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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201610009948.2有效
发明人：张冠军;方三军;朱瑜杰;陈思安 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供上部形成台阶状的突出部分的半导体衬底；依次形成栅极介电层、牺牲氮化物层、牺牲氧化层和仅遮蔽突出部分之间部分的第一光刻胶层；依次蚀刻未被遮蔽的牺牲氧化层和牺牲氮化物层，直至露出栅极介电层；去除第一光刻胶层，形成仅遮蔽位于器件源区的突出部分上的栅极介电层的第二光刻胶层；蚀刻未被遮蔽的栅极介电层，直至露出半导体衬底；去除第二光刻胶层，在露出的部分上形成第一氧化层；在牺牲氮化物层的侧壁形成牺牲侧墙；去除牺牲氧化层及未被遮蔽的第一氧化层，以形成开口；形成厚度大于所述开口深度的第二氧化层，以填充所述开口。根据本发明，可以避免牺牲掩膜的残留。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]晶片边缘剥落缺陷源头的清除方法-CN201510181032.0有效
发明人： 方三军;朱瑜杰;陈思安 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶片边缘剥落缺陷源头的清除方法。该清除方法包括：步骤S1，对具有晶片边缘剥落缺陷源头的晶片进行热处理，产生剥落缺陷；以及步骤S2，去除剥落缺陷。该清除方法中，步骤S1先对具有晶片边缘剥落缺陷源头的晶片进行热处理，使剥落缺陷源头掉入晶片的内部成为剥落缺陷；晶片内部的剥落缺陷与晶片的结合力较小，使得剥落缺陷的清除变得容易，所以在步骤S2中采用常规的清除方法就可以将掉入晶片内部的剥落缺陷源头清除。该方法较简便且较容易控制，将可能在金属淀积时掉入晶片内部的剥落缺陷源头有效清除，避免了这些剥落缺陷源头在金属淀积时掉入晶片内部成为剥落缺陷。
晶片边缘剥落缺陷源头清除方法

[发明专利]晶圆良率分析方法和装置-CN201510044709.6有效
发明人：杨健;陈思安;朱瑜杰;方三军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆良率分析方法和装置。其中，晶圆良率分析方法包括：将待测晶圆上待测芯片划分为多个区域，其中，待测晶圆包括多个待测芯片；获取根据预先统计的芯片上多个区域的历史杀伤率，其中，多个区域与历史杀伤率一一对应；将获取的历史杀伤率作为待测芯片上多个区域对应的杀伤率，杀伤率用于表示与杀伤率对应的区域的存在致命缺陷的概率；根据待测芯片上多个区域对应的杀伤率计算待测晶圆对应的致命缺陷率；以及由致命缺陷率计算待测晶圆的良率。通过本发明，解决了现有技术中晶圆的良率计算不准确的问题。
晶圆良率分析方法装置

[发明专利]芯片及其制作方法-CN201510174058.2有效
发明人： 方三军;陈思安;朱瑜杰;徐萍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片及其制作方法。其中该芯片包括：衬底；中间功能区，设置在衬底上，其上设有中间穿透硅通孔，中间穿透硅通孔的内壁上形成有阻挡层，且中间穿透硅通孔中设置有导电层；边缘功能区，设置在衬底上，其上设有边缘穿透硅通孔，边缘穿透硅通孔的内壁上形成有阻挡层，其中，该芯片还包括设置于边缘穿透硅通孔内的介质层。该介质层能避免边缘穿透硅通孔的内壁直接裸露，从而避免缘穿透硅通孔内壁上的阻挡层因外部应力等发生开裂，甚至剥落，进而避免了由于阻挡层剥落造成的颗粒状缺陷以及芯片良率的降低，使得芯片的稳定性得到提高。
芯片及其制作方法

[发明专利]YE在线检测管控方法-CN201410057303.7有效
发明人： 方三军;杨健;陈思安;朱瑜杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种YE在线检测管控方法，依据设定的YE抽样率对经过生产设备之后的半导体产品进行抽样，通过设备缺陷风险等级量化评估手段以确定设备缺陷风险等级，再根据该设备缺陷风险等级，决定所抽样的半导体产品的YE在线缺陷检测优先级，以进行随后的设备缺陷检测，然后依据设备缺陷检测结果的优劣，以调整YE抽样率、YE在线缺陷检测优先级、设备缺陷风险等级量化评估参数、生产设备缺陷检测率。本发明实现了在YE在线缺陷检测中依据每一次的检测结果，进行YE抽样率、YE在线缺陷检测优先级、设备缺陷风险等级量化评估参数、以及生产设备缺陷检测率的优化，提高了YE在线检测机台的检测效率，降低生产机台的缺陷风险。
ye 在线检测方法

[发明专利]电容器的制作方法-CN201310739280.3在审
发明人： 方三军;朱瑜杰;张冠军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种电容器的制作方法，使形成在下电极表面的介质层暴露出一部分下电极，接着在介质层以及暴露出的下电极表面形成上电极，使所述上电极有一部分与下电极相连接，从而保证在形成上电极的时所产生的电荷也能够传导至所述下电极上，使上电极和下电极之间不具有电势差，从而避免了电弧放电缺陷的形成，接着去除上电极和下电极相连的部分即可形成电容器，从而使形成的电容器良率较高，符合要求。
电容器制作方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201310407704.6在审
发明人：张冠军;方三军;朱瑜杰;徐萍;陈思安 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，该制备方法包括提供基底，所述基底上具有一栅极层；对所述栅极层进行离子注入工艺，以形成掺杂栅极层；在所述掺杂栅极层上制备一保护层；进行热退火工艺；去除所述保护层，以露出所述掺杂栅极层。本发明在进行热退火工艺步骤之前，在所述掺杂栅极层上制备一保护层，在进行热退火工艺步骤之后，去除所述保护层，在进行热退火工艺的过程中，所述保护层保护所述掺杂栅极层的表面，防止针形缺陷的产生，从而避免快闪存储器漏电，提高良率。
半导体器件制备方法

[实用新型]晶舟及晶圆存放机构-CN201320061526.1有效
发明人： 方三军;朱瑜杰;陈思安;徐萍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶舟，所述顶盖的两个相对的边缘分别设有一个宽开口和一个窄开口，在所述宽开口和所述窄开口内还设有两个弧形部，每个所述弧形部包括一个圆弧边缘和一个圆弦边缘，两个所述圆弦边缘分别与所述宽开口和所述窄开口连接，所述顶盖在所述晶圆槽上的垂直投影覆盖所述晶圆。本实用新型在顶盖的两侧设置了弧形部，由于所述弧形部在所述晶圆槽上的投影覆盖了晶圆，从而可以利用所述弧形部对最上层的晶圆进行保护，避免了由于宽开口和窄开口而导致的晶圆缺陷，同时，由于其边缘形状为圆弧边缘，也尽可能地保证了最上层晶圆槽上的晶圆所接受到的工艺处理与其他晶圆槽上的晶圆所受到的工艺处理水平是相同的。
存放机构

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