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[发明专利]一种IGBT器件及制造方法-CN202310193570.6在审
发明人：滕跃;李强;曹务臣;苏晓山;左义忠 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种具有局部接触发射区的IGBT器件和IGBT器件制造方法，涉及半导体器件技术领域。IGBT器件包括：MOS器件；场终止层，位于MOS器件的下表面；P型发射区，位于场终止层下表面；绝缘层，位于P型发射区下表面；集电极金属，位于绝缘层下方；其中，在绝缘层的局部打开，形成集电极金属与P型发射区的接触窗口。由于发射区设置为局部发射区，或集电极设置为局部接触发射区，流过器件的电流会因窗口面积比降低，提高流过局部发射区的电流密度，使发射区工作在少子大注入状态，从而提高器件的电导调制强度，降低器件的导通压降。
一种 igbt 器件制造方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN202210719266.6在审
发明人：滕跃;孙喆禹;曹务臣;迟永欣;耿智蔷;肖楠 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例提供的绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，涉及半导体功率器件及制造领域。为有效降低导通压降，N型电荷存储层中空穴浓度会显著上升，这会导致绝缘栅双极型晶体管在反向阻断时N型电荷存储层内的场强会指数级上升，集电极‑发射极反向阻断电压下降。本实施例中，取消一部分导电沟道使用第一P+区代替，第一P+区的引入可使N型电荷存储层内的场强下降并与N‑漂移区共同分担上升的场强。但第一P+区的引入会降低N型电荷存储层的电导调制效果，故在第一P+区内沿沟槽的延伸方向重复排列的N+拦截区、沟槽拦截区及空穴抽取区，对关键载流子空穴的抽取速率进行人为调节，可同时解决饱和压降、反向截止电压、短路特性及开关速度的平衡问题。
绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[实用新型]一种分水盘装置-CN201920021252.0有效
发明人：李新光;陈兰香;吴丹;曹务臣;李飞;陈洁;李洋 -专利权人：梁山旭洋无烟尘节能环保设备有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型属于工业烟气处理技术领域，具体涉及到一种分水盘装置。该种分水盘装置，包括呈圆台型的主体，主体为空腔结构，主体下表面中心处设置有脱硫液进液口，主体上表面中心处设置有反冲液进液口，主体的内部空腔结构呈沙漏型，沙漏型空腔的两漏斗连接处为射流口，内部空腔结构的顶端设置有均匀分布的第一出水孔，主体底部四周设置有第一外沿，第一外沿顶端均匀分布有第二出水孔。本实用新型的一种分水盘装置，通过第一外沿和第二外沿的设置，对从主体上端溢流形成的水幕进行扩散导流，有利于缩小分水盘主体结构的大小，减轻其固定横梁的承重压力；通过内部漏斗形空腔的结构设计，有利于增压射流，增强第一出水孔形成的水幕的均匀密闭性。
分水盘外沿出水孔内部空腔结构本实用新型进液口中心处沙漏水幕漏斗形空腔主体上表面主体下表面承重压力顶端设置工业烟气固定横梁空腔结构主体结构反冲液密闭性射流口脱硫液圆台型上端增压导流空腔射流溢流漏斗扩散

[实用新型]一种消烟除尘脱硝脱硫板-CN201920021578.3有效
发明人：李新光;陈兰香;吴丹;曹务臣;李飞;陈洁;李洋 -专利权人：梁山旭洋无烟尘节能环保设备有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型属于烟气脱硫脱硝的净化技术领域，具体涉及到一种消烟除尘脱硝脱硫板。包括填料板、罐体和支架，所述填料板位于罐体内部上方，所述支架固定连接在罐体的底部，所述填料板包括上层板、下层板和设置在上层板与下层板之间的填料层，所述的上层板上设置有若干均匀分布的喇叭形孔，所述下层板上设置有若干均匀分布的柱形孔，且所述的喇叭形孔和柱形孔交错设置，所述下层板的底面设置有若干均匀分布的半球凸起，所述的半球凸起位于两柱形孔之间。本实用新型整体上能够实现对烟气的除尘脱硫脱硝，同时又能保持填料板的洁净，延长了填料板的使用寿命。
填料板下层板上层板柱形孔本实用新型喇叭形孔罐体凸起脱硝烟气脱硫脱硝除尘脱硫罐体内部交错设置使用寿命消烟除尘支架固定填料层脱硫板底面烟气支架洁净净化

[实用新型]一种脱硝脱硫反应塔-CN201920021579.8有效
发明人：李新光;陈兰香;吴丹;曹务臣;李飞;陈洁;李洋 -专利权人：梁山旭洋无烟尘节能环保设备有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型属于工业烟气处理技术领域，具体涉及到一种脱硝脱硫反应塔。该脱硝脱硫反应塔，塔体下端设置有原烟气冷却机构，塔体内部下端设置有多块分隔板，分隔板的左端或者右端设置有第一烟气通孔；位于顶部的分隔板的第一烟气通孔的一侧竖直设置有脱硝液挡板，靠近脱硝液挡板顶端的塔体上设置有外凸结构，外凸结构内设置有风机；位于风机上端的塔体的内部设置有带有第二烟气通孔的空腔板，空腔板的空腔结构与外部脱硝液入口连通，空腔板的下表面设置有喷头；空腔板的上端设置有烟气除雾机构。本实用新型的一种脱硝脱硫反应塔，一体化结构设计，选材简单造价低，适于实用，原烟气与脱硫液充分接触，脱硫和脱硝产物分离，除雾机构定期自排水。
空腔板脱硫反应塔烟气通孔分隔板脱硝液塔体脱硝本实用新型除雾机构外凸结构上端原烟气风机喷头一体化结构挡板充分接触挡板顶端工业烟气空腔结构冷却机构内部设置竖直设置脱硝产物脱硫液下表面自排水多块脱硫下端烟气左端连通选材体内外部

[实用新型]一种废气处理净化器-CN201920021220.0有效
发明人：李新光;陈兰香;吴丹;曹务臣;李飞;陈洁;李洋 -专利权人：梁山旭洋无烟尘节能环保设备有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B01D53/80 文献下载
摘要：本实用新型属于废气处理技术领域，具体涉及到一种废气处理净化器。该废气处理净化器，壳体的上端和下端均呈圆台型收口结构，壳体下端的圆台型收口结构内安装有螺旋废气管道，螺旋废气管道的管壁上均匀设置有废气通孔；壳体下端的圆台型收口结构的上端一侧设置有石灰乳浆入口，下端一侧设置有石膏浆液出口；壳体下端还安装有搅拌机构；壳体中段由下至上设置有两组固定板，位于下端的一组固定板之间松散填充有球形滤料，位于上端的另一组固定板之间填充有吸水海绵；壳体上端设置有吸水海绵挤压机构。本实用新型的一种废气处理净化器，使二氧化硫与石灰乳浆充分接触脱除，除尘过程中滤料不宜板结，除雾用吸水海绵脱水便捷，提高废气净化处理效率。
壳体上端净化器废气处理收口结构吸水海绵固定板圆台型下端本实用新型废气管道石灰乳浆填充废气处理技术充分接触除尘过程处理效率废气净化废气通孔挤压机构搅拌机构均匀设置壳体中段球形滤料石膏浆液板结二氧化硫除雾管壁两组滤料脱除脱水松散出口

[实用新型]一种节能锅炉装置-CN201920021251.6有效
发明人：李新光;陈兰香;吴丹;曹务臣;李飞;陈洁;李洋 -专利权人：梁山旭洋无烟尘节能环保设备有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： F22B31/00 文献下载
摘要：本实用新型属于节能设备技术领域，具体涉及到一种节能锅炉装置。所述蒸汽锅的左侧设置有除尘管道，所述蒸汽锅的上侧设置有储烟腔，所述除尘管道上下两端分别连接燃烧炉与储烟腔，所述除尘管道下端设置有进烟口，所述除尘管道上端设置有排烟口，所述除尘管道内设置有若干除尘挡板，所述除尘管道的下端一侧设置有除尘口和除尘仓，所述除尘口两端分别连接除尘管道与除尘仓，所述蒸汽锅内部设置有连接管道和若干螺旋管，所述螺旋管的上下两端分别与储烟腔和连接管道连接，所述连接管道末端连接有排烟筒，所述排烟筒垂直设置，且一侧连接有引风机。本实用新型能够充分利用烟气中携带的热量，减少热量流失，节约能源，也利于环境保护。
除尘管道连接管道储烟腔蒸汽锅本实用新型上下两端除尘仓除尘口螺旋管排烟筒下端除尘挡板垂直设置节能锅炉节能设备末端连接内部设置热量流失进烟口排烟口燃烧炉引风机上端烟气环境保护携带节约能源

[实用新型]一种水膜除尘器-CN201920021253.5有效
发明人：李新光;陈兰香;吴丹;曹务臣;李飞;陈洁;李洋 -专利权人：梁山旭洋无烟尘节能环保设备有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B01D47/00 文献下载
摘要：本实用新型属于工业烟气处理技术领域，具体涉及到一种水膜除尘器。该种水膜除尘器，其内部一体化地设计有脱硫室，且脱硫室中烟气与脱硫剂接触充分，脱硫剂不易板结；脱硫区与除尘区分离，烟气导流板的位于上端的圆台型空腔板体的下表面积小于水幕帽的下表面积，水幕帽侧壁导流形成的水幕绝对不会从烟气导流板的烟气出孔进入脱硫室中，烟气导流板上下两个圆台型空腔板体的结构设置方式有利于除尘后的污水聚集于烟气导流板的下端的圆台型空腔板体下部，并从除尘水体出口排出；分水盘结构设计新颖，使形成的水幕均匀，且极大减少了承重横梁承受的压力；水幕帽不通过横梁支撑，确保其形成的水幕密闭性强，提高除尘效率。
烟气导流板空腔板体水幕帽脱硫室圆台型水幕水膜除尘器脱硫剂除尘烟气本实用新型承重横梁除尘效率工业烟气横梁支撑结构设置除尘区分水盘密闭性脱硫区上端板结侧壁出孔导流排出水体一体化污水出口

[实用新型]一种MOSFET器件-CN201620786973.7有效
发明人：左义忠;曹务臣;于博伟;贾国;迟永欣 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种MOSFET器件。其包括肖特基二极管和沟槽MOSFET，沟槽MOSFET由下到上依次包括N+衬底、耐压漂移区、P型体区外延层和N+源区外延层；在沟槽MOSFET的上端开设有栅区沟槽和肖特基沟槽，且两者均位于耐压漂移区内，肖特基沟槽深于栅区沟槽；在栅区沟槽内固定设置有栅电极，栅电极与栅区沟槽间存在栅氧化层，栅电极的上半部分外围设置有栅电极绝缘保护层；肖特基二极管的下端与肖特基沟槽配合；肖特基二极管与沟槽MOSFET的源极公用金属电极。本实用新型提供的MOSFET器件，能够增强栅氧化层的可靠性，制造成本得以降低。
一种 mosfet 器件

[发明专利]一种MOSFET器件的制造方法及其器件-CN201610590007.2在审
发明人：左义忠;曹务臣;于博伟;贾国;迟永欣 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种MOSFET器件的制造方法及其器件。其中，方法利用外延技术，由重掺杂的N型宽禁带半导体材料作为衬底，依次同质外延出耐压漂移区、P型体区外延层以及N+源区外延层，形成基体；利用光刻及刻蚀技术，在基体上开设栅区沟槽和肖特基沟槽；在栅区沟槽内壁经热氧化形成栅氧化层，在栅氧化层的内壁，通过淀积、光刻、刻蚀形成栅电极；在栅电极外表面进行钝化层淀积，经光刻、刻蚀形成栅电极绝缘保护层；在肖特基沟槽的表面进行肖特基势垒金属淀积、退火，形成肖特基二极管；最终得到MOSFET器件。本发明提供的MOSFET器件的制造方法及其器件，省去了杂质掺杂及扩散工艺，增强了栅氧化层的可靠性。
一种 mosfet 器件制造方法及其

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