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[发明专利]无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法-CN201710148171.2在审
发明人：伊晓燕;刘志强;何志;段瑞飞;黄洋;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管，包括一n型GaN基化合物半导体层；一量子阱或异质结有源层，其制作在n型GaN基化合物半导体层上；一p型GaN基化合物半导体层，其制作在量子阱或异质结有源层上；一P电极，其制作在p型GaN基化合物半导体层的上面；一N电极，其制作在n型GaN基化合物半导体层的另一面上；其中n型GaN基化合物半导体层、量子阱或异质结有源层、p型GaN基化合物半导体层、P电极和N电极构成单颗晶粒。本发明可以降低GaN基LED使用成本，拓展GaN基LED的应用领域。
衬底 gan led 晶粒及其制备方法

[实用新型]一种杀菌消毒的装置-CN201621432428.4有效
发明人：谢海忠;闫建昌;魏学成;孙莉莉;宋昌斌;张韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C02F1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种杀菌消毒的装置包括管道，其管体至其内壁能够透光；光源，嵌入所述管道的管体中，用于产生杀菌消毒用的光并向管道内壁照射；电源用于给所述光源供电；还包括电源外壳和防水导线，所述电源外壳固定于所述管道的外壁，用于容纳所述电源，用于连接电源和光源。本实用新型提供的杀菌消毒的装置可以降低杀菌消毒的成本，只要用户将带有杀菌消毒装置的水管接入水流过的管路，就可以及时杀菌消毒。
一种杀菌消毒装置

[发明专利]采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法-CN201310750549.8有效
发明人：王兵;伊晓燕;孔庆峰;刘志强;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法。该发光二极包括衬底；依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，其中，该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层、多量子阱和部分的n型GaN层被刻蚀形成台阶；p型复合透明导电层，形成于发光二极管未经刻蚀一侧的p型GaN层上，自下而上依次包括ITO透明接触层、ZnO基电流扩展层、ITO导光层；p型金属电极层和n型金属电极层，分别形成于发光二极管未经刻蚀一侧的ITO导光层上和发光二极管被刻蚀一侧的台阶上。本发明提高了透明导电层的抗腐蚀能力，进而提高整个发光二极管器件的合格率。
采用复合透明导电发光二极管及其制备方法

[发明专利]在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法-CN201710122173.4在审
发明人：刘志强;黄洋;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：一种在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法，其是通过分析生长过程中薄膜材料光致发光谱谱峰强度随温度变化而变化的光学特征，计算获得待测半导体薄膜的杂质电离能，该测量方法包括如下步骤在MOCVD装置中安装光致发光谱测试系统；该测试系统测量在不同温度下测量薄膜材料的光致发光谱，并标定和计算施主‑受主峰的谱峰强度；拟合施主‑受主峰谱峰强度‑温度关系实验数据，获得薄膜材料杂质电离能，包括施主杂质电离能和受主杂质电离能；重复步骤1‑3，多次测量待测半导体薄膜杂质电离能，采用最小二乘法，计算多次测量后的杂质电离能。本发明是利用无损的光谱解析技术，实现了MOCVD生长过程中对半导体薄膜杂质电离能的实时测量，测试过程快速无损、精度高。
mocvd 测量半导体薄膜杂质电离能无损测量方法

[发明专利]光刺激及信号采集探针-CN201710158896.X在审
发明人：詹腾;伊晓燕;刘志强;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：一种光刺激及信号采集探针，包括探针基板，所述探针基板包括前端部分和后端部分；所述前端部分呈尖锐结构以植入生物体内，前端部分设置有传感器和发光源；所述后端部分设置有与传感器电性连接的传感器电极、与发光源电性连接的发光源电极以及公共电极。本发明的探针上同时集成了光刺激的发光器发光单元和传感器检测单元，方便进行操作。
刺激信号采集探针

[发明专利]一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法-CN201710091485.3在审
发明人：马平;姬小利;李喜林;刘波亭;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法，该方法在衬底上依次生长成核层、铟镓氮高阻缓冲层、铝铟镓氮势垒层；在铝铟镓氮势垒层上制备源极和漏极；源漏之间刻蚀有单条或多条沟槽，沟槽的深度大于铝铟镓氮势垒层的厚度，沟槽内填充有高介电常数、宽带隙的电解质材料，在沟槽上方制备栅极；源极、漏极和栅极之间为钝化层，完成晶体管的制作。
一种增强氮化物场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]完全植入式光学医疗器械-CN201710158704.5在审
发明人：伊晓燕;詹腾;刘志强;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种完全植入式光学医疗器械，包括体外装置和体内装置，其中，体外装置用于向体内装置提供无线能量和电磁波控制信号；体内装置中，集成线圈用于接收体外装置提供的无线能量和控制信号，并发送数据采集信号；驱动电路用于将集成线圈接收到的能量转换为体内装置工作下的电流电压模式；解调电路用于解析集成线圈采集到的电磁波控制信号，识别为的信号指令并传送给控制器；控制器用于根据信号指令控制发光源并收集传感器接收的数据信号后传送给集成线圈。本发明的器械可实现无线操控和数据采集，同时能够接收来自植入身体内部该医疗器械采集到的传感器数据。
完全植入光学医疗器械

[发明专利]采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法-CN201710122157.5在审
发明人：黄洋;伊晓燕;刘志强;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：一种采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法，其是通过分析半导体材料变温PL谱谱峰强度随温度升高而下降的热淬灭行为，计算获得半导体材料的杂质电离能，具体方法包括步骤1测量待测半导体材料的变温PL谱；步骤2通过谱峰拟合，获得待测半导体材料在不同温度下的热淬灭峰谱峰强度；步骤3拟合热淬灭峰谱峰强度‑温度关系实验数据，获得半导体材料杂质电离能，包括施主杂质电离能和受主杂质电离能；步骤4重复步骤1‑3，多次测量待测半导体材料的杂质电离能，采用最小二乘法，计算多次测量后的杂质电离能。本发明是利用无损的光谱解析技术，克服了现有测试手段复杂有损的技术缺点，不仅快速简便、精度高，而且对于测试材料无损。
采用 pl 获取半导体材料杂质电离能无损测量方法

[实用新型]LED倒装基板的结构-CN201621273609.7有效
发明人：郭亚楠;张韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种LED倒装基板的结构，其特征在于，包括一基板，该基板向下有一凹槽；一绝缘层，其制作在基板上，该绝缘层并覆盖凹槽的表面；一反射金属层，其制作在绝缘层的表面，该反射金属层的中间有一道隔离槽，该隔离槽将反射金属层分成两部分；两块金属电极，其制作在凹槽的底部，相对位于隔离槽的两侧。本实用新型有助于改善LED出光效率和散热性能。
led 倒装结构

[发明专利]三基色激光器实现均光照明的系统-CN201710017047.2在审
发明人：刘喆;杨杰;薛斌;廖周;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：一种三基色激光器实现均光照明的系统，包括一绿光、一红光和一蓝光半导体激光器，所述三种半导体激光器的前端分别放置第一、第二和第三准直透镜；一长波截止滤波片，其位于绿光半导体激光器的输出光路上，与绿光半导体激光器的输出光路形成一夹角；一短波截止滤波片，其位于绿光半导体激光器的输出光路上，并与绿光半导体激光器的输出光路形成一夹角；一中性密度滤波片，其位于蓝光半导体激光器的输出光路上；一第一微透镜阵列和一第二微透镜阵列，分别依次位于绿光半导体激光器的输出光路上，且位于短波截止滤波片之后；一会聚透镜，其位于第二微透镜阵列之后，并位于绿光半导体激光器的输出光路上。
基色激光器实现照明系统

[发明专利]紫外发光二极管器件的制备方法-CN201611114395.3在审
发明人：闫建昌;孙莉莉;张韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种紫外发光二极管器件的制备方法，包括如下步骤在衬底上生长含In或含Ga的AlN低温成核层；在低温成核层上生长AlN高温缓冲层；在AlN高温缓冲层上依次生长N型AlxGa1‑xN电极接触层、AlxGa1‑xN量子阱层、AlxGal‑xN电子阻挡层、P型AlxGal‑xN层和P型InxGal‑xN电极接触层；在P型InxGal‑xN电极接触层的上面向下依次刻蚀，暴露出N型AlxGa1‑xN电极接触层，在N型AlxGa1‑xN电极接触层上的一侧形成LED芯片PN结的台面；在台面上制备n型接触电极；在P型InxGa1‑xN电极接触层上制备p型接触电极。本发明可以提高UV‑LED发光效率，消除了光刻和刻蚀工艺可能会对设备造成的污染，并降低器件的加工成本。
紫外发光二极管器件制备方法

[发明专利]一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法-CN201310712946.6有效
发明人：梁萌;杨华;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括以下步骤在LED外延片上制作LED单元器件阵列，在该单元器件阵列的部分单元器件上制作金属，作为键合时的金属中间层，构成待键合单元器件阵列；同时，在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键合单元器件阵列的电极相对应，在该金属图案下面存在导热、导电通道，通过该导电通道，LED单元器件的电极与基板背面的金属焊盘相连；然后通过键合的方式，把待键合单元器件阵列倒装在基板上；最后，采用激光剥离的方式，对上述待键合单元器件依次进行剥离，使得待键合单元器件的外延层与衬底分离，该分离后的外延层与基板形成完整的薄膜LED阵列。本发明所述的芯片转移方法，可用于LED器件的晶圆级封装，提高封装效率和降低成本。
一种用于 led 晶圆级封装芯片转移方法

[发明专利]同时用于照明与通信的激光光源装置-CN201710016967.2在审
发明人：刘喆;杨杰;薛斌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01S3/04 文献下载
摘要：一种同时用于照明与通信的激光光源装置，包括：一镜筒，该镜筒为圆管形；一单晶体荧光片，其安装在镜筒内；一会聚透镜，其安装在镜筒内，位于单晶体荧光片的一侧；一半导体激光二极管；一半导体致冷器，其位于镜筒外靠近会聚透镜的一侧；所述半导体激光二极管安装在半导体致冷器上，该半导体激光二极管位于镜筒内，且靠近会聚透镜。
同时用于照明通信激光光源装置

[发明专利]红光LED倒装芯片的制作方法-CN201510062353.9有效
发明人：李璟;杨华;王国宏;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种红光LED倒装芯片的制作方法，包括如下步骤步骤1采用激光钻孔工艺在基板上得到两个通孔；步骤2在两个通孔的侧壁制备金属，形成导电通孔；步骤3在两个通孔上下面的周围制作金属电极，使上下面的金属电极连通；步骤4将一红光LED垂直结构芯片固晶在基板上的一通孔上，使红光LED垂直结构芯片与通孔上的金属电极连接；步骤5在红光LED垂直结构芯片的周围及上面制备绝缘层，并暴露出红光LED垂直结构芯片上的P电极；步骤6在红光LED垂直结构芯片上的P电极及基板上的另一通孔上的金属电极之间制备导电电极，形成基片；步骤7将基片进行封胶，完成制备。
红光 led 倒装芯片制作方法

[发明专利]在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法-CN201410337635.0有效
发明人：孔庆峰;马平;纪攀峰;卢鹏志;杨华;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬底减薄；在SiC衬底表面形成一层厚导光层，由此得到具有导光层的SiC衬底的GaN基LED。本发明简单可靠、易于实现，可显著提高SiC衬底LED器件的发光效率。
sic 衬底形成有导光层 gan led 制造方法