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[实用新型]一种晶圆双面膜-CN202321231815.1有效
发明人：孙宏斌;王斌;周锋;耿智蔷;李帅;孟鹤;邢文超;杨昌林;常影 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型是一种晶圆双面膜，与晶圆配合使用，包括：晶圆膜与玻璃衬片，晶圆膜的一侧面与玻璃衬片键合连接，晶圆膜的另一侧面与晶圆键合连接，晶圆膜的中部开口设置，半封闭的第一缺口通过对双面膜形状的改变，使双面膜中间留有缝隙，同时第一缺口与外界相连通，在瞬间高真空过程中通过留有的缝隙将空气顺利排出减小压力差，从而解决因瞬间压力差导致晶圆爆破碎片的问题，圆形缺口的设置与晶圆、玻璃衬片本身的形状相同，能更好地去除晶圆膜内部的空气，同时矩形缺口的设置能够与外界相连通，便于排出缝隙中的空气。
一种双面

[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备-CN202210942180.X在审
发明人：孙建国;迟永欣;耿智蔷;白金 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备，通过在完成肖特基接触孔刻蚀之后，形成覆盖栅氧化层和沟槽多晶硅的本征多晶硅层，在后续形成肖特基势垒金属层之后，所述肖特基势垒金属层可以与覆盖于所述栅氧化层上的所述本征多晶硅层反应，从而在所述栅氧化层上也生成势垒金属硅化物层，如此，在后续形成接触金属层后，所述接触金属层不会与所述外延层接触，从而可以在很精准的控制接触孔刻蚀的深度和刻蚀速率的片内均匀性以及势垒厚度的情况下，减少沟槽肖特基二极管中接触金属层与外延层直接接触的风险。
半导体器件制造方法电子设备

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN202210719266.6在审
发明人：滕跃;孙喆禹;曹务臣;迟永欣;耿智蔷;肖楠 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例提供的绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，涉及半导体功率器件及制造领域。为有效降低导通压降，N型电荷存储层中空穴浓度会显著上升，这会导致绝缘栅双极型晶体管在反向阻断时N型电荷存储层内的场强会指数级上升，集电极‑发射极反向阻断电压下降。本实施例中，取消一部分导电沟道使用第一P+区代替，第一P+区的引入可使N型电荷存储层内的场强下降并与N‑漂移区共同分担上升的场强。但第一P+区的引入会降低N型电荷存储层的电导调制效果，故在第一P+区内沿沟槽的延伸方向重复排列的N+拦截区、沟槽拦截区及空穴抽取区，对关键载流子空穴的抽取速率进行人为调节，可同时解决饱和压降、反向截止电压、短路特性及开关速度的平衡问题。
绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]待贴膜芯片及其处理工艺-CN201811566290.0在审
发明人：车振华;耿智蔷;汪金磊;李超 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种待贴膜芯片及其处理工艺，涉及芯片制造技术领域，所述待贴膜芯片的处理工艺包括如下步骤：提供芯片，所述芯片包括相对设置的上表面和下表面，所述芯片的下表面设置有硅氧化物层，将所述芯片下表面分成多个第一子区域，所述第一子区域包括第一中间区域和第一边缘区域，去除所述第一中间区域的硅氧化物层，然后对第一中间区域进行硼掺杂、铝掺杂和铝层的去除，形成第一中间区域凹陷的第一子区域，再将第一中间区域进行腐蚀，腐蚀深度为3‑8μm，得到待贴膜芯片，解决了传统工艺方法划片后崩边率高、划透渗硅粉及封装后应用失效率高的技术问题，本发明提供的待贴膜芯片的处理工艺操作简便，设备简单，应用前景广泛。
贴膜芯片中间区域处理工艺下表面子区域芯片硅氧化物层去除腐蚀第一边缘区域芯片制造技术传统工艺相对设置铝掺杂硼掺杂上表面失效率凹陷崩边划片铝层渗硅封装应用

[实用新型]一种遮挡结构和蒸发台-CN201821211390.7有效
发明人：程国庆;耿智蔷 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种遮挡结构和蒸发台，属于半导体生产领域。遮挡结构包括邻近蒸发舟布置的第一挡圈。蒸发舟位于第一挡圈限定的区域内。柱形结构的第一挡圈包括相互连接的第一柱体部和第二柱体部。第一柱体部由具有第一缺口且中空的圆柱体形构成。第二柱体由具有第二缺口且中空的四棱柱体构成，第一柱体部和第二柱体部通过第一缺口和第二缺口的对接而拼合为一体。遮挡结构用于提高蒸发台蒸铝均匀性提高蒸镀元件的蒸镀品质。此外，通过设置的第二挡圈可以保护轨道不被蒸镀。同时，第二挡圈的有角度的倾斜构造可以保障整个蒸发过程都可以被百分百的蒸镀。
柱体部挡圈遮挡结构蒸镀蒸发台蒸发舟中空的倾斜构造四棱柱体圆柱体形蒸发过程柱形结构均匀性拼合蒸铝柱体半导体邻近轨道