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[发明专利]一种用于检测晶圆粗加工表面清洁程度的设备及方法-CN201711290179.9有效
发明人：边永智;宁永铎;钟耕杭;赵伟;汪奇;张建 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测晶圆粗加工表面清洁程度的设备及方法。该设备包括载物平台、施压机构、晶圆限位滑块；施压机构包括支架和施压长臂，支架设置在载物平台上表面靠近端侧的位置，施压长臂的一端连接在支架上，并可绕连接位置上下摆动，施压长臂的另一端设有一组轴承，施压长臂的中间位置设有加重定位销，用来加载砝码；晶圆限位滑块设置在施压长臂下方的载物平台上，用于限定晶圆。检测方法为：将待测晶圆放置在载物平台上，用晶圆限位滑块将晶圆卡住，取一定性滤纸放在轴承与待测晶圆之间；匀速拉动定性滤纸，待滤纸纸条全部拉出后，测定滤纸与待测晶圆接触面上的清洁程度。本发明可以对晶圆清洁效果做出客观的质量评价。
一种用于检测粗加工表面清洁程度设备方法

[发明专利]一种延长抛光布使用寿命的处理方法-CN201811529111.6有效
发明人：林霖;史训达;李彦君;刘云霞;陈克强;杨少昆;周莹莹;李奇 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本发明公开了一种延长抛光布使用寿命的处理方法，包括以下步骤：(1)刷盘刷布：将刷盘放置在贴好抛光布的抛光机盘面上，用抛光机的压力头压住刷盘，刷盘与抛光机大盘旋转方向相同；(2)高压水冲洗：用高压水冲洗抛光布表面，用高压水把整张抛光布冲洗一遍；(3)修整环研磨：将修整环放置在抛光布上，用抛光机的压力头压住修整环，修整环与抛光机大盘旋转方向相同，修整环研磨抛光布的时间为10s～5min；然后使修整环与抛光机大盘旋转方向相反，压力范围、转速范围和超纯水流量范围都不变，继续研磨抛光布10s～5min。本发明的方法对抛光布使用寿命的延长效果非常显著，可有效延长抛光布的使用寿命，且始终不会影响硅衬底抛光片的几何形貌水平。
一种延长抛光使用寿命处理方法

[发明专利]一种用于金刚石刀具修正的装置及方法-CN201911299144.0在审
发明人：朱秦发;库黎明;张雷;杨卫国;张文齐;李亚光 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B24B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于金刚石刀具修正的装置及方法。装置包括修刀砂轮、底座、驱动电机；修刀砂轮中间为中空、底部带安装卡扣，通过螺母直接固定在底座上，驱动电机驱动底座旋转同时带动修刀砂轮旋转。采用该装置进行金刚石刀具修正的方法包括以下步骤：(1)将修刀砂轮固定在底座上，使修刀砂轮完全湿润；(2)在加工中心上确定坐标系位置，确定待修正刀具底到修刀砂轮表面的距离；(3)打开驱动电机，底座带动修刀砂轮旋转，启动修刀程序，待修正刀具在修刀砂轮表面进行往复移动；(4)刀具修正完成后，进行超声清洗，煮沸去除油污和表面碎渣。通过本发明的装置及方法可以获得刀具表面的垂直度和平面度以及表面光洁度的大幅度提升改善。
一种用于金刚石刀具修正装置方法

[发明专利]一种12英寸硅抛光片加工的工艺方法-CN201911280084.8在审
发明人：陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;苏冰 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种12英寸硅抛光片加工的工艺方法。该工艺方法包括以下步骤：(1)将双面抛光好的12英寸硅片进行NOTCH抛光并进行边缘抛光，然后放入片盒里，片盒放入盛有纯水的常温水槽里；(2)将装有硅片的片盒放入1号液清洗，然后放入2号液清洗；1号液的成分组成为：氨水∶双氧水∶纯水＝1∶1∶5～1∶5∶10(体积比)，2号液的成分组成为：盐酸∶双氧水∶纯水＝1∶1∶5～1∶5∶10(体积比)；(3)将清洗完的装有硅片的片盒放入温水的水槽里，然后缓慢往上提拉达到干燥的目的。采用本发明的工艺方法可以制造表面颗粒和金属含量低的12英寸硅片，有利于该12英寸硅片精抛后表面颗粒和金属的降低。
一种 12 英寸抛光加工工艺方法

[发明专利]一种延长石墨坩埚使用寿命的方法-CN201911270089.2在审
发明人：王雅楠;刘卓;盖晶虎;谢辉;姜舰;张欢;翟顺元 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种延长石墨坩埚使用寿命的方法，该方法包括对石墨坩埚进行以下加工设计：预先将相邻两个石墨坩埚瓣的接缝位置处的坩埚内壁加工出凹槽，在该凹槽内设置可拆卸的石墨保护条，该石墨保护的尺寸与该凹槽的尺寸匹配；石墨坩埚使用一段时间后，将石墨条取下，如有损耗，进行更换。石墨坩埚与石墨保护条的组装方式为：分别在石墨坩埚瓣侧边缘的上端位置开设插孔，所述石墨保护条的一侧具有与石墨坩埚内壁匹配的弧形面，该石墨保护条的上端向另一侧面方向突出，并在该突出的部分下端设有两个插接棒，该两个插接棒分别插入相邻两个石墨坩埚瓣上端的插孔内。本发明能够有效阻止石墨坩埚接口处的损耗，延长石墨坩埚的使用寿命。
一种延长石墨坩埚使用寿命方法

[发明专利]一种硅电极加工的工艺方法-CN201911254218.9在审
发明人：陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;苏冰 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅电极加工的工艺方法。该工艺方法包括以下步骤：(1)将从加工中心加工好的硅电极进行超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第一次抛光；(2)将抛光完的硅电极进行超声清洗、烘干，然后用夹具装硅电极放入盛有混酸的腐蚀槽进行腐蚀，混酸的配比为：氢氟酸45％‑65％∶硝酸45％‑65％∶冰醋酸98％＝50％‑70％∶10％‑30％∶10％‑20％；(3)将腐蚀完的硅电极超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第二次抛光；(4)将抛光完的硅电极进行超声清洗、HF酸洗、烘干。采用本发明的工艺方法可以制造导气孔直径一致性很高的硅电极，该硅电极的离子注入精度很好。
一种电极加工工艺方法

[发明专利]一种直拉法生产单晶中收尾阶段单晶收放趋势的判断方法-CN202011609839.7在审
发明人：张欢;连庆伟;李超;王雅楠;吴志强;崔彬;姜舰 -专利权人： 有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶收尾阶段单晶收放趋势的判断方法，包括以下步骤：(1)按照所生产单晶直径的1‑1.3倍预算出收尾长度，结合勾股定理算出收尾的两个角度为63°和69°，根据两个角度分别计算不同长度段内的重量随长度变化斜率，绘制出理论重量随长度变化曲线图；(2)通过单晶炉客户端获得收尾部分任意位置A和重量B；通过单晶炉客户端获得收尾部分位置A下的位置C和重量D；计算位置A到位置C的重量随着长度的变化斜率α＝(D‑B)/(C‑A)；(3)将理论重量随长度变化曲线图划分成提高拉速区、拉速维持区、降低拉速区，将α放入理论重量随长度变化曲线图中，实时调节拉速。采用本发明能够及时有效的判断出单晶收放趋势，正确的调节拉速，提高单晶的完好率。
一种直拉法生产单晶中收尾阶段单晶收放趋势判断方法

[发明专利]一种用于硅片消除氧施主热处理过程的冷却装置和方法-CN202011596433.X在审
发明人：徐继平;宁永铎;李钧宏;颜俊尧;程凤伶;边永智;钟耕杭;赵而敬;鲁进军;王海涛 -专利权人： 有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于硅片消除氧施主热处理过程的冷却装置和方法。该冷却装置具备：冷液冷却系统，包括由数根冷水管组成的冷水管排、用于固定该冷水管排的固定装置、以及通过波纹管连接冷水管排的进水管和出水管；所述固定装置包括用于固定冷水管排不同部位的固定梁，在固定梁上装载有风速表及温湿度传感器；在进水管和出水管上分别安装有压力表、温度计，在波纹管上安装有流量计和阀门；通风系统，包括数个轴流风机以及用于机械固定轴流风机的紧固装置，轴流风机设置在冷水管排的一侧，并朝向冷水管排鼓风；控制系统，用于对冷却环境进行智能控制。本发明能够使得硅片退火出舟后快速和稳定的降温，有利于其快速退出氧施主的高生成率温区。
一种用于硅片消除施主热处理过程冷却装置方法

[发明专利]一种12英寸硅片精密磨削加工的装置和方法-CN202011554850.8在审
发明人：陈海滨;闫志瑞;库黎明;高立飞 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种12英寸硅片精密磨削加工的装置和方法。该装置包括：用于放置花篮的载片台、取片机械手、定位台、第一转移机械手、清洗台、旋转平台、第二转移机械手、干燥台；旋转平台上设有三个陶瓷吸盘，三个陶瓷吸盘围绕旋转平台中心以120度夹角均匀分布，并可以依次在旋转平台的等待位置、粗磨位置、精磨位置进行顺时针切换；旋转平台设有分别与粗磨位置和精磨位置对应的第一主轴和第二主轴，第一主轴和第二主轴均由步进电机控制做上下运动，第一主轴和第二主轴的底端分别安装有砂轮；在旋转平台上设有两个测厚仪，分别用于测量粗磨位置的硅片厚度和精磨位置的硅片厚度。采用本发明可以制造硅片精度更高的12英寸硅片，同时效率更高。
一种 12 英寸硅片精密磨削加工装置方法

[发明专利]一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法-CN202011542807.X在审
发明人：王万华;李英涛;皮小争;崔彬;吴志强;刘斌 -专利权人： 有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，在单晶的收尾过程中，通过控制收尾的拉速和温度，使尾部形状中出现一段与等径部分形状相同的圆柱形；如果收尾完好，可以清晰的看到“胞线”，表明硅单晶尾部无位错，单晶完好；如果收尾不完好，可以明显看到“断胞”的位置；从“断胞”的位置反切1.08～1.15倍直径，获得无位错硅单晶。本发明通过改进直拉法生长重掺锑硅单晶的收尾工艺，控制尾部形状，可以准确判断出“断胞”位置，从而得到无位错硅单晶。
一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶方法

[发明专利]一种获得亲水性表面的抛光硅片加工方法-CN201811462180.X有效
发明人：史训达;林霖;刘云霞;周莹莹;徐继平;王磊;李奇;杨少昆;程凤伶;刘佐星 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得亲水性表面的抛光硅片加工方法。该方法包括利用抛光布、抛光液对硅片进行化学机械抛光处理的过程，该过程包括粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤；粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤分别按四个阶段进行，其中，第一阶段至第三阶段均采用抛光液抛光，第四阶段均采用纯水进行抛光；中抛步骤和精抛步骤中所采用的研磨剂为平均粒径在3‑80nm的SiO2颗粒的碱性抛光液，胶体状抛光原液用纯水进行稀释，稀释比例为1∶(20‑100)；精抛步骤的第四阶段抛光时间控制在0‑15s；在完成精抛步骤后，将抛光硅片浸泡到含有0.02％～1％表面活性剂的纯水中。采用本发明可获得亲水性的抛光片表面，改善硅片RCA清洗后的表面颗粒水平。
一种获得亲水性表面抛光硅片加工方法

[发明专利]一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法-CN201711316664.9有效
发明人：宁永铎;边永智;钟耕杭;程凤伶;郑宇;张亮 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法。该方法包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背封薄膜表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜，该掩蔽蓝膜直径比衬底晶圆直径小0.2‑5mm；(2)将粘贴有掩蔽蓝膜的衬底晶圆放入氢氟酸溶液中去除二氧化硅薄膜；经过表面清洗后再进入酸腐蚀机去除多晶硅薄膜；(3)再次经过表面清洗后进入去膜机去除掩蔽蓝膜，再次经过表面清洗干燥，衬底边缘处理工序完成。采用本发明的方法可以实现衬底边缘的二氧化硅和多晶硅薄膜的去除，使最终衬底留存的背封膜垂直方向上对齐，去除边缘均匀整齐；衬底晶圆表面均匀，损伤少，可以减少或取消边缘抛光加工，降低生产成本，提高工作效率。
一种直径衬底边缘处理方法

[发明专利]一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法-CN201510737156.2有效
发明人：冯泉林;赵而敬;李宗峰;程凤伶;盛方毓;王永涛;闫志瑞 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法，该方法至少包括以下步骤：(1)切片；(2)倒角；(3)双面磨削；(4)单面化学腐蚀或单面磨削，去除硅片正面损伤层；(5)边缘抛光；(6)双面抛光；(7)在硅片正面和背面都沉积多晶硅；(8)边缘二次抛光；(9)正面多晶抛光去除；(10)最终抛光；(11)清洗检测。本发明结合300mm硅片的制造过程提出了一种新的硅片加工方法，通过磨削加工引入背面损伤和背面薄层多晶沉积相结合的方式，达到外吸杂的目的。通过本发明的方法加工的300mm硅片既能满足双面抛光的要求，同时能够获得可控的背面损伤层，避免了背面多晶沉积较厚时对硅片翘曲度的影响。
一种具有背吸杂能力 300 mm 硅片加工方法

[发明专利]一种硅环加工的工艺方法-CN201811585961.8有效
发明人：陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;史训达 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B23B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅环加工的工艺方法，包括以下步骤：(1)将硅环固定在卡盘上，先将目数较小的普通刀具固定在刀架上，开动机器，让卡盘和刀具旋转，将硅环外径去除0.5mm；(2)换一把目数较大的普通刀具将硅环外径去除0.3mm；(3)换上特殊刀具固定在刀架上，该特殊刀具具有圆柱部分和斜面部分，其中刀具的圆柱部分用来研磨硅环外径，刀具的斜面部分用来对硅环外径进行倒角，用刀具的圆柱部分研磨硅环外径到目标直径；然后用刀具的斜面部分先后倒角硅环外径的左边和右边；(4)将加工好的硅环进行双面研磨、加工中心做内径、定位孔及卡槽。采用本发明的工艺方法可以制造外径倒角质量非常高的硅环，硅环外径倒角一致性好，无崩边，无污染，无毒害。
一种加工工艺方法

[发明专利]一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法-CN201711316661.5有效
发明人：曲翔;王海涛;王新;李耀东;梁雨东;何宇;杨凯;徐继平;苏冰;路一辰;史训达 -专利权人： 有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法，该方法中所使用的石英舟为具有台阶状舟齿的石英舟，包括以下步骤：(1)将具有台阶状舟齿的石英舟置于垂直炉炉体内，将硅片置于石英舟上；(2)沉积多晶硅薄膜，控制多晶硅薄膜的生长速率；(3)控制降温速率使硅片降温到室温；(4)控制机械手精准取片；(5)抛光硅片正表面，检查硅片正表面参数，确定是否发生边缘损伤。本发明可以有效解决沉积多晶硅时对硅抛光片的正面损伤问题，从而提高硅抛光片边缘质量。
一种降低抛光正面边缘损伤方法

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