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[发明专利]半导体器件和MEMS器件-CN201710024010.2有效
发明人：郑钧文;李久康 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括静止结构、弹簧和质量块。静止结构具有第一部分和第二部分。弹簧在衬底上方。弹簧具有从边缘突出的且朝向静止结构的第一部分延伸的第一突起。质量块在衬底上方且由弹簧支撑。质量块具有从边缘突出的且朝向静止结构的第二部分延伸的第二突起。第一突起和第一部分之间的第一间隙小于第二突起和第二部分之间的第二间隙。本发明的实施例还提供了一种微机电系统器件。
半导体器件 mems 器件

[发明专利]MEMS器件和多层结构-CN201710028585.1有效
发明人：郑钧文;李久康 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：器件包括衬底、第一结构、第二结构、第三结构和缓冲器。第一结构位于衬底上方。第二结构位于衬底上方，其中，第二结构具有连接至第一结构的第一端。第三结构位于衬底上方，其中，第三结构连接至第二结构的第二端。缓冲器位于衬底和第三结构之间，其中缓冲器是包括第一导电部件、介电部件和第二导电部件的多层缓冲器。介电部件位于第一导电部件上方。第二导电部件位于介电部件上方并且电连接至第一导电部件。本发明实施例涉及MEMS器件和多层结构。
mems 器件多层结构

[发明专利]传感器件及其制造方法-CN201811446622.1在审
发明人：杨辰雄;郑钧文;李久康 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种传感器件包括微机电系统(MEMS)力传感器和电容式加速传感器。在制造传感器件的方法中，在第一衬底的前表面上方准备MEMS力传感器的传感器部分。传感器部分包括压阻式元件和前电极。在第一衬底的后表面上形成底部电极和第一电极。具有电极焊盘和第二电极的第二衬底附接至第一衬底的底部，从而使得底部电极连接至电极焊盘，并且第一电极面对第二电极，其中，在第一电极和第二电极之间具有间隔。本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。
传感器件衬底第二电极第一电极底部电极电极焊盘力传感器传感器电容式加速传感器制造微机电系统后表面前表面前电极压阻式附接

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610683335.7在审
发明人：戴文川;亚历山大·卡尔尼茨基;黄信锭;陈相甫;李久康;沈靖凯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底和接近衬底的可移动膜。该半导体器件还包括位于衬底上方且从衬底的表面朝着可移动膜突出的台。台包括配置为从膜接收碰撞力的撞击部分和位于撞击部分下方的混合应力缓冲件，其中，混合应力缓冲件包括通过硬度不同可分辨的至少两层。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]双层微机电系统器件及其制造方法-CN201310148440.7有效
发明人：朱家骅;李德浩;李久康;梁凯智;林宗贤;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。
双层微机系统器件及其制造方法

[发明专利]具有自适应性衬底间接合的MEMS结构-CN201310067441.9有效
发明人：梁凯智;李久康;林宗贤;李德浩;朱家骅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与第二衬底的顶面连接，从而使得锚固件未延伸穿过第一衬底的底面或第二衬底的顶面。该MEMS结构可以包括接触第一衬底的底面并且被塑造成至少部分地包围锚固件的接合层。
具有自适应性衬底间接 mems 结构

[发明专利]MEMS器件及其形成方法-CN201210556596.4有效
发明人：梁凯智;朱家骅;李德浩;李久康;林宗贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
mems 器件及其形成方法

[发明专利]封装系统及其制造方法-CN201110308561.4有效
发明人：朱家骅;张贵松;林宗贤;洪嘉明;彭荣辉;蔡易恒;李久康 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种封装系统，包括：第一衬底结构，包括设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；以及第二衬底结构，包括第二衬底，第二衬底结构与第一衬底结构相接合，其中，至少一个第一导电结构通过至少一个含锗层与第二衬底电连接。本发明还提供了一种封装系统及其制造方法。
封装系统及其制造方法

[实用新型]低转速低扭力发电机-CN201020632925.5无效
发明人：霍荣璋;李久康;简君山 -专利权人：霍荣璋;李久康;简君山
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H02K1/28 文献下载
摘要：一种低转速低扭力发电机，是包括：一定子部，为一中空环状结构，其具有数个凸柱并隔设有数个凹槽；一转子部，是设置于定子部内，其外壁环设有数个斜向设计的容置槽，用以收容磁铁；以及，一线圈单元，是绕设于定子部的凹槽；借助，转子部的容置槽的斜向设计，使得外力驱动转子部旋转时，可减少定子部上的线圈单元对转子部的磁铁吸磁，而可减低转子部的启动转矩，使转子部易于启动。
转速扭力发电机

[发明专利]用于减小芯片翘曲度的方法-CN200910212396.5有效
发明人：吴汀淏;郑创仁;李久康;蔡尚颖;彭荣辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于减小芯片翘曲度的方法。其中，一种形成集成电路结构的方法包括：提供包括正面和背面的晶片，其中，该晶片包括芯片；形成从背面延伸到芯片的开口；将有机材料填充到开口中，其中，有机材料基本上都不在该开口的外部，而是在晶片的背面上；以及对有机材料进行烘培以使有机材料收缩。
用于减小芯片曲度方法

[发明专利]用于堆叠半导体基板的激光接合方法-CN201010000326.6有效
发明人：吴汀淏;郑创仁;李久康;蔡尚颖;彭荣辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-01-14 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是有关于一种用于堆叠半导体基板的激光接合方法，其中叙述了使用激光接合堆叠半导体基板的方法和结构，在一具体实施方式中，形成一半导体元件的方法包含：形成一沟槽于一第一基板中，并形成一接合垫于一包含主动线路的第二基板上；此接合垫的上表面包含一第一材料；对准第一基板于第二基板之上，进而使沟槽对准于接合垫之上；导入一电磁射束至沟槽内，以在接合垫的第一材料和第一基板下表面的一第二材料之间形成一接合。
用于堆叠半导体激光接合方法

[发明专利]回转仪感测器、系统及用于形成回转仪感测器结构的方法-CN200910171636.1有效
发明人：吴汀淏;郑创仁;李久康;彭荣辉;蔡尚颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种回转仪感测系统、回转仪感测器及用于回转仪感测器的结构的制造方法。该回转仪感测器，包含一回转盘；第一光源配置用以提供第一光束，第一光束邻近于回转盘的第一边缘；以及第一光接收器配置用以接收第一光束，以感应回转盘在第一方向的振动。该回转仪感测系统包括，该回转仪感测器及一处理单元，与该回转仪感测器耦合，该处理单元能够控制该回转仪感测系统对应于该回转盘在该第一方向的该振动。该用于形成回转仪感测器结构的方法，包括：形成一回转盘，至少一第一光通道隔开该回转盘与一框，其中该至少一第一光通道提供一第一光束一路径，该第一光束被感应以决定该回转盘在一第一方向的一振动。
回转仪感测器系统用于形成结构方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN200910150287.5有效
发明人：吴汀淏;郑创仁;李久康;蔡尚颖;彭荣辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明是有关一种集成电路结构及其形成方法。该集成电路结构，包含一电容，该电容包含：一多晶硅所形成的第一电容板，包含一回应于一声波而振动的部分；及一第二电容板，围绕该第一电容板，且为固定并包含面向该第一电容板的倾斜边缘。该形成集成结构的方法，包含：提供一硅基板；形成一介电层于该硅基板上；形成一多晶硅区域于该介电层上；形成一多晶硅薄膜，其中该多晶硅薄膜由该多晶硅区域所围绕且不与该多晶硅区域电性连接；形成一自该硅基板的一下表面延伸至该多晶硅薄膜的开口；一第一金属电极，形成于该多晶硅区域上并邻接该多晶硅区域；形成一第一金属电极于该多晶硅区域上；以及形成一第二金属电极于该多晶硅薄膜上。本发明可以降低制造成本，降低制造周期，提高可靠性。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]电路结构及其形成方法-CN200810171192.7有效
发明人： 李久康;郑创仁;蔡尚颖;吴汀淏;陈相甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明是有关于一种电路结构及其形成方法，其包含一基板；一第一非晶硅层，位于所述基板上；一第一粘着层，位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层；以及一第二非晶硅层，位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层。本发明由于接线柱由非晶硅组成，因此所产生的接线柱的图案化相对简单，即使这些接线柱可能具有很大的高度。藉由在非晶硅层间形成粘着层，可增加非晶硅接线柱的高度而不会产生缺陷。该有利特征包含了改善非晶硅接线柱的品质、以及降低形成多个具有不同高度的非晶硅接线柱的复杂性。另外，更提供一种电路结构的形成方法。
电路结构及其形成方法

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