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[发明专利]一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法-CN202310201152.7在审
发明人：董刚;李屾;智常乐;吴海东;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明涉及一种2.5D集成电路电源分配网络节点电压降计算方法，包括：构建2.5D集成电路的等效电路模型；计算等效电路模型的电源分配网络中任意两点之间的电阻；根据等效电路模型，计算硅插入层中电源分配网络的电压降；根据等效电路模型计算芯粒中电源分配网络的电压降；判断芯粒中电源分配网络的电压降是否满足芯粒噪声容限，若否，则修改硅插入层中硅通孔的分布情况和芯粒在硅插入层上的位置，并返回步骤对芯粒中电源分配网络的电压降进行优化，若是，则根据芯粒中电源分配网络的电压降选取硅插入层中硅通孔的分布情况和芯粒在硅插入层上的最优位置。该方法能对结构复杂的2.5D集成电路中PDN节点IR‑drop进行快速计算，并依此来确定Chiplet在Interposer上的放置位置。
一种 2.5 集成电路电源分配网络节点电压计算方法

[发明专利]一种基于芯粒的2.5维集成电路的多约束阻抗优化方法-CN202210930394.5在审
发明人：董刚;智常乐;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于芯粒的2.5维集成电路的多约束阻抗优化方法，包括以下步骤：构建包含多个寄生参数的2.5维集成电路的等效电路模型，获取等效电路模型的阻抗矩阵；根据目标阻抗Ztarget,f和阻抗矩阵构建阻抗目标函数；根据等效电路模型构建第一约束、第二约束和第三约束；根据阻抗目标函数、第一约束、第二约束和第三约束构建混合目标函数；根据混合目标函数和等效电路模型的PDN参数确定混合目标函数的最小值和对应的芯粒的目标位置、插入器中的目标电容数量以及目标电容的位置。本发明的优化方法降低了系统阻抗，进一步减小了系统的同步开关噪声，提升了2.5维集成电路的性能。
一种基于 2.5 集成电路约束阻抗优化方法

[发明专利]一种三维集成电路的快速去耦方法及装置-CN202111555482.3在审
发明人：董刚;智常乐;朱樟明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维集成电路的快速去耦方法，包括：对三维集成电路进行建模，得到等效电路模型；根据等效电路模型构建基于WLP‑FDTD的时域方程组；对所述等效电路模型施加噪声电流激励，并利用时域方程组计算SSN，同时根据电路状态更新SSN；当SSN的峰峰值大于期望值时，选取不同的去耦电容，并利用时域方程组分别对每个去耦电容值下的SSN进行扫描计算；选取SSN的峰峰值最小时对应的去耦电容值作为最优去耦电容，以对三维集成电路进行去耦。该方法能够实现对结构复杂的三维集成电路进行快速的时域噪声分析，并依此来确定电路的最优去耦电容值，且该方法的准确度较高，避免了三维集成电路过度设计造成的芯片面积浪费。
一种三维集成电路快速方法装置

[发明专利]一种栅控双极-场效应复合氮化镓垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN201910750433.1有效
发明人：段宝兴;智常乐;董自明;张一攀;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种栅控双极‑场效应复合氮化镓垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管。该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式，代替传统的氮化镓VDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。该器件工作在关态时，器件的耐压特性与传统的氮化镓VDMOS的一致。该器件工作在开态时，由于栅极与基区相连，当在栅极接入栅压时，基区也接入一定电压，使得器件寄生的双极型晶体管开启，提供了一个新的导电通道；与此同时，器件的沟道同样能正常开启进行导电。该器件与传统的氮化镓VDMOS器件相比，在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高了器件的导通电流，极大改善了氮化镓晶体管的导通性能。
一种栅控双极场效应复合氮化垂直扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]一种栅控双极-场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN201910749636.9在审
发明人：段宝兴;董自明;智常乐;张一攀;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式，代替传统的氮化镓LDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。工作在关态时，器件的耐压特性与传统的氮化镓LDMOS的一致，器件的栅极，基区和源极接地，漏极接高电位；工作在开态时，寄生的双极型晶体管开启，提供了一个新的导电通道，沟道同样能正常开启进行导电。该结构采用栅极与基区相连的电极连接方式，与采用传统的氮化镓LDMOS器件相比，在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高器件的导通电流，极大改善氮化镓晶体管的导通性能。
氮化镓基区电极连接方式传统的横向双扩散金属氧化物半导体电位氮化镓晶体管双极型晶体管导电通道导通电流导通性能击穿电压源极接地栅极相连场效应晶体管导电短接沟道关态接高开态漏极耐压双极源极复合保证