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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]干式蚀刻装置的控制方法-CN201780024534.X有效
发明人：崔相俊;姜智声;李炅珍 -专利权人：库库创作股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：与材质无关地能够适用的干式蚀刻装置的控制方法。本发明的一实施例公开的干式蚀刻装置的控制方法包括：将加工对象物紧贴于所述阴极部的下侧面的加工对象物放置步骤；将随着时间而极性为阳的电压和阴的电压交替的电压施加给阴极部的双向电压电源施加步骤；利用在施加于所述阴极部的双向电压电源的作用下产生的等离子而对加工对象物进行蚀刻的蚀刻步骤。
蚀刻装置控制方法

[发明专利]磁性存储器及其磁化切换方法-CN201980007054.1有效
发明人： 李炅珍;高京椿;李升宰 -专利权人：高丽大学校产学协力团
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开一种磁性存储器及其磁化切换方法。根据本发明一个实施例的一种磁性存储器包括：磁性隧道结，包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道势垒层；第一导电线，与自由层相邻地设置；以及第二导电线，与自由层相邻地设置且与第一导电线交叉。一种磁性存储器的磁化切换方法包括以下步骤：对第一导电线施加具有第一频率的交流型第一电流；以及对第二导电线施加具有第一频率的交流型第二电流。自由层使用交流型第一电流及交流型第二电流执行磁化反转，且磁性隧道结设置在第一导电线与第二导电线之间的交叉点上。
磁性存储器及其磁化切换方法

[发明专利]磁阻随机存取存储器装置-CN202210933196.4在审
发明人：李成喆;李炅珍 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：一种磁阻随机存取存储器(MRAM)装置包括：自旋轨道矩结构，包括氧化物层图案、铁磁图案和非磁性图案的堆叠件；以及位于自旋轨道矩结构上的磁隧道结(MTJ)结构，MTJ结构包括自由层图案、隧道势垒图案和钉扎层图案的堆叠件，其中，自旋轨道矩结构沿平行于自旋轨道矩结构的上表面的第一方向延伸，铁磁图案包括水平磁性材料，并且自由层图案具有在垂直于自旋轨道矩结构的上表面的垂直方向上的磁化方向，磁化方向可响应于在自旋轨道矩结构中产生的自旋电流而变化。
磁阻随机存取存储器装置

[发明专利]磁性存储器件-CN202210693231.X在审
发明人：朴炳国;朴正宪;李炅珍;柳淀春 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：一种磁性存储器件包括：导电线，所述导电线在第一方向上延伸；磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构位于所述导电线的第一表面上，所述磁性隧道结结构包括至少两个磁性图案和位于所述至少两个磁性图案之间的阻挡图案；以及磁性层，所述磁性层位于所述导电线的与所述第一表面相对的第二表面上。所述磁性层包括在与所述第二表面平行并与所述第一方向相交的方向上的磁化分量。
磁性存储器件

[发明专利]干式蚀刻装置-CN201780024513.8有效
发明人：崔相俊;姜智声;李炅珍 -专利权人：库库创作股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：与材质无关地能够适用的干式蚀刻装置。本发明的一实施例公开的干式蚀刻装置包括：阳极部；阴极部，被施加随着时间而将极性为阳的电压和阴的电压双向交替的双向电压电源，并与所述阳极部分开配置；载置部，将加工对象物放置于所述阴极部的面向于所述阳极部的面；以及双向电压电源供给部，给所述阴极部施加所述双向电压电源。
蚀刻装置

[发明专利]有机发光装置-CN202010396939.X在审
发明人：金男熙;李根洙;李善律;金光民;金美庆;金阳完;朴钟力;李炅珍;李尚玟;李相信 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种有机发光装置。有机发光装置包括：第一基底；多个电极，位于第一基底上；像素限定层，位于所述多个电极上并且包括多个开口，所述多个开口分别暴露所述多个电极；以及分隔件，位于像素限定层上，其中，像素限定层包括第一开口、第二开口和第三开口，第一开口和第二开口对于每个像素来讲沿第一方向通过间距彼此相邻，第三开口沿与第一方向交叉的第二方向通过间距与第一开口和第二开口相邻，其中，分隔件位于第一假想线和第二假想线的交叉点处，第一假想线沿第一方向延伸并且在第一开口和第三开口之间穿过，第二假想线沿第二方向延伸并且在第一开口和第二开口之间穿过。
有机发光装置

[发明专利]有机发光装置-CN202010397213.8在审
发明人：金男熙;李根洙;李善律;金光民;金美庆;金阳完;朴钟力;李炅珍;李尚玟;李相信 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种有机发光装置。有机发光装置包括：第一基底；多个电极，位于第一基底上；像素限定层，位于所述多个电极上并且包括多个开口，所述多个开口分别暴露所述多个电极；以及分隔件，位于像素限定层上，其中，像素限定层包括第一开口、第二开口和第三开口，第一开口和第二开口对于每个像素来讲沿第一方向通过间距彼此相邻，第三开口沿与第一方向交叉的第二方向通过间距与第一开口和第二开口相邻，其中，分隔件位于第一假想线和第二假想线的交叉点处，第一假想线沿第一方向延伸并且在第一开口和第三开口之间穿过，第二假想线沿第二方向延伸并且在第一开口和第二开口之间穿过。
有机发光装置

[发明专利]有机发光装置-CN201510094807.0有效
发明人：金男熙;李根洙;李善律;金光民;金美庆;金阳完;朴钟力;李炅珍;李尚玟;李相信 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种有机发光装置。有机发光装置包括：第一基底；多个电极，位于第一基底上；像素限定层，位于所述多个电极上并且包括多个开口，所述多个开口分别暴露所述多个电极；以及分隔件，位于像素限定层上，其中，像素限定层包括第一开口、第二开口和第三开口，第一开口和第二开口对于每个像素来讲沿第一方向通过间距彼此相邻，第三开口沿与第一方向交叉的第二方向通过间距与第一开口和第二开口相邻，其中，分隔件位于第一假想线和第二假想线的交叉点处，第一假想线沿第一方向延伸并且在第一开口和第三开口之间穿过，第二假想线沿第二方向延伸并且在第一开口和第二开口之间穿过。
有机发光装置

[发明专利]垂直磁记录介质-CN200410104730.2无效
发明人： 李炅珍;金庸洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质包括下层和上层之间的垂直磁记录层，其中垂直磁记录层的厚度在K＞10⁵erg/cm³且D>（30K_B的情况下由等式7确定，在K＞10⁵erg/cm³，且D≤(30K_B的情况下由等式9确定。该垂直磁记录介质包括甚至在K值大和能垒不遵循KV时仍具有热稳定厚度的垂直磁记录层。这样，记录在该垂直磁记录介质上的数据能保存超过十年。
垂直记录介质

[发明专利]垂直磁记录介质-CN200410103738.7无效
发明人：吴薰翔;李丙圭;李炅珍;洪寿烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。
垂直记录介质

[发明专利]具有高选择性的磁阻随机存取存储器-CN200410003614.1无效
发明人： 李炅珍;朴玩濬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-01-07 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供一种磁阻随机存取存储器。该磁阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层，一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层，插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层，该第二磁性层的纵横比为2或更小，厚度为5nm或更小，饱和磁化强度为800emu/cm³或更小。磁阻随机存取存储器具有无转折点、磁致电阻的特性，因而表现了无需考虑处理能力的高选择性。
具有选择性磁阻随机存取存储器

[发明专利]垂直磁记录介质-CN03147266.4有效
发明人：李丙圭;吴薰翔;李炅珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。
垂直记录介质

[发明专利]用于超高密度记录的垂直磁薄膜-CN02101586.4无效
发明人： 李炅珍;李宅东;李仁善;黄玟植 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2002-01-10 - 公布日： 2002-08-28 - 主分类号： G11B5/62 文献下载
摘要：提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层,它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间,且该垂直磁记录层的厚度被控制在5－40nm之内以具有一个负的成核场。
用于超高密度记录垂直薄膜

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