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[实用新型]下雪可发电的光伏组件-CN201921198858.8有效
发明人：于俊;刘勇;朴松源;连春元 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H02S40/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种下雪可发电的光伏组件，它解决了电光伏雨雪天发电效率低，冬季易积雪等问题，其包括具有太阳能电池片的光伏层压板，光伏层压板一侧设有接线盒，所述的接线盒内设有与太阳能电池片相连的电路板，且所述的电路板与输出电缆线相连。本实用新型具有能量转化率高，可发热除雪等优点。
下雪发电组件

[实用新型]折叠光伏组件及其安装结构-CN201921198943.4有效
发明人：于俊;刘勇;朴松源;连春元 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H02S30/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种折叠光伏组件及其安装结构。它解决了现有光伏组件拆卸复杂、搬运不便等问题，包括具有光伏电池片的光伏组件板，其特征在于，相邻的光伏组件板通过柔性连接件相连，光伏组件板沿长度方向的至少一端分别设有至少一个呈筒状的滑套体，光伏组件板同一端的滑套体依次同轴设置且一根套管体依次活动穿设于各个滑套体内从而将各个光伏组件板连为板状结构。优点在于，通过柔性连接件将光伏组件相连接，便于折叠，减少了光伏组件的面积，利于搬运，同时，结构简单的安装架体，利于拆卸和安装，减少了光伏组件的成本。
折叠组件及其安装结构

[实用新型]一种单面单玻叠瓦光伏组件-CN201920406065.4有效
发明人：刘勇;朴松源;卜林;李冬生;介雷;刘培培 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单面单玻叠瓦光伏组件，包括由多串水平排列的电池串并联而成的电池块，多块电池块水平和/或纵向排列成组件，且水平相邻的电池块之间相互并联，纵向相邻的电池块之间相互串联，每串所述电池串包括多片纵向排列且相互串联的电池片；且本组件的横向电池块排列数量多于纵向电池块排列数量，以使组件呈竖向版型，且组件的纵向长度为1500～1800mm，组件的横向宽度为800～1200mm。本实用新型通过分块并联的方式，降低内部电阻损耗，降低组件热斑效应；采用竖向版型结构，设置方便，与现有流水线兼容性强，降低生产成本。
一种单面单玻叠瓦光伏组件

[实用新型]一种太阳能组件漂浮系统及其结构-CN201921207430.5有效
发明人：刘勇;朴松源;连春元;于俊 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H02S20/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能组件漂浮系统及其结构，包括漂浮单元，所述漂浮单元包括浮体结构和安装结构，所述浮体结构包括两个在第一方向上相对设置第一浮体，所述第一浮体在第二方向上的两端均连接有第二浮体，两个沿第一方向上的第二浮体之间连接有第三浮体，且所述第一方向与所述第二方向相互垂直，所述安装结构包括用于安装光伏组件的组件支撑板和位于所述组件支撑板两侧的支撑结构，所述安装结构通过两侧的支撑结构分别连接于两个第一浮体。本实用新型采用由三种浮体构成的漂浮单元，避免了尺寸较大的浮体，降低生产、运输及存储时的空间需求，从而降低成本。
一种太阳能组件漂浮系统及其结构

[实用新型]一种带安装边框的双玻光伏组件-CN201920425592.X有效
发明人：刘勇;朴松源;卜林;刘亮 -专利权人：一道新能源科技(衢州)有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种带安装边框的双玻光伏组件，包括压块、具有安装孔的檩条和安装边框，安装边框具有第一安装部和位于第一安装部上方的第二安装部和安装槽口，安装槽口内具有粘贴胶，安装边框通过安装槽口和粘贴胶将组件夹取，安装边框通过第一安装部与檩条相连接，压块具有至少一个与第二安装部相适应的第三安装部，压块与安装边框通过第二安装部和第三安装部相互连接，第三安装部的下端向一侧延伸有与组件相平行的定位部，定位部上具有与安装孔相适应的螺孔，压块通过螺孔、安装孔及螺母组件与檩条相连接。本实用新型具有较深组件夹取深度，并且具有较强的安装强度和较低的组件安装应力。
安装边框压块安装槽口安装孔檩条本实用新型定位部夹取螺孔粘贴双玻光伏组件较低的组件安装应力螺母组件下端平行延伸

[实用新型]一种双玻组件的安装结构-CN201920502399.1有效
发明人：刘勇;朴松源;卜林;李冬生;介雷;刘培培 -专利权人：一道新能源科技(衢州)有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双玻组件的安装结构，包括组件本体、组件边框和压块，所述组件边框包括分别位于组件本体两侧且长度大于或等于组件本体侧边的安装边框，所述安装边框包括承压部和安装部，所述安装部具有用于插设组件本体侧边的安装槽和用于容纳密封胶的储胶槽，且所述储胶槽连通于所述安装槽，所述承压部连接于安装部远离安装槽的一侧，所述压块连接在所述承压部处。本实用新型先将组件安装在组件边框处，再通过压块将组件边框进行安装，使压块的压力施加在组件边框处，减小组件玻璃受力，避免组件玻璃因受力而爆件。
组件边框组件本体压块安装槽承压部本实用新型安装边框储胶槽侧边受力玻璃安装结构双玻组件压力施加组件安装密封胶插设减小连通容纳

[实用新型]一种双面双玻叠瓦汇流条-CN201920502785.0有效
发明人：刘勇;朴松源;卜林;李冬生;介雷;刘培培 -专利权人：一道新能源科技(衢州)有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H02S40/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双面双玻叠瓦汇流条，属于光伏组件技术领域，具体包括汇流条本体，所述汇流条本体包括相互平行的上连接条和下连接条，所述上连接条与下连接条之间通过多个沿汇流条本体轴向排列且相互平行的非镂空条相连接，每条非镂空条的两侧均为镂空区域，以使所述汇流条本体呈镂空结构。本实用新型汇流条中间区域为镂空设计，通过镂空设计降低汇流条硬度，避免弯曲后汇流条翘曲。
汇流条镂空本实用新型上连接条下连接条平行光伏组件中间区域轴向排列镂空结构镂空区域翘曲双玻

[实用新型]一种耐强风的光伏组件安装结构-CN201920507262.5有效
发明人：刘勇;朴松源;卜林;李冬生;介雷;刘培培 -专利权人：一道新能源科技(衢州)有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种耐强风的光伏组件安装结构，包括四个分别安装在组件本体四边边缘以的安装边框，每个安装边框均包括安装部和矩形支架部，安装部具有安装槽和储胶槽，储胶槽连通于安装槽，矩形支架部包括支架顶部、支架底部、支架外侧面和支架内侧面，矩形支架通过支架顶部设置在储胶槽下方，支架内侧面位于安装槽槽口的下方，支架外侧面位于安装槽槽底的下方，且至少位于组件边框相对边的两个支架内侧面向矩形支架部内部凹陷形成内凹弧面，内凹弧面与相邻支架内侧面形成通向外部的回流通道。将组件边框的内侧面改进为向内凹陷的内凹弧面，在组件背面构成通向外界的回流通道，背面风力由该回流通道释放，提高安装边框的风力承受性能。
支架矩形支架安装槽安装边框回流通道内凹弧面储胶槽侧面支架顶部组件边框外侧面背面本实用新型安装结构承受性能光伏组件内部凹陷四边边缘相邻支架向内凹陷组件本体强风槽口风力连通释放外部改进

[发明专利]太阳能组件漂浮系统及其结构-CN201910655054.4在审
发明人：刘勇;于俊;朴松源;连春元 -专利权人：一道新能源科技(衢州)有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H02S20/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能组件漂浮系统及其结构，包括模块组件，所述模块组件包括浮体结构和安装结构，所述浮体结构包括两个相对设置的第一浮体和位于两个第一浮体之间的第二浮体，所述安装结构包括用于安装光伏组件的安装部和用于连接两个第一浮体和所述第二浮体的连接部，且所述第一浮体上具有用于与第一方向上相邻模块组件的第一浮体相连的第一连接结构，所述第一浮体上具有两个相对设置且分别用于连接所述连接部和第二方向上相邻模块组件的连接部的第二连接结构，所述第一方向与第二方向相互垂直。本发明采用模块化的漂浮结构构成漂浮系统，可以根据项目需要调整模块组件的数量，在满足项目要求的情况下最大可能地降低系统成本。
浮体相邻模块组件安装结构浮体结构连接结构模块组件漂浮系统相对设置太阳能组件调整模块光伏组件降低系统项目要求最大可能模块化漂浮垂直

[发明专利]一种MWT太阳能电池的制备方法-CN201110096515.2有效
发明人：周艳芳;朱升宾;于海斌;曹兵;张红玲;班文政;吴兰峰;朴松源;单伟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2011-04-18 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种MWT太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)使用p型晶体硅基体，进行磷扩散；(2)使用化学溶液刻蚀晶体硅基体的一面，去除扩磷层形成抛光面；(3)在晶体硅基体的另一面沉积钝化减反射膜形成受光面；(4)利用激光在晶体硅基体上制作导电通孔；(5)在抛光面上使用丝网将导电银浆填满导电通孔形成发射极接触电极；(6)在抛光面上使用丝网印刷铝浆形成基极接触电极；(7)在受光面印刷银接触栅线，并与导电通孔相连接；(8)经烧结形成金属与硅基体欧姆接触，完成太阳电池制作过程。本发明工艺流程简单而易操作，与当前光伏工业界广泛应用的太阳能电池生产线完全兼容，适合于大规模生产。
一种 mwt 太阳能电池制备方法

[发明专利]一种n型晶体硅太阳电池的制备工艺-CN201010141279.7无效
发明人：朱生宾;尹海鹏;金井升;何胜;孙海平;李玉庆;朴松源;单伟 -专利权人：晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种n型晶体硅太阳电池的制备工艺，采用n型基体，通过磷扩散形成n+扩散层，采用PECVD工艺在n型基体的一面沉积氮化硅减反射膜，然后采用热碱液抛光n型基体另一面的n+扩散层，并形成相对平整的表面，再在抛光面上采用丝网印刷铝浆和银浆，在氮化硅减反射膜上丝网印刷银浆，经烧结形成背面n/p+结和正面欧姆接触，最后进行测试分选即可；该利用n型基体，避免了p型电池片由于BO复合体导致的光致衰减问题；使用碱溶液抛光去除背面的扩散层，省去了等离子边缘刻蚀工艺，避免了刻蚀过程中叠片所导致的漏电问题；在抛光的背表面使用丝网印刷铝浆，经烧结形成高质量的n/p+结，有利于提高组件的抗反向偏压的能力。
一种晶体太阳电池制备工艺

[发明专利]NMOS晶体管的制作方法-CN200810202835.X有效
发明人：何有丰;白杰;唐兆云;朴松源 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种NMOS晶体管的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；对栅极进行退火；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源/漏极延伸区；在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。本发明对栅极进行退火，能使栅极中因注入离子而使晶格状态不稳定，容易非晶化的部分重新多晶化，使栅极的性能提高，进而使半导体器件的电性能也相应提高。
nmos 晶体管制作方法

[发明专利]一种全湿法去胶的装置及方法-CN200810222113.0有效
发明人：何有丰;刘佑铭;朴松源 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种全湿法去胶的装置及方法，其中，该方法为：包括放置在晶圆托盘上的晶圆依次与硫酸和双氧水的混合物反应去除光刻胶、与氨水和双氧水的混合物反应去除晶圆表面的微粒、与去离子水的混合物反应对晶圆表面清洗，该方法还包括：在晶圆与硫酸和双氧水的混合物反应过程中，所述放置晶圆的晶圆托盘以设定的限制速率旋转。本发明提供的装置及方法可以在不损坏晶圆表面所刻蚀出的图案的基础上，去除光刻胶。
一种湿法装置方法

[发明专利]侧墙、半导体器件及其形成方法-CN200810113992.3无效
发明人：何有丰;朴松源;白杰;唐兆云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种侧墙形成方法，至少包括：提供其上形成有栅极、其内形成有轻掺杂区的基底；在所述基底上形成环绕所述栅极的第一侧壁层；采用包含六氯乙硅烷和碳氢气体的混合气体与氨基气体在所述第一侧壁层上形成第二侧壁层。本发明还提供了一种侧墙。可减少轻掺杂区中的杂质在形成侧墙的过程中发生扩散。本发明还提供了一种半导体器件形成方法和一种半导体器件，可减少轻掺杂区中的杂质在形成侧墙的过程中发生扩散。
侧墙半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种多晶栅的生长方法-CN200810033813.5有效
发明人：何有丰;朴松源;白杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶栅的生长方法，它包括以下步骤：步骤1：在密封反应室真空度为0.08～1托，温度为520～570摄氏度下，控制硅化合物的反应物流速在100～700标况毫升每分下，生长非晶态硅栅；步骤2：充入退火惰性气体，在退火温度为700～850摄氏度和退火时间为10～30分钟的退火条件下对步骤1中生长出的非晶态硅栅进行退火，将非晶态硅栅转化成多晶硅栅。本发明通过先形成非晶态的硅栅然后通过退火形成一定微结构的多晶栅，该多晶栅表面相对传统方法直接生长的多晶栅表面平整度有显著提高，从而可有效提高小特征尺寸下多晶栅良率和制作的半导体器件的平整度和均匀性。
一种多晶生长方法