专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体封装件-CN201910915386.1有效
  • 李在薰;严柱日 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-09-26 - 2023-04-18 - H01L23/488
  • 半导体封装件。半导体封装件的封装基板包括:第二焊盘接合部和第三焊盘接合部,其分别位于基板主体上的第一焊盘接合部的两侧。第一通孔着陆部、第二通孔着陆部和第三通孔着陆部与第一焊盘接合部、第二焊盘接合部和第三焊盘接合部间隔开。第一连接迹线部和第二连接迹线部并排设置。第一保护迹线部与第一连接迹线部基本平行。第二连接迹线部通过第一连接平面部连接到第一保护迹线部。第一连接平面部将第二连接迹线部连接到第二通孔着陆部。第三焊盘接合部通过第二连接平面部连接到第三通孔着陆部。安装在封装基板上的半导体芯片包括第一内部芯片焊盘和接合到封装基板的第一外部芯片焊盘。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件-CN201911099388.4有效
  • 李在薰;孔宣奎;尹池英 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-11-12 - 2023-04-07 - H01L23/48
  • 半导体封装件。半导体封装件的封装基板包括分别位于设置在基板主体上的第一焊盘接合部的两侧的第二焊盘接合部和第三焊盘接合部。第一通孔着陆部、第二通孔着陆部和第三通孔着陆部设置成与第一焊盘接合部、第二焊盘接合部和第三焊盘接合部间隔开。第一连接迹线部和第二连接迹线部设置为彼此平行,并且第一保护迹线部设置为与第一连接迹线部基本平行。第二连接迹线部通过第一连接平面部连接到第一保护迹线部,第一连接平面部将第二连接迹线部连接到第二通孔着陆部。第三焊盘接合部通过第二连接平面部连接到第三通孔着陆部。
  • 半导体封装
  • [发明专利]包括去耦电容器的半导体封装-CN202010729832.2在审
  • 李在薰;赵亨皓 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-07-27 - 2021-10-22 - H01L25/16
  • 包括去耦电容器的半导体封装。一种半导体封装包括基板和设置在基板上方的半导体芯片。该基板包括:基层,其包括面向半导体芯片的上表面;上接地电极板,其设置在基层的上表面上方并且被配置为将接地电压传输到半导体芯片;以及虚设电源图案,其设置在上接地电极板中并且具有由上接地电极板围绕并与上接地电极板间隔开的侧表面,并且在虚设电源图案和上接地电极板之间具有绝缘材料。从上接地电极板到半导体芯片的接地电压传输路径与虚设电源图案间隔开。
  • 包括电容器半导体封装
  • [发明专利]包括中介层的半导体封装-CN202010650321.1在审
  • 严柱日;李在薰 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-07-08 - 2021-06-01 - H01L23/498
  • 包括中介层的半导体封装。一种半导体封装包括:封装基板,堆叠在封装基板上的下部芯片、中介层和上部芯片,以及将下部芯片电连接到封装基板的接合引线。下部芯片包括:在下部芯片的上表面上彼此间隔开的第一下部芯片焊盘和第二下部芯片焊盘,在下部芯片上表面上接合到接合引线的引线接合焊盘,以及将第二下部芯片焊盘电连接到引线接合焊盘的下部芯片再分配线。中介层包括:中介层的上表面上的上部芯片连接焊盘,中介层的下表面上的下部芯片连接焊盘以及将上部芯片连接焊盘电连接到下部芯片连接焊盘的通孔电极。
  • 包括中介半导体封装
  • [发明专利]半导体装置-CN202010756111.0在审
  • 金智慧;李在薰;金志荣;朴凤泰;沈载株 - 三星电子株式会社
  • 2020-07-31 - 2021-02-02 - H01L27/11524
  • 提供了一种半导体装置,该半导体装置包括:衬底,其具有导电区和绝缘区;栅电极,其包括子栅电极和栅极连接件,所述子栅电极彼此间隔开并且在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸,所述栅极连接件连接设置在同一水平上的子栅电极;沟道结构,其穿透栅电极,并且在衬底的导电区中延伸;以及第一伪沟道结构,其穿透栅电极并且在衬底的绝缘区中延伸,并且被设置为在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上邻近于栅极连接件的至少一侧。
  • 半导体装置
  • [发明专利]具有中介层的层叠半导体封装件-CN201911081481.2在审
  • 严柱日;李在薰;林相俊 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-11-07 - 2020-12-22 - H01L25/18
  • 具有中介层的层叠半导体封装件。根据本公开的一方面的半导体封装件包括:封装基板;顺序层叠在封装基板上的下芯片、中介层和上芯片;以及电连接封装基板和中介层的接合布线。中介层包括:在中介层的下表面上电连接至下芯片的下芯片连接焊盘;在中介层的上表面上分别电连接至上芯片的第一上芯片连接焊盘和第二上芯片连接焊盘;设置在中介层的上表面上并接合至接合布线的布线接合焊盘;设置在中介层的上表面上并且将第二上芯片连接焊盘电连接至布线接合焊盘的第一重分布线;以及将下芯片连接焊盘电连接至第一上芯片连接焊盘的通孔电极。
  • 具有中介层叠半导体封装
  • [发明专利]包括贯穿模制通孔的堆叠封装-CN201811432817.0在审
  • 严柱日;李在薰;崔福奎 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-11-28 - 2019-11-05 - H01L23/48
  • 包括贯穿模制通孔的堆叠封装。堆叠封装包括第一子封装和堆叠在第一子封装上的第二子封装。第一子封装包括第一半导体芯片、在X轴方向上与第一半导体芯片间隔开的用于连接的第一贯穿模制通孔(TMV)、在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开的用于旁通的第一TMV和用于将第一半导体芯片连接到用于连接的第一TMV的重新布线(RDL)图案。第二子封装包括第二半导体芯片、在Y轴方向上与第二半导体芯片间隔开的用于连接的第二TMV以及用于将第二半导体芯片连接到用于连接的第二TMV的另一RDL图案。堆叠的第二子封装堆叠在第一子封装上,使得用于连接的第二TMV连接到用于旁通的第一TMV。
  • 半导体芯片封装堆叠封装堆叠模制通孔旁通贯穿图案重新布线

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