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[发明专利]用于激光约束核聚变常温实验的双楔形对撞靶及制备方法-CN202310989060.X在审
发明人：林祖德;刘景全;王晓林;刘武;文惠敏;尤敏敏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G21B1/19 文献下载
摘要：本发明提供一种用于激光约束核聚变常温实验的双楔形对撞靶及制备方法，对撞靶包括：连接支撑架，为对撞靶提供支撑作用；一对上下呈面对称的楔形约束结构，设于连接支撑架上，一对楔形约束结构形成对撞结构；每个楔形约束结构包括：两个呈预设夹角的约束面，两个约束面之间留有空隙，约束面上设有高Z材料层；聚合物柱状壳，其两端分别与两个约束面连接，聚合物柱状壳提供激光打靶实验材料，聚合物柱状壳具有预设的弯曲弧度，聚合物柱状壳的弯曲方向朝向约束面。本发明的双锥形对撞靶可用于双锥对撞激光约束核聚变常温实验中，满足对聚合物柱状壳的柱面状原材料进行烧蚀、压缩后，进一步进行对撞的需求。
用于激光约束聚变常温实验楔形制备方法

[发明专利]一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽靶及其制备方法-CN202211689342.X在审
发明人：林祖德;刘景全;王晓林;刘武;文惠敏;尤敏敏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G21B1/19 文献下载
摘要：本发明提供一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽靶及其制备方法，该方法包括：通过3D打印工艺制作两个压缩面，两个所述压缩面之间留有间隙并形成预设夹角，形成双面沟槽结构；通过3D打印工艺制作所述双面沟槽结构的支撑结构；于所述双面沟槽结构的外部形成抗压缩涂层；提供聚合物压缩柱状壳，作为压缩及烧蚀层结构；将所述聚合物压缩柱状壳置于所述双面沟槽结构的中部，所述聚合物压缩柱状壳的张口正对所述间隙，将所述聚合物压缩柱状壳的两端分别与两个所述压缩面连接。本发明解决了高精度沟槽靶制备的工艺难题，且使得压缩沟槽间的角度及距离可得到高精度控制，同时具有操作流程简单、成本较低、沟槽支撑体可批量加工的优点。
一种用于激光约束聚变常温实验沟槽及其制备方法

[发明专利]双锥对撞点火中CD-CH复合聚合物球冠及其制备方法-CN202211652770.5在审
发明人：刘景全;阮涛;邵水涵;涂柯俊;文惠敏;林祖德;尤敏敏;王晓林;刘武 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠及其制备方法，制备方法包括：采用微流控方法制备CD聚合物空心球；于所述CD聚合物空心球上沉积一层CH薄膜，形成CD‑CH复合聚合物空心球；采用激光留尾切割的方法对所述CD‑CH复合聚合物空心球进行切割；用端部尖锐的工具沿切割轮廓拨开，将切割后的CD‑CH复合聚合物球冠从所述CD‑CH复合聚合物空心球上剥离，得到双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠。本发明解决了CD‑CH复合聚合物球冠制备中CH层厚度难以精确控制、切割球冠和取样难度大的问题，实现了高精度及可批量制备CD‑CH复合聚合物球冠。
点火 cd ch 复合聚合物及其制备方法

[发明专利]一种多层调制结构聚变调制靶的制备方法-CN202211663038.8在审
发明人：刘景全;杜致远;林祖德;王晓林;刘武;文惠敏;尤敏敏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G21B1/19 文献下载
摘要：本发明提供一种多层调制结构聚变调制靶的制备方法，包括：建立调制靶三维模型，所述调制靶三维模型包括基底层模型和设于所述基底层模型上的多块调制结构层模型，多块调制结构层模型依次排布且存在高度差；根据所述调制靶三维模型，打印所述基底层；根据所述调制靶三维模型，于所述基底层上按序依次打印多块调制结构层；经紫外固化和等离子体表面处理后，得到多层调制结构聚变调制靶。本发明基于3D打印制备分区、分层、多样化的调制结构，并进行等离子体粗糙化处理，具有调制图形精确可控、结构复杂可变、尺寸分辨率高、工艺简单高效和成本低等优点，有助于模拟靶丸表面的多种不均匀因素对聚变点火过程的影响。
一种多层调制结构聚变制备方法

[发明专利]一种CD-CH聚合物复合空心微球及其制备方法-CN202211626278.0在审
发明人：刘景全;涂柯俊;文惠敏;胡之勇;阮涛;林祖德;王晓林;刘武 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种CD‑CH聚合物复合空心微球及其制备方法，所述方法包括：采用微流控方法制备CD微球；所述CD微球依次经旋转固化、清洗、干燥处理，得到CD空心微球；筛选符合预设条件的CD空心微球，通过气相沉积的方式在CD空心微球上制备CH层，得到CD‑CH聚合物复合空心微球。本发明的制备方法具有简单高效、球壳内径和不同层厚度可控、易于批量化的优点，所制备的CD‑CH聚合物复合空心微球适用于惯性约束聚变实验。
一种 cd ch 聚合物复合空心及其制备方法

[发明专利]一种基于离子液体栅的单分子场效应晶体管-CN201611100504.6有效
发明人：郭雪峰;辛娜;贾传成;文惠敏;李明亮;龚瑶 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子液体栅的单分子场效应晶体管。本发明要求保护式A所示化合物中的至少一种在制备分子异质结中的应用以及式A所示化合物中的至少一种在制备单分子场效应晶体管中的应用及由式A所示化合物中的至少一种自组装而得的分子异质结和含有式A所示化合物中的至少一种的单分子场效应晶体管。该单分子场效应晶体管通过施加栅压形成强的离子双电层电场，可以有效地调控分子轨道的能级，从而在单分子器件中实现场效应功能，因而可以在超低温下实现有效的分子轨道能级调控，从而构建出基于新奇的量子输运效应的量子电子器件。
一种基于离子液体分子场效应晶体管

[发明专利]一种掺铒或铒氧的硅基室温通讯波段发光材料的制备方法、该发光材料及硅基激光器-CN201711346430.9在审
发明人：但亚平;文惠敏;何佳晶 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铒(Er)或铒氧(Er/O)的硅基室温通讯波段发光材料的制备方法及由该方法制成的掺铒或铒氧的硅基发光材料。所述制备方法包括以下步骤：步骤a：对单晶硅片实施铒离子注入掺杂或者铒离子和氧离子同时注入掺杂(co‑doping)，获得掺铒或铒氧的硅片；以及步骤b：对所述掺铒或铒氧的硅片进行深冷退火处理，所述深冷退火处理包括升温过程以及快速冷却过程。本发明中掺铒或铒氧的硅基发光材料的制备方法，通过深冷退火技术成功实现了硅基半导体材料在1.53μm波段的高效室温光致发光，为硅发光及硅激光光源的成功制备提供了一种可行的技术手段。整个工艺流程可与CMOS工艺相兼容，具备重要的工业应用价值。本发明还进一步提供了一种基于上述深冷退火工艺的掺铒或铒氧的硅基室温通讯波段激光器。
掺铒制备深冷发光材料通讯波段硅基硅基发光材料退火处理铒离子硅片发光掺杂快速冷却过程硅基半导体硅基激光器单晶硅片工业应用激光光源技术手段升温过程退火工艺退火技术激光器工艺流程室温光氧离子波段兼容成功

[发明专利]一种含二价铁的磁共振成像造影剂-CN201010127558.8无效
发明人：李伟生;陈忠宁;文惠敏 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： A61K49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含二价铁的磁共振成像造影剂。该磁共振成像造影剂化学式为Fe(tpy-ph-CH2-DO3A)2Gd2。该磁共振成像造影剂配体是通过有机溶剂中的液相反应合成得到的，其与二价铁离子形成2∶1的配合物，该配合物能进一步与镧系稀土元素的三价离子配位而获得所需配合物。该磁共振成像造影剂具有较高的弛豫效率。本发明的造影剂除用于磁共振成像诊断外，还可用于X-射线CT或γ闪烁成像诊断技术。
一种二价磁共振成像造影

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