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[发明专利]一种晶体及其制备方法与应用-CN202211189748.1在审
发明人：靳常青;邓正;赵建发;彭毅;望贤成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体及其制备方法与应用。该晶体的化学式为Y2NiIrO6。本发明一实施方式的晶体，具有磁交换偏置效应，仅需十几高斯量级的冷却场就能产生特斯拉量级的交换偏置场。
一种晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种铁磁金属材料及其制备方法和应用-CN202110785655.4有效
发明人：段磊;靳常青;望贤成 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01F1/03 文献下载
摘要：一种铁磁金属材料，该铁磁金属材料的化学式为La3MnAs5，晶体结构为六方晶系，空间群为P63/mcm，对应空间群号为193，所述铁磁金属材料的晶体结构沿着c轴方向由三聚化的MnAs6八面体通过面共享方式连接，呈一维链状结构；ab平面由MnAs6链组成三角晶格，链与链之间平行排列，链间的距离为晶格常数a。该铁磁金属材料通过以下方法制备得到：先将金属La粉末、金属Mn粉末和As粉末按照3：1：5摩尔比例充分研磨混合，再利用压片机将研磨后的混合物压制成形，最后在3～8GPa压力以及1200～1400℃下烧结获得所述铁磁金属材料。本发明的铁磁金属材料具有典型的一维晶体结构，具有较高的磁转变温度，磁各向异性特征较好。
一种金属材料及其制备方法应用

[发明专利]多阶有序钙钛矿PbHg3Ti4O12晶体及其制备方法-CN201910159365.1有效
发明人：靳常青;赵建发;李文敏;曹立朋;望贤成;于润泽 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多阶有序钙钛矿PbHg3Ti4O12晶体，其中，使用Cu靶Kα衍射，其以2θ角度表示的X射线粉末衍射图谱在22.98、32.72、40.36、46.95、52.90和58.41处具有衍射峰，2θ角度测量误差为±0.01。本发明还提供一种制备本发明的PbHg3Ti4O12晶体的方法，包括如下步骤：(1)将PbO2、HgO和TiO2以1:3:4的摩尔比例充分研磨；(2)将步骤(1)得到的粉末密封包裹后，进行烧结，得到PbHg3Ti4O12晶体。本发明的PbHg3Ti4O12晶体对研究磁电演生等物理现象提供了很好的材料基础，是一种潜在的介电材料，对强关联体系研究具有重要的物理意义。
有序钙钛矿 pbhg3ti4o12 晶体及其制备方法

[发明专利]一种磁性半导体材料及其制备方法-CN201711063585.1有效
发明人：靳常青;张俊;望贤成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种一维磁性半导体材料，其化学式为M
一种磁性半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种半导体材料及其制备方法和用途-CN201710481771.0在审
发明人：靳常青;张俊;望贤成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体材料及其制备方法和用途，所述半导体材料的化学通式为：M₉Sn₃X₁₅，其中，M为Ca、Sr和Ba中的一种或几种，X为S、Se和Te中的一种或几种；所述半导体材料的晶体结构属于六方晶系，空间群为P空间群号为188，其晶体结构沿着c轴方向由三聚化的SnX₆八面体通过面共享方式连接，呈一维链状结构；而a//b平面由SnX₆链组成三角晶格，链与链之间平行排列，保持长度为晶格常数a的距离。本发明的半导体材料晶体结构的一维性在提高热电转化效率方面具有极大潜力。本发明的制备方法不仅优化制备条件，而且工艺过程简单，操作方便，制备参数易于控制，重复性好，可以规模化合成。该半导体材料可用于热电转化器材的制备。
半导体材料制备晶体结构空间群热电转化效率一维链状结构工艺过程共享方式化学通式晶格常数六方晶系热电转化三角晶格制备条件八面体规模化可用三聚合成器材优化

[发明专利]一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法-CN201210074831.4有效
发明人：于润泽;望贤成;孔盼盼;刘清青;靳常青 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法，该晶体坍塌四方相的空间群为P4/nmmz，晶格常数为a=3.8-3.9Å,c=5.9-6.0Å。本发明通过高压方法，将常压下的Cu2Sb合金晶体通过高压作用，发生结构转变，从而得到了一种新的坍塌四方相Cu2Sb合金。本发明为探究铁基超导体提供了可能。
一种超高压 cu2sb 合金晶体及其制备方法

[发明专利]一种铁砷化合物高温超导体晶体及其制备方法-CN201110115203.1无效
发明人：靳常青;刘清青;望贤成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-05-05 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁砷化合物高温超导体晶体及其制备方法，该高温超导晶体材料为NaxFeAs，其中0
一种化合物高温超导体晶体及其制备方法

[发明专利]一种铁基超导晶体及其制备方法-CN201010033952.5无效
发明人：靳常青;邓正;望贤成;刘青清;吕玉玺;朱金龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁基超导材料及其制备方法，该超导晶体材料为LixFeP，其中0.3＜x＜1.8，x表示原子百分比含量。本发明还提供了一种LixFeP晶体的高压合成方法，在0～6GPa的压力范围内，700℃～900℃的温度范围内制备LixFeP的方法。通过上述方法制备出的LixFeP超导晶体具有4-6K的超导转变温度，属于四方晶系，具有P4/nmm的空间对称群。
一种超导晶体及其制备方法

[发明专利]一种磁电功能材料及其制备方法-CN201010117666.7无效
发明人：邓正;靳常青;望贤成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明的名称为一种磁电功能材料及其制备方法。本发明公开了一种新材料及其制备方法，该材料为NaxCu2P2，其中0.8＜x＜1.2，x表示原子百分比含量。本发明还提供了NaxCu2P2晶体的高压合成方法，在0～6GPa的压力范围内，600℃～1000℃的温度范围内制备NaxCu2P2的方法。通过上述方法制备出的NaxCu2P2晶体属于四方晶系，具有I4/mmm的空间对称群。
一种磁电功能材料及其制备方法

[发明专利]一种铁基高温超导晶体及其制备方法-CN200910077293.2有效
发明人：靳常青;望贤成;刘清青;吕玉玺;高伟波;杨留响;李凤英;禹日成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁基高温超导材料及其制备方法，该高温超导晶体材料为Na_xFeAs，其中0＜x＜2，x表示原子百分比含量。本发明还提供了一种Na_xFeAs晶体的高压合成方法，在0～6GPa的压力范围内，600℃～900℃的温度范围内制备Na_xFeAs的方法。通过上述方法制备出的Na_xFeAs超导晶体具有6K～20K的超导转变温度，属于四方晶系，具有P4/nmm的空间对称群。
一种高温超导晶体及其制备方法

[发明专利]一种铁砷化合物高温超导体晶体及其制备方法-CN200810225747.1无效
发明人：靳常青;望贤成;刘清青;吕玉玺;高伟波;杨留响;李凤英;禹日成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的铁砷化物高温超导晶体材料及其研制方法，该高温超导晶体材料为Li_xFeAs，其中0＜x＜2，本发明还提供了一种Li_xFeAs晶体的高压合成方法，该方法通过改变锂含量，用前驱体方法在高温高压下制备出了该高温超导晶体材料，该材料的晶体结构特征类似与铜氧化物高温超导体无限层结构。
一种化合物高温超导体晶体及其制备方法

[发明专利]Bi系高温超导导线的制备方法-CN200710117728.2有效
发明人： 望贤成;韩征和;孙建峰 -专利权人：北京英纳超导技术有限公司;清华大学
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种以BSCCO－2212或BSCCO－2223为主相的Bi系高温超导导线的制备方法，其包括如下步骤：制备线材的步骤，其中所述的线材为包含至少一根具有超导性能的超导芯和包在超导芯周围的至少一种金属基体，其超导芯的主相为BSCCO－2212或BSCCO－2223，其经历的最后一道工序为机加工工序；将上述制得的导线进行至少一次中间热处理，使得导线中的裂纹和孔隙不与外界高压气体介质连通；将上述制得的导线进行高压热处理，其总的压力范围为至少5MPa但不超过200MPa，利用该方法可以提高导线的电学和机械性能，并且方法简单，适宜于Bi系导线的大规模生产。
bi 高温超导导线制备方法

[发明专利]一种Bi系高温超导导线及其制备方法-CN200610152527.1无效
发明人： 望贤成;赵亮;韩征和;宋秀华 -专利权人：北京英纳超导技术有限公司;清华大学
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及Bi系高温超导导线，具体涉及的是一种以BSCCO－2223为主相的Bi系高温超导导线及其制备方法，其包含至少一根具有超导性能的超导芯和包在超导芯周围的至少一种金属基体，BSCCO－2223相的含量为70－ 95％，利用该方法能极大地减少导线的热处理时间，另外也降低了对热处理条件控制精度的要求。
一种 bi 高温超导导线及其制备方法

[发明专利]用金属镁作触媒合成黄色立方氮化硼单晶的方法-CN01138743.2无效
发明人：张铁臣;望贤成;邹广田 -专利权人：吉林大学
申请日： 2001-11-29 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的用金属镁作触媒合成黄色立方氮化硼单晶的方法属超硬材料的合成方法。以六角氮化硼为原料，以金属镁为触媒，以氧化镁或氧化钙为添加剂，经混料—压注成形—装入石墨容器，制成组装块；将组装块放入压机腔体，经高温高压合成立方氮化硼单晶。混料中原料、触媒、添加剂按质量比为1∶(0.1～0.3)∶(0.3～1)；高温高压合成是在温度为1000～2000℃，压力为4.0～6.0Gpa条件下保温4～10分钟。前述的组装块可按混装方式或层装方式进行组装。本发明由于用Mg、MgO、CaO作触媒和添加剂，其原料稳定易于保管，廉价且易于生产，降低了成本，简化了工艺过程，便于实施。本发明由于添加恰当比例的MgO、CaO，所得产品cBN晶体生长良好，硼氮比例接近1∶1，为黄色半透明的晶体。
金属镁触媒合成黄色立方氮化硼单晶方法

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