“方志来”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果47个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种水下照明设备的控制方法、水下照明设备以及装置-CN202010707035.4有效
发明人：田朋飞;钱泽渊;闫春辉;方志来;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：本申请公开了一种水下照明设备的控制方法、水下照明设备以及装置，水下照明设备包括用于发射不同基色的光束的至少三个基色光源，水下照明设备的控制方法包括：获取水质类型以及待照明区域与水下照明设备之间的第一距离；根据水质类型确定各基色光源所对应的衰减系数；根据衰减系数和第一距离确定各基色光源所对应的实际衰减率；根据实际衰减率确定各基色光源所对应的驱动电流，以使得各基色光源在各自的驱动电流的驱动下产生的光束在待照明区域形成的混合光满足预设的色品指标。通过上述方式，能够形成满足预设的色品指标的混合光，实现高显色指数的高质量白光。
一种水下照明设备控制方法以及装置

[发明专利]基于计算时域鬼成像的水下无线光通信系统及光通信方法-CN202011339390.7有效
发明人：田朋飞;陈新伟;闫春辉;方志来;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H04B10/80 文献下载
摘要：本申请涉及水下可见光通信技术领域，具体涉及一种基于计算时域鬼成像的水下无线光通信系统及其方法、存储装置，该水下无线光通信系统包括：发射装置，包括信号调制单元，用于载入预置信号并基于计算时域鬼成像算法对预置信号进行调制，以产生调制信号；信号产生单元，用于载入调制信号，并产生相应的驱动电压信号；光源，用于根据调制信号产生光信号；接收装置包括：光探测器，用于探测光信号的光强值，并进行光电转换；数据采集单元，用于获取光探测器的电信号；以及数据同步与处理单元，进行关联计算，以得到预置信号的重构信号。通过上述方式，能够解决现有水下无线光通信技术中存在的通信距离短、发射频率低等问题。
基于计算时域成像水下无线光通信系统方法

[发明专利]一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法-CN201910588142.7有效
发明人： 方志来;蒋卓汛;闫春辉;吴征远;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法，在化学气相沉积设备中，通过热氧化生长的方式，在特定氧含量的环境下，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面生长氮掺杂的氧化镓薄膜。该制备方法工艺简单，可控性好，重复率高，氧化镓薄膜粗糙度低且生长迅速。
一种掺杂氧化薄膜结构及其制备方法

[发明专利]一种氧化水平异质p-n结结构器件及其制备方法-CN202010133858.0有效
发明人： 方志来;闫春辉;蒋卓汛;吴征远;田朋飞;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化水平异质p‑n结结构器件及其制备方法，属于半导体器件领域，所述氧化水平异质p‑n结结构器件包括：衬底、n型材料层、嵌入所述n型材料层内部的p型材料层、以及n型材料层和p型材料层上表面上的金属电极。其中，通过在n型材料层上覆盖掩膜物，实现p型材料层的选择性生长，生长结束后可获得水平方向的异质p‑n结结构，所述的p型材料层载流子浓度为1×1011～1×1019/cm3。该发明工艺简单，适用面广，有望扩展诸如氮化镓、氮化铟等III‑V族半导体材料的应用。
一种氧化水平结构器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化水平异质p-n结结构器件及其制备方法-CN202010133714.5有效
发明人： 方志来;闫春辉;蒋卓汛;吴征远;田朋飞;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化水平异质p‑n结结构器件及其制备方法，属于半导体器件领域，所述氮化水平异质p‑n结结构器件包括：衬底、p型材料层、嵌入所述p型材料层内部的n型材料层、以及p型材料层和n型材料层上表面上的金属电极。其中，通过在p型材料层上覆盖有特定图案的掩膜层，实现n型材料层的选择性生长，生长结束后可获得水平方向的异质p‑n结结构。该发明工艺简单，有望扩展诸如氧化镓、氧化铟等氧化物半导体材料的应用。
一种氮化水平结构器件及其制备方法

[发明专利]一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法-CN202010059433.X有效
发明人： 方志来;蒋卓汛;闫春辉;吴征远;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法，通过热氧化生长，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面扩散生长p型氧化镓薄膜，制得的p型氧化镓薄膜载流子浓度为1.0×1011/cm3～1.0×1020/cm3，薄膜表面粗糙度为1nm‑100nm，膜电阻率≤100Ω·cm。该发明提供了一种工艺简单且可重复稳定制备p型氧化镓薄膜的方法，制备的p型氧化镓薄膜氮掺杂含量高、载流子浓度高、迁移率高、电阻率低，提升了p型氧化镓材料的质量，推动了氧化镓材料的产业化进程。
一种掺杂氧化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法-CN201910588240.0有效
发明人： 方志来;闫春辉;蒋卓汛;吴征远;田朋飞;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备方法领域，器件包括：衬底、n型氮化镓沟道层、位于所述n型氮化镓沟道层上或部分嵌入所述n型氮化镓沟道层内的p型氧化镓薄层，源电极、漏电极和栅电极，其中所述p型氧化镓薄层氮掺杂含量为1×1011～1×1018/cm3。通过化学气相沉积法在n型氮化镓沟道层上生长p型氧化镓薄膜，在p‑n结内电场和p型氧化镓空穴的作用下，使得n型氮化镓沟道层中的导电沟道有效关闭，实现对场效应晶体管开关特性的提升。本发明制备的包含p型氧化镓薄层的开关器件方法简单，p型氧化镓层的引入优化了器件的开关特性，降低了待机损耗。
一种包含氧化薄层开关器件及其制备方法

[发明专利]一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法-CN201910776876.8有效
发明人：田朋飞;闫春辉;林润泽;方志来;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法，包括：S1：在GaN基激光器衬底层上制备GaN基激光器、在第一衬底上制备第一AlGaN/GaN HEMT外延片；S2：通过干法刻蚀的方式顺序刻蚀获得激光器台面结构、AlGaN/GaN HEMT转移区、及AlGaN/GaN HEMT台面结构；S3：通过湿法刻蚀的方式去除所述第一AlGaN/GaN HEMT外延片的第一衬底，获得第二AlGaN/GaN HEMT外延片；S4：将所述第二AlGaN/GaN HEMT外延片转移至第二衬底，获得第三AlGaN/GaN HEMT外延片；S5：通过粘附材料键合第三AlGaN/GaN HEMT外延片与GaN基激光器；S6：制备钝化层及电极。本发明避免原有制备方法的隔离性差、安全性低的技术问题，实现了器件系统安全性高、耐高频、耐高压、易批量生产的技术效果。
一种 gan 激光器 algan hemt 集成器件制备方法

[发明专利]一种氧化镓纳米材料转移方法-CN201910229873.2有效
发明人： 方志来;闫春辉;蒋卓汛;吴征远;田朋飞;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，特别涉及纳米材料的分离方法。本发明提供一种氧化镓纳米材料转移方法，包括：在第一衬底上生长氧化镓纳米材料；在第二衬底上生长介质层，所述第二衬底为转移目标层；以特定大小力将第一衬底上的氧化镓纳米材料压合至介质层，将第一衬底层抬起，即可在第二衬底上的介质层表面观测到转移出来的氧化镓纳米材料。本发明操作简单，重复率高，能有效地分离出氧化镓材料生长中所产生的大面积氧化剂纳米片和纳米带，对氧化镓材料表征分析以及氧化镓基器件的制备都有促进作用。
一种氧化纳米材料转移方法

[发明专利]图片处理方法及其系统、应用以及计算机可读存储介质-CN202011364719.5在审
发明人：田朋飞;王振鹏;闫春辉;方志来;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种基于发光单元的图片处理方法及其系统、应用以及计算机可读存储介质，该发光单元与偏压电源连接，其中发光单元用于探测、处理或识别图片，发光单元包括阵列排布的R×C个像素单元，每个像素单元包括M个不同编号的Micro‑LED；该方法包括：获取Micro‑LED的输出光电流；将Micro‑LED的输出光电流输入至神经网络，以产生对应于Micro‑LED的输出光电流的图片的处理结果。通过上述方式，本申请利用Micro‑LED阵列的高光电调制带宽、MIMO可并行通信以及高通信速度特性，构建具有视觉信息的探测、处理和识别功能的神经网络，满足了低功耗、低延迟和高速的图片处理要求。
图片处理方法及其系统应用以及计算机可读存储介质

[发明专利]可见光通信系统、基于二维材料的光电探测器及制备方法-CN202011075258.X在审
发明人：田朋飞;周小洁;袁泽兴;钱泽渊;闫春辉;崔旭高;方志来;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种可见光通信系统、基于二维材料的光电探测器及制备方法，该可见光通信系统包括：发光器件，用于发出可见光信号；光电探测器，设置在发光器件的下游，光电探测器包括由二维材料或二维材料异质结构制备而成的光电探测层，二维材料或二维材料异质结构在可见光波段具有吸收峰，光电探测器用于接收可见光信号；光电转换器，连接光电探测器，用于对光电探测器接收的可见光信号进行光电转换，并将光电转换得到的电压信号作为数字信号输出；解码器，连接光电转换器，对数字信号进行解码处理，以获得可见光信号中所携带的信息。通过上述方式，能够满足可见光通信系统轻便化、柔性化、可穿戴化的发展需求。
可见光通信系统基于二维材料光电探测器制备方法

[发明专利]一种用于双向通信的集成器件及其制备方法-CN202011065496.2在审
发明人：田朋飞;朱世杰;闫春辉;崔旭高;方志来;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种用于双向通信的集成器件及其制备方法。该方法包括：提供第一衬底、第二衬底以及第三衬底；在第一衬底形成第一micro‑LED芯片，并在第一衬底上形成用于放置第二micro‑LED芯片的第一预留区域和用于放置GaN基HEMT的第二预留区域，在第二衬底形成第二micro‑LED芯片，以及在第三衬底上形成GaN基HEMT；去除第二衬底并将第二micro‑LED芯片转移至第一预留区域，去除第三衬底并将GaN基HEMT转移至第二预留区域；建立第一micro‑LED芯片与GaN基HEMT的电连接。通过上述方式，本申请能够结合micro‑LED和GaN基HEMT的优势，开发出高集成度、高效、可靠的半导体集成器件。
一种用于双向通信集成器件及其制备方法

[实用新型]一种垃圾处理用进料装置-CN202020476505.6有效
发明人： 方志来;周先国;刘武 -专利权人：广州环投福山环保能源有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： F23G5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及垃圾处理技术领域，尤其是一种垃圾处理用进料装置，包括外壳，所述外壳的内部安装有第一液压杆，所述外壳与第一液压杆之间通过螺栓固定，将垃圾放置在外壳的内部，垃圾从斜板滑落，避免垃圾到达其他位置，两个压板对垃圾进行挤压，挤压结束后，压板移动带着挡板进行移动，方便垃圾通过通过腔，到达焚烧炉口的内部，第一液压杆一侧的压板将挤压后的垃圾推到焚烧炉口的内部，而第二液压杆底部的压板带着挡板到达圆筒的位置，卡件到达圆筒的内部，使圆筒的内部对卡件进行挤压，卡件缩入挡板的内部而挡板由于重力原因回到原位，方便下次运行，使使用更加方便，有效增加了焚烧速率。
一种垃圾处理进料装置

[实用新型]一种垃圾处理锅炉用除尘装置-CN202020476542.7有效
发明人：钟彪;石峰;方志来 -专利权人：广州环投福山环保能源有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： F23G5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及垃圾处理技术领域，尤其是一种垃圾处理锅炉用除尘装置，包括外壳，所述外壳的内部安装有收集仓，旋转旋转杆，使燃烧仓与收集仓的开口方向相同，移动旋转杆，使旋转杆两侧的连接块卡入顶部的半圆槽的内部，使燃烧仓与收集仓形成距离，垃圾放置在收集仓的表面，由于收集仓的底部存在圆孔，可以增加空气的流动，增加焚烧的速率，且在燃烧仓焚烧的残渣可以通过圆孔到达收集仓的内部，防止灰太多，使焚烧效率降低，焚烧结束后，挤压挤压块，旋转旋转杆，移动旋转杆到达底部的半圆槽，连接块卡入对应的半圆槽的内部，使燃烧仓与收集仓形成一个圆，对灰进行收集，燃烧的更加快，增加焚烧速率。
一种垃圾处理锅炉除尘装置

[发明专利]一种微米级发光二极管芯片及制备方法-CN201910336922.2有效
发明人：田朋飞;闫春辉;周顾帆;方志来;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微米级二极管芯片，包括：第一台面，第二台面，氮化镓层，n‑GaN层，应力释放层，多量子阱发光层，p‑GaN层，第一电极，第二电极，绝缘层，所述第一台面与第二台面尺寸不同。本发明避免原有LED输出光功率小，热膨胀率和晶格常数同GaN失配大的技术问题，实现了在同一块芯片上集成了通信，照明，探测等多种功能的同时，光提取效率高的技术效果。
一种微米发光二极管芯片制备方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 47 条