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[发明专利]用于通过利用羊膜载玻片支架培养角膜缘干细胞的方法-CN201680076831.4有效
发明人：郑素享;李炫姃;徐庆律 -专利权人：加图立大学校产学协力团
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C12N5/079 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在羊膜载玻片支架上培养角膜缘组织，从而能够有效地增加角膜缘组织衍生的上皮细胞片中的角膜缘干细胞的比例，以及能够培养所述角膜缘干细胞的方法。根据本发明，角膜缘组织衍生的上皮细胞片中的角膜缘干细胞的比例可以稳定且迅速地增加，因此当将角膜缘组织衍生的上皮细胞片移植到患有角膜缘干细胞缺陷的患者中时，可以提高成功率。
用于通过利用羊膜载玻片支架培养角膜干细胞方法

[发明专利]半导体器件-CN201711128763.4有效
发明人：金锡勋;李炫姃;金坰喜;金善政;金真范;慎一揆;李承勋;李峭蒑;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的电子系统-CN202211604342.5在审
发明人： 李炫姃;崔宰浩;崔韩梅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：外围电路结构，位于衬底上；以及存储单元阵列，位于外围电路结构上，并且包括在与衬底的上表面基本垂直的第一方向上布置的多个存储单元，其中，外围电路结构包括：第一元件隔离层，位于衬底上并且限定第一有源区；沟道半导体层，位于第一有源区上并且包括处于比第一元件隔离层的上表面高的高度处的上表面；第一栅极结构，位于沟道半导体层上；第二元件隔离层，位于衬底上，限定第二有源区和第三有源区，并且包括处于比第一元件隔离层的上表面高的高度处的上表面；第二栅极结构，位于第二有源区上；以及第三栅极结构，位于第三有源区上。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]集成电路器件及制造其的方法-CN201711191152.4有效
发明人：李正韩;李善佶;姜明一;李正允;李承勋;李炫姃;金善昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括分别从衬底的第一区域和第二区域凸出的第一鳍型有源区和第二鳍型有源区、第一栅线和第二栅线、以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一鳍型有源区具有第一顶表面，第一凹陷具有从第一顶表面起的第一深度。第一源极/漏极区填充第一凹陷并具有第一宽度。第二鳍型有源区具有第二顶表面，第二凹陷具有从第二顶表面起的第二深度。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区填充第二凹陷并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。
集成电路器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202110766070.8在审
发明人：朴晟植;金相辰;吴泰焕;李炫姃;张成珍;郑圭珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一和第二有源图案，在第一方向上延伸；第一外延图案，在第一有源图案上并邻近第二有源图案；第二外延图案，在第二有源图案上并邻近第一有源图案；元件分隔结构，在第一和第二外延图案之间分隔第一和第二有源图案，并包括芯分隔图案和在芯分隔图案的侧壁上的分隔侧壁图案；以及栅极结构，在第一有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构的上表面在与芯分隔图案的上表面相同的平面上。分隔侧壁图案包括高介电常数衬垫，该高介电常数衬垫包括包含金属的高介电常数电介质膜。
半导体器件

[发明专利]半导体衬底和包括其的半导体器件-CN201610037286.X有效
发明人：梁炆承;崔恩惠;金善政;李承勋;李炫姃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。
半导体衬底包括半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710748871.5有效
发明人：金东宇;李炫姃;金善政;李承勋;朴金锡;赵南奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。
半导体器件

[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件-CN201610197247.6有效
发明人：金东宇;李承勋;金善政;李炫姃;具本荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：缓冲层，在基底上，缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从缓冲层向上突出；栅电极，横跨鳍状结构之上；包覆层，在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在包覆层和鳍状结构之间，界面层包括与缓冲层相同的元素。
包括场效应晶体管半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201711108354.8有效
发明人：金真范;金傔;金锡勋;朴台镇;柳廷昊;李峭蒑;李炫姃;金善政;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202010234941.7在审
发明人：孙龙勋;金亨俊;李炫姃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：公开了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，在衬底上并包括彼此背对的第一端和第二端；第一导电线，在该第一端和该第二端之间、与该第一半导体图案的侧表面相邻并垂直于衬底的顶表面；第二导电线，与第一半导体图案的第一端接触，与第一导电线间隔开，并平行于衬底的顶表面；以及数据存储图案，与第一半导体图案的第二端接触。第一导电线具有与第一半导体图案的侧表面相邻地突出的突起。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]磁场屏蔽用结构物及电子设备-CN201610974236.4有效
发明人：赵诚男;李承珉;赵中英;宋荣换;朴杜镐;徐正旭;张宰赫;李炫姃 -专利权人：株式会社WITS
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H02J50/70 文献下载
摘要：本发明公开一种磁场屏蔽用结构物及电子设备。对本发明提供的磁场屏蔽用结构物的新型结构而言，其在有效地从外部环境的影响中保护磁性层的同时提高了散热性能。具体地，该结构为如下的结构，包括：基底基材；磁性层，布置于所述基底基材上；保护层，覆盖所述磁性层的上表面、侧面以及所述基底基材的上表面。
磁场屏蔽结构电子设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911051043.1在审
发明人： 李炫姃;文浚硕;禹东秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件和制造该半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成器件隔离层，该器件隔离层限定多个有源区；以及形成与有源区交叉且被掩埋在基板中的多条栅极线。形成栅极线包括在基板上形成与有源区交叉的沟槽；在沟槽的侧壁和底表面上形成功函数控制层；在功函数控制层上形成导电层；在功函数控制层上和在导电层上顺序地形成阻挡层和源层，源层包括功函数控制元素；以及使功函数控制元素从源层扩散到功函数控制层的上部分中。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]磁屏蔽片、包括该磁屏蔽片的天线装置以及设备-CN201920229114.1有效
发明人： 李炫姃;张宰赫;李在光;宋荣换;元载善 -专利权人：株式会社WITS
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本公开提供一种磁屏蔽片、包括磁屏蔽片的天线装置以及设备。所述磁屏蔽片包括：第一孔，设置在与第二孔的位置对应的位置中，所述第二孔形成在所述磁屏蔽片附接到的基板中；以及槽，从所述第一孔延伸到所述磁屏蔽片的边缘。根据本实用新型的磁屏蔽片、天线装置以及设备，即使在天线装置中形成一个或更多个孔时，也不会发生屏蔽功能的劣化或散热性能的劣化，并且可防止磁屏蔽片的撕裂。
屏蔽包括天线装置以及设备

[发明专利]磁屏蔽片、包括该磁屏蔽片的天线装置以及设备-CN201910130006.3在审
发明人： 李炫姃;张宰赫;李在光;宋荣换;元载善 -专利权人：株式会社WITS
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明提供一种磁屏蔽片、包括磁屏蔽片的天线装置以及设备。所述磁屏蔽片包括：第一孔，设置在与第二孔的位置对应的位置中，所述第二孔形成在所述磁屏蔽片附接到的基板中；以及槽，从所述第一孔延伸到所述磁屏蔽片的边缘。
磁屏蔽片天线装置基板延伸

[发明专利]包括金属氧化物半导体晶体管的集成电路半导体器件-CN201910103231.8在审
发明人：金锡勋;金东明;金真范;李承勋;李峭蒑;李炫姃;张星旭;赵南奎;崔珉姬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种集成电路半导体器件包括：第一区域，具有第一有源图案，该第一有源图案具有第一突出部分和第一凹陷部分；以及第二区域，具有第二有源图案，该第二有源图案具有第二突出部分和第二凹陷部分。第一栅极图案在第一突出部分上。第二栅极图案在第二突出部分上。第一源极/漏极区域在第一有源图案的第一凹陷部分之一上且在第一栅极图案中的两个之间。第一源极/漏极区域在其上部具有第一增强外延层。第二源极/漏极区域在第二有源图案的第二凹陷部分之一上且在第二栅极图案中的两个之间。第二源极/漏极区域具有第二增强外延层，该第二增强外延层具有与第一增强外延层的第一外延生长表面不同地成形的外延生长表面。
源图案源极/漏极区域栅极图案外延层凹陷集成电路半导体器件外延生长表面金属氧化物半导体晶体管第二区域第一区域成形

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