设置在所述样品座上。本发明的装置在Lakeshore^公司的TTP4低温探针台系统腔体内部保持原有高真空的情况下，通过精确调节上顶部永磁铁的高度，改变样品表面的面磁力线密度从而达到变磁场的作用。本发明方案简单易行，成本低，稳定可靠，磁场变化范围大，具有与该系统最好的兼容性，有利于本发明的广泛推广和应用。
垂直可变磁场装置

[发明专利]一种用于低温探针台中的磁场产生装置-CN200810239883.6有效
发明人： 李维龙;贾锐;陈晨;朱晨昕;李昊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于低温探针台中的磁场产生装置。为了克服现有测试设备中体积大、不易携带的缺点，本发明提供一种用于低温探针台中的磁场产生装置，包括底托、样品托和永磁铁，所述底托上方设有两根平行螺杆，两根螺杆上设有可沿螺杆滑动的滑杆；所述永磁铁对立设置在底托上方，通过铁圈分别固定在螺杆一端下方的底托上和滑杆中部；所述样品托设置在永磁铁中间的底托上。本发明可调节样品所处的磁场强度和磁场方向，且体积很小，结构简单，便于携带，易于操作，能与低温探针台无缝兼容，可以适用于各种需要磁场的小容积的环境中，特别是低温探针台的高真空低温腔体中。
一种用于低温探针中的磁场产生装置

[发明专利]一种单电子器件的制备方法-CN200810239884.0无效
发明人： 李维龙;贾锐;陈晨;朱晨昕;李昊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及纳米器件制作技术领域的一种单电子器件的制备方法。为了解决现有单电子器件制备技术中过于依赖电子束光刻，增加了电子束光刻难度的缺点，本发明的目的在于提供一种单电子器件的制备方法，采用电子束光刻技术制作电极图形，通过电子束蒸发手段制备薄层硅，然后通过快速退火技术将表面的薄层硅制作成硅量子点。本发明工艺步骤简单，能与传统的微电子工艺兼容。使用本发明方法制备的单电子器件具有很大的一致性，且操作电压低、功耗小。
一种电子器件制备方法

[发明专利]低温探针台防热辐射铝箔屏及其制造方法-CN200810239881.7无效
发明人：贾锐;李维龙;陈晨;朱晨昕;李昊峰;刘明;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： G12B17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温探针台防热辐射铝箔屏，属于防止热辐射领域。本发明的低温探针台防热辐射铝箔屏包括固定项圈以及至少2条铝箔条；所示固定项圈的直径与所述低温探针台内真空腔室的内径相匹配；所述铝箔条均匀固定在所述固定项圈上。本发明可以有效防止外界的热辐射对低温环境的扰动。使用本发明的低温探针台防热辐射铝箔屏可以有效地使温度由5K降至4.5K。由于较为有效地反射了热辐射，其消耗的液氮和液氦的量减少，节约了实验成本。本发明还公开了一种制备低温探针台防热辐射铝箔屏的方法，其步骤包括制作固定项圈、制作铝箔条、将铝箔条固定在固定项圈上以及将低温探针台内探针臂位置的铝箔条去除。
低温探针防热辐射铝箔及其制造方法

[发明专利]氮化硅湿法腐蚀方法-CN200810224676.3无效
发明人：陈晨;贾锐;朱晨昕;李维龙;李昊峰;王琴;刘明;田继红;路程 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C04B41/53 文献下载
摘要：本发明是关于一种氮化硅湿法腐蚀方法，包括：A.提供一氮化硅层，并通过光刻法在该氮化硅层上形成具有一次图形的光刻胶层；B.采用电子束蒸发方法蒸发铬金属形成金属铬层；C.剥离上述的光刻胶层，在氮化硅层上形成具有二次图形的金属铬掩蔽层；D.进行湿法腐蚀氮化硅层形成三次图形；以及E.去除金属铬掩蔽层，得到图形化的氮化硅薄膜。本发明解决了选择性湿法腐蚀氮化硅中，光阻在腐蚀液中被氧化，无法起到刻蚀掩蔽作用的问题。同时解决了原位沉积氧化硅薄膜，无法对指定区域进行湿法腐蚀的问题。本方法，大大简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效率。
氮化湿法腐蚀方法

[发明专利]一种通过金属铬掩蔽膜进行干法刻蚀的方法-CN200710176278.4无效
发明人： 李维龙;贾锐;刘明;陈宝钦;龙世兵;谢常青;王琴;商利伟;涂德钰;刘琦;陈晨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体学中的微细加工技术领域，公开了一种通过金属铬掩蔽膜进行干法刻蚀的方法，在需要刻蚀图形的衬底上先旋涂一层电子束抗蚀剂，然后利用电子束曝光得到所需要的图形；再蒸发沉积一层金属Cr层，使其覆盖光刻胶的全部表面；再通过剥离lift-off工艺将金属Cr剥离，得到金属Cr掩蔽图形；再通过干法刻蚀，在衬底上得到所需要的图形，完成对衬底的图形化。利用本发明，通过使用金属掩蔽膜来进行干法刻蚀，使得掩蔽膜的去除快速、干净，为干法刻蚀的进一步发展奠定了重要的基础。
一种通过金属掩蔽进行刻蚀方法

[发明专利]利用电子束蒸发设备制备硅纳米晶体的方法-CN200710176277.X无效
发明人： 李维龙;贾锐;刘明;陈宝钦;龙世兵;谢常青;王琴;涂德钰;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及纳米加工技术领域，公开了一种利用电子束蒸发设备制备硅纳米晶体的方法，该方法包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在该二氧化硅层上蒸发一层非晶硅薄膜；对上述形成的包括硅衬底、二氧化硅层和非晶硅薄膜的结构进行高温快速热退火。本发明提供的这种利用电子束蒸发设备制备硅纳米晶体的方法，具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。
利用电子束蒸发设备制备纳米晶体方法

[发明专利]高密度硅纳米晶薄膜的制备方法-CN200810224677.8有效
发明人：陈晨;贾锐;李维龙;朱晨昕;李昊峰;刘明;田继红;路程 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种高密度硅纳米晶薄膜的制备方法，包括在硅衬底上形成二氧化硅层；将一氧化硅作为靶材通过电子束蒸发法沉积至上述的二氧化硅层上，形成混合物薄膜层；向上述的混合物薄膜层中注入硅离子；以及将混合物薄膜层进行退火，形成高密度的硅纳米晶薄层。本发明通过电子束蒸发一氧化硅靶材配合离子注入法制备高密度硅纳米晶薄膜，具有工艺步骤简单、用途多、能与传统Si基CMOS工艺兼容的优点。采用本发明提供的方法制备的硅纳米晶面密度高达：10¹²cm^-1量级，颗粒直径在5～8nm范围内。主要应用于硅基第三代太阳能电池芯片关键组件的制备、硅单电子器件、单电子存储器、硅纳米晶浮栅存储器的制备等方面，适合大规模生产的要求。
高密度纳米薄膜制备方法

[发明专利]非挥发存储器的制备方法-CN200810223345.8有效
发明人：朱晨昕;贾锐;李维龙;陈晨;李昊峰;王琴;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：A.在半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B.在沟道层上依次生长隧穿氧化层、纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C.进行形成台面的工序；D.进行形成栅区以及分别形成源电极、漏电极和栅电极的工序。通过采取快速热退火的方式得到纳米晶层，并采用与耗尽型MOS器件制作工艺相兼容的流程最终可完成三端耗尽型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制作。该方法简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效率。
挥发存储器制备方法

[发明专利]非挥发存储器的制备方法-CN200810223341.X有效
发明人：朱晨昕;贾锐;陈晨;李维龙;李昊峰;王琴;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层；在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电极的形成工序。本发明提供的三端增强型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制备方法工艺过程简单，制备成本低，有利于大规模集成。
挥发存储器制备方法

[发明专利]一种制备单电子晶体管的方法-CN200710121366.4有效
发明人：王琴;李维龙;贾锐;刘明;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种利用Undercut技术制备单电子晶体管的方法，在SOI衬底上利用电子束曝光双层胶工艺以及Undercut技术制备单电子晶体管。其主要工艺步骤如下：离子注入及快速退火；双层胶电子束光刻，形成单电子晶体管图形；蒸发金属，剥离干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上，减小隧道结尺寸；光刻；蒸发金属，剥离，合金；采用这种方法制备的基于SOI衬底的单电子晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点，并简化了制作工艺，解决了在电子束曝光过程中由于邻近效应影响无法实现小尺寸隧道结的问题。
一种制备电子晶体管方法

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