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[发明专利]一种硅基氮化铟太阳能电池及其制备方法-CN201910510331.2在审
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化铟太阳能电池及其制备方法，所述硅基氮化铟太阳能电池包括依次层叠设置的负电极层、电流扩散层、Si子电池、至少一个柱状p‑i‑n型InN子电池和正电极层，所述正电极层与所述Si子电池之间填充有绝缘材料以完全覆盖柱状p‑i‑n型InN子电池。相较于传统PN结构的氮化铟电池，本发明采用的p‑i‑n型氮化铟电池结构由于氮化铟的本质区域(i层)的增加和存在可以允许更有效的载流子产生，从而使得硅基氮化铟太阳能电池具有较好的转换效率，在太阳能电池领域具有较好的应用前景。
氮化铟太阳能电池子电池硅基正电极层柱状制备太阳能电池领域电流扩散层载流子产生本质区域电池结构负电极层绝缘材料依次层叠转换效率填充电池应用

[实用新型]电极结构及微显示器-CN201920182316.5有效
发明人： 李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电极结构及微显示器。所述电极结构包括金属电极以及覆盖所述金属电极上的介质层；所述介质层包括层叠设置的多层子介质层，相邻的两个子介质层的材料分别为第一材料及第二材料，最底层的子介质层的材料为第一材料，且所述第一材料的折射率大于第二材料的折射率，通过在金属电极上设置具有不同折射率材料交替层叠而成的介质层，并保持介质层具有高介电常数，能够使得金属电极在具有高反射率的同时，保持低电压降。
介质层金属电极第一材料电极结构微显示器折射率本实用新型高介电常数折射率材料层叠设置第二材料高反射率交替层叠低电压最底层多层覆盖

[发明专利]一种氮化物多结太阳能电池及其制备方法-CN201910418821.X在审
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物多结太阳能电池及其制备方法，所述氮化物多结太阳能电池包括依次设置的InN底电池、AlN成核层一、Si子电池、AlN成核层二、GaN缓冲层、InGaN顶电池、电流扩散层和设置在所述电流扩散层上的量子点材料层。本发明提供的氮化物多结太阳能电池能够促进吸收更长波长的光子，利于提高光转化率，且量子点材料层的设置能够有效提升紫外光波段的外部量子效率。
多结太阳能电池氮化物电流扩散层量子点材料成核层制备外部量子效率紫外光波段光转化率依次设置长波长底电池顶电池子电池光子吸收

[发明专利]一种青霉素混合废水低温处理装置及其方法-CN201610121905.3有效
发明人：赵志瑞;苗志加;李铎;李方红;郭珊 -专利权人：石家庄经济学院
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种青霉素混合废水低温处理装置及其方法，其装置包括配水箱、恒温水浴箱、UASB反应器、A/O反应器、中间水箱、NF纳滤罐、储水箱、PLC电脑自控系统等。其方法为：将处理青霉素废水的厌氧颗粒污泥加入UASB反应器内，配水箱加入青霉素混合废水后置入UASB反应器，同时将恒温水浴箱中循环水注入恒温水槽中，UASB反应器出水置入A/O反应器进行好氧生化进一步处理去除有机物和氨氮，经缺氧好氧处理后的出水置入中间水箱后一部分通过回流泵回流至配水箱和A/O反应器，一部分置入NF纳滤罐中过滤后置入储水箱中。本大大降低了青霉素废水的处理成本，实现了青霉素混合废水低温处理达标排放。
一种青霉素混合废水低温处理装置及其方法

[实用新型]一种基于多量子阱结构的太阳能电池-CN201822151260.5有效
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于多量子阱结构的太阳能电池，所述基于多量子阱结构的太阳能电池包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、n‑GaN层、MQW吸收层、p‑GaN复合层和电流扩散层，所述p‑GaN复合层包括表面设有图案化凹陷区域的p‑GaN层和形成于所述图案化凹陷区域的纳米材料，所述纳米材料为纳米金属或量子点材料。本实用新型通过在图案化凹陷区域中设置纳米材料，能够进一步改善太阳能电池能量转换效率，具有较好的应用前景。
太阳能电池多量子阱结构凹陷区域纳米材料图案化本实用新型复合层能量转换效率电流扩散层量子点材料纳米金属依次层叠缓冲层吸收层衬底应用

[实用新型]摄像结构及手术培训装置-CN201821808906.6有效
发明人： 李方红;左进军;胡仪 -专利权人：深圳科创广泰技术有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G09B5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种摄像结构及手术培训装置。摄像结构包括：架体、主刀3D目镜、助手3D目镜、主刀摄像头、助手摄像头及手势捕捉传感器；架体包括主轴棒、滑块、第一连接杆、第二连接杆、第三连接杆及连接架；滑块套设于主轴棒上且能够沿主轴棒上下滑动及绕主轴棒旋转，第一连接杆和第二连接杆的一端均与滑块相连且均能绕滑块上下旋转，主轴棒的一端连接于连接架的中心，第三连接杆一端与连接架的一端相连且能绕连接架上下旋转；主刀摄像头和助手摄像头均与连接架相连且能够沿连接架滑动，主刀3D目镜和助手3D目镜分别与第一连接杆和第二连接杆的另一端相连，手势捕捉传感器与第三连接杆的另一端相连，能够提升摄像结构调节的灵活性。
连接杆连接架摄像头摄像结构目镜主刀滑块上下旋转手势捕捉手术培训传感器架体本实用新型上下滑动一端连接滑块套滑动

[实用新型]一种凹槽型MOS-HEMT-CN201821435553.X有效
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种凹槽型MOS‑HEMT，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN层以及N‑AlGaN层，所述GaN层和所述N‑AlGaN层形成异质结，所述N‑AlGaN层上表面的一端设有源电极，另一端具有漏电极，所述源电极和所述漏电极与N‑AlGaN层形成欧姆接触；所述N‑AlGaN层上表面由下到上依次叠加有第一N‑GaN层、AlN层、第二N‑GaN层以及介电层，所述介电层具有凹槽，所述凹槽依次贯穿所述第一N‑GaN层、AlN层、第二N‑GaN层延伸至所述N‑AlGaN层，所述凹槽内设置有栅电极。本实用新型通过凹槽型的介电层防止栅电极横向穿隧到源电极和漏电极穿隧电流以及向下方向的穿隧电流，三重防护从而减少组件功率散逸，提高组件的稳定性。
凹槽型介电层漏电极源电极本实用新型穿隧电流上表面栅电极欧姆接触提高组件向下方向依次层叠依次叠加组件功率缓冲层异质结衬底穿隧防护贯穿延伸

[实用新型]一种高转换效率的太阳能电池-CN201821713610.6有效
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高转换效率的太阳能电池，包括由上至下依次层叠设置的抗反射层、钙钛矿材料层、TiO₂层、III‑V族太阳能电池和DBR层。本实用新型的高转换效率的太阳能电池在III‑V族太阳能电池的基础上利用抗反射层增加收光量、钙钛矿材料层吸收光能以及DBR层增加长波部分光的吸收，进一步提高了转换效率，在太阳能电池领域具有重要的应用前景。
太阳能电池高转换效率钙钛矿材料层本实用新型抗反射层太阳能电池领域长波依次层叠转换效率光能收光吸收应用

[实用新型]一种双叠层MOS-HEMT-CN201821444193.X有效
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双叠层MOS‑HEMT，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层以及GaN层，所述GaN层的上表面从左到右有依次设置有第一n型重参杂氮化镓层、AlGaN层、第二n型重参杂氮化镓层，所述第一n型重参杂氮化镓层的上表面设置有源极，所述第二n型重参杂氮化镓层的上表面设置有漏极，所述AlGaN层的上表面从下至上依次层叠设置有介电层和绝缘层，所述绝缘层上设有栅极，所述栅极贯穿绝缘层，并延伸至所述介电层，所述介电层为High‑k材料。本实用新型通过绝缘层防止穿隧电流，并搭配high k材料制成的介电层可以更促进组件特性减少衬底漏电流，从而减少组件功率散逸，提高组件的稳定性。
绝缘层氮化镓层介电层上表面本实用新型依次层叠衬底叠层穿隧电流提高组件依次设置组件功率组件特性缓冲层漏电流漏极源极搭配贯穿延伸

[实用新型]一种防栅极漏电流的MOS-HEMT-CN201821444191.0有效
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防栅极漏电流的MOS‑HEMT，其包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN层、AlGaN层，所述AlGaN层的上表面从左到右有依次设置有源极、介电层以及漏极，所述AlGaN层分别与所述漏极和所述源极形成欧姆接触，所述介电层上方设置有栅极，所述介电层为High‑k材料。本实用新型通过在AlGaN层与栅极之间设置由high K材料制成的介电层，抑制栅极电子直接穿隧到金属电极(或基板)的导电带，形成栅极漏电流，从而减少组件功率散逸及提高组件的稳定性。
介电层栅极漏电流本实用新型漏极源极金属电极欧姆接触提高组件依次层叠依次设置组件功率导电带缓冲层上表面衬底穿隧基板

[发明专利]电极结构及微显示器-CN201910100654.4在审
发明人： 李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种电极结构及微显示器。所述电极结构包括金属电极以及覆盖所述金属电极上的介质层；所述介质层包括层叠设置的多层子介质层，相邻的两个子介质层的材料分别为第一材料及第二材料，最底层的子介质层的材料为第一材料，且所述第一材料的折射率大于第二材料的折射率，通过在金属电极上设置具有不同折射率材料交替层叠而成的介质层，并保持介质层具有高介电常数，能够使得金属电极在具有高反射率的同时，保持低电压降。
介质层金属电极第一材料电极结构微显示器折射率高介电常数折射率材料层叠设置第二材料高反射率交替层叠低电压最底层多层覆盖

[发明专利]一种基于多量子阱结构的太阳能电池及其制备方法-CN201811562079.1在审
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多量子阱结构的太阳能电池及其制备方法，所述基于多量子阱结构的太阳能电池包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、n‑GaN层、MQW吸收层、p‑GaN复合层和电流扩散层，所述p‑GaN复合层包括表面设有图案化凹陷区域的p‑GaN层和形成于所述图案化凹陷区域的纳米材料，所述纳米材料为纳米金属或量子点材料。本发明通过在图案化凹陷区域中设置纳米材料，能够进一步改善太阳能电池能量转换效率，具有较好的应用前景。
太阳能电池多量子阱结构凹陷区域纳米材料图案化复合层制备能量转换效率电流扩散层量子点材料纳米金属依次层叠缓冲层吸收层衬底应用

[发明专利]一种高转换效率的太阳能电池-CN201811229161.2在审
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种高转换效率的太阳能电池，包括由上至下依次层叠设置的抗反射层、钙钛矿材料层、TiO₂层、III‑V族太阳能电池和DBR层。本发明的高转换效率的太阳能电池在III‑V族太阳能电池的基础上利用抗反射层增加收光量、钙钛矿材料层吸收光能以及DBR层增加长波部分光的吸收，进一步提高了转换效率，在太阳能电池领域具有重要的应用前景。
太阳能电池高转换效率钙钛矿材料层抗反射层太阳能电池领域长波依次层叠转换效率光能收光吸收应用

[发明专利]一种防栅极漏电流的MOS-HEMT-CN201811020247.4在审
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种防栅极漏电流的MOS‑HEMT，其包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN层、AlGaN层，所述AlGaN层的上表面从左到右有依次设置有源极、介电层以及漏极，所述AlGaN层分别与所述漏极和所述源极形成欧姆接触，所述介电层上方设置有栅极，所述介电层为High‑k材料。本发明通过在AlGaN层与栅极之间设置由high K材料制成的介电层，抑制栅极电子直接穿隧到金属电极(或基板)的导电带，形成栅极漏电流，从而减少组件功率散逸及提高组件的稳定性。
介电层栅极漏电流漏极源极金属电极欧姆接触提高组件依次层叠依次设置组件功率导电带缓冲层上表面衬底穿隧基板

[发明专利]一种双叠层MOS-HEMT-CN201811022447.3在审
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种双叠层MOS‑HEMT，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层以及GaN层，所述GaN层的上表面从左到右有依次设置有第一n型重参杂氮化镓层、AlGaN层、第二n型重参杂氮化镓层，所述第一n型重参杂氮化镓层的上表面设置有源极，所述第二n型重参杂氮化镓层的上表面设置有漏极，所述AlGaN层的上表面从下至上依次层叠设置有介电层和绝缘层，所述绝缘层上设有栅极，所述栅极贯穿绝缘层，并延伸至所述介电层，所述介电层为High‑k材料。本发明通过绝缘层防止穿隧电流，并搭配high k材料制成的介电层可以更促进组件特性减少衬底漏电流，从而减少组件功率散逸，提高组件的稳定性。
绝缘层氮化镓层介电层上表面依次层叠衬底叠层穿隧电流提高组件依次设置组件功率组件特性缓冲层漏电流漏极源极搭配贯穿延伸