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[发明专利]背接触式太阳能电池测试装置及测试方法-CN202110736682.2在审
发明人： 於玲琳;徐孟雷;郑霈霆 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供了一种背接触式太阳能电池测试装置及测试方法，前者包括测试台面、第一测试件、第二测试件及压紧装置；第一测试件上设置有一排正极凸起，每一正极凸起与太阳能电池片的一个正极导线一一对应抵接，每两个正极凸起之间形成有供负极导线穿过的第一间隙；第二测试件上设置有一排负极凸起，每一负极凸起与太阳能电池片的一个负极导线一一对应抵接，每两个负极凸起之间形成有供正极导线穿过第二间隙；压紧装置抵压太阳能电池片使其与第一测试件及第二测试件抵接；第一测试件与第二测试件间隔设置在测试台面上且均与测试仪连接。本申请中的太阳能电池测试装置及测试方法可以解决现有技术中测试太阳能电池片时对准困难、连接不稳定的问题。
接触太阳能电池测试装置方法

[发明专利]基于合金二硫化钼钨纳米片的丙酮气体传感器的制作方法-CN201610886894.8有效
发明人：黄晓;杨凯;黄维;李素芹;於玲琳;赵丽;王晓珊;王志伟 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于合金二硫化钼钨纳米片的丙酮气体传感器的制作方法及丙酮气体传感器的应用，将钼酸铵，钨酸铵，硫脲按一定比例混合，以水为溶剂，加入以50mL聚四氟乙烯为内胆的水热釜中；加热数十小时，反应结束后自然冷却；将反应得到的产物离心分离，得到二硫化钼钨纳米片；将二硫化钼钨纳米片水溶液滴在金交叉电极上，在温度60℃下干燥成膜，金交叉电极表面仅露出两端电极，其余部位被二硫化钼钨纳米片覆盖，制得可以测定丙酮气体浓度的丙酮气体传感器。
基于合金二硫化钼纳米丙酮气体传感器制作方法

[发明专利]一种P型钝化接触电池的制备方法-CN201911370320.5在审
发明人： 於玲琳;杨洁;郑霈霆 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型钝化接触电池的制备方法，包括：步骤1，对制绒后的硅片正面依次制备遂穿氧化层和本征非晶硅层；步骤2，对所述本征非晶硅层进行退火处理；步骤3，刻蚀所述硅片指定区域的所述本征非晶硅层形成金属覆盖区，用于制作选择性发射极；步骤4，对所述本征非晶硅层进行磷掺杂，形成磷硅玻璃层，所述磷硅玻璃层与所述遂穿氧化层构成TopCon结构。通过在电池结构正面采用由隧穿氧化硅层与掺杂磷的非晶硅层组成的TopCon结构钝化技术，代替现有单纯的氮化硅表面钝化，极大的降低电池正面表面复合，由于该结构非常薄，在解决硅片光吸收的同时，提高电池的正面钝化，提升电池的性能。
一种钝化接触电池制备方法

[发明专利]一种光伏电池接触结构以及制造方法-CN201811603014.7在审
发明人：朱佳佳;郑沛霆;杨洁;孙海杰;王钊;郭瑶;於玲琳;朱思敏 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池接触结构以及制造方法，其中光伏电池接触结构以及制造方法包括：步骤1，在硅片主体的正面钝化层上印刷正面烧穿性浆料层，正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过钝化层与硅片的主体部分连接；步骤2，在正面烧穿性浆料层的表面印刷正面非烧穿性浆料层；步骤3，对硅片主体进行烧结。通过采用正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过钝化层与硅片的主体部分连接，使得将现有的浆料印刷后形成的线接触金属‑半导体结构，改变为点接触的金属‑半导体结构，接触面积小，实现低损伤金属接触结构，双层浆料结构保证接触电阻的同时，复合低，对于硅片主体的破坏更小，可以充分发挥单晶硅或多晶硅的性能，提高电池的效率。
浆料层烧穿性硅片光伏电池接触结构半导体结构钝化层位置处预定点制造金属接触结构单晶硅穿过金属正面钝化层表面印刷浆料印刷接触电阻结构保证双层浆料烧结低损伤点接触多晶硅线接触电池复合印刷

[发明专利]一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法-CN201811603015.1在审
发明人：朱佳佳;郑沛霆;杨洁;孙海杰;王钊;郭瑶;於玲琳;朱思敏 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，包括：对硅片进行硼扩散形成正面BSG层和背面BSG层；去除背面BSG层，并对硅片进行氧化形成氧化层；在硅片的氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层表面沉积掩膜层；将硅片浸入HF溶液中去除硅片正面的掩膜层绕镀；将硅片浸入碱溶液中去除硅片正面的多晶硅层绕镀；去除掩膜层和正面BSG层。通过在硅片上进行硼扩散形成BSG层，将背面的BSG层去除，对硅片进行氧化，与后续沉积的多晶硅层形成特殊结构，在多晶硅层表面设置掩膜层与正面BSG层作为保护层，在HF酸溶液中去除掩膜层绕镀，在碱溶液中去除多晶硅层绕镀，最后去除掩膜层和正面BSG层，减少了遮光面积，提高了电池效率，解决了外观不良问题，提高了电池性能。
去除硅片掩膜层多晶硅层多晶硅层表面浸入硅片正面多晶硅碱溶液硼扩散氧化层沉积背面沉积掩膜层不良问题电池效率电池性能保护层酸溶液遮光

[发明专利]一种N型双面太阳能电池及其制备方法-CN201811591727.6在审
发明人： 於玲琳;杨洁;郑霈霆 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型双面太阳能电池及其制备方法，包括：提供一N型硅片；在N型硅片的正面进行扩散形成一P型掺杂层；在N型硅片的背面形成氧化硅层和非晶硅层，并进行离子注入形成一N型掺杂层；在N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，在N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；在正面钝化减反射层背离N型硅片一侧形成正面电极，在背面钝化减反射层背离N型硅片一侧形成背面电极。采用离子注入形成N型掺杂层后，由于离子注入的电池正面刻蚀速度是背面的10～20倍，因此，无需采用掩膜，直接刻蚀即可去除正面绕镀，从而减少了掩膜的制备和清洗工序，简化了N型双面太阳能电池的制备流程，降低了制备成本，实现了N型双面太阳能电池的产业化。
双面太阳能电池制备减反射层离子背面钝化钝化刻蚀掩膜背面背离背面电极电池正面非晶硅层清洗工序氧化硅层正面电极产业化去除扩散

[发明专利]一种EuWO₄(OH)纳米带及其复合材料的制备方法-CN201611138429.2有效
发明人：黄晓;黄维;於玲琳 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种EuWO4(OH)纳米带及其复合材料的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。通过水热法，以钨酸铵，硫脲，硝酸铕和水为原料，在特定的反应条件下，可以一步法合成羟基氧化钨铕纳米带。然后将纳米带与氯金酸在光化学反应的条件下合成EuWO4(OH)/Au复合材料，这种材料通过荧光的方法用来检测过氧化氢。这种材料在制备上操作简便，生产周期短，生产成本低，产率高且无副产物，便于商业化大量制备。
一种 euwo4 oh 纳米及其复合材料制备方法

[发明专利]一种稀土二维材料EuMoO4(OH)纳米片及其制备方法和应用-CN201611138893.1在审
发明人：黄晓;黄维;王耀;於玲琳 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C01G39/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备稀土二维材料EuMoO4(OH)纳米片的及其制备方法和应用，属于纳米材料制备技术领域。通过水热法，以钼酸钠，硫代乙酰胺，硝酸铕和水为原料，在特定的反应条件下，可以一步法合成碱性钼酸铕纳米片，其产物可以用来制备发光二极管(LED)。将产物在氮气气氛下煅烧后，可以获得氧化物的纳米片，两者都具有良好的发光性能。这种方法在制备上操作简便，生产周期短，生产成本低，产率高且无副产物，便于商业化大量制备稀土二维材料EuMoO4(OH)纳米片。
一种稀土二维材料 eumoo4 oh 纳米及其制备方法应用

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