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[发明专利]一种新型刻蚀机晶圆压环-CN202011310568.5在审
发明人：蒋罕琦;陈正权 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开一种新型刻蚀机晶圆压环，包括内环，所述内环内缘面均匀设置有压齿，所述内环和压齿均为高频绝缘陶瓷材质；外环，所述外环为聚酰亚胺外环，且外环与所述内环同心设置在内环外围，所述外环与所述内环固定。本发明内环采用耐刻蚀、但是质量密度较高的陶瓷材质，外环采用质量密度低，耐热性、绝缘性和成型性好的聚酰亚胺材质，即避免高质量压环压碎晶圆，又能够避免晶圆受到刻蚀腐蚀，提高了晶圆压环的使用寿命，降低了耗材成本。
一种新型刻蚀机晶圆压环

[实用新型]一种PIN射频管-CN202020281827.5有效
发明人：严毅琳;马文力;李浩;徐婷;陆婉玥 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体功率器件技术领域内的一种PIN射频管，包括：N型重掺杂衬底，N型重掺杂衬底中部向上延伸有外延层，外延层上方设置有高阻本征层，高阻本征层上方设有P型重掺杂层，N型重掺杂衬底的外延层、高阻本征层和P型重掺杂层共同构成台柱，台柱侧面设有玻璃钝化层，台柱顶面设有氮化硅钝化层，氮化硅钝化层覆盖台柱上表面及台柱与第一钝化层交界处，N型重掺杂衬底背面设有背面电极金属层，氮化硅钝化层正面设有正面电极金属层。该种PIN射频管便于打线封装，同时可靠性较高。
一种 pin 射频

[发明专利]一种用于硅基快恢复二极管芯片的铂金掺杂方法-CN201911283460.9有效
发明人：金银萍;杭圣桥;郁怀东;王源政 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅基快恢复二极管芯片的铂金掺杂方法，包括以下步骤：S1：提升芯片背面的粗糙度形成背面粗糙层，在背面粗糙层的下方生成P+层同时使得芯片背面硼浓度大于芯片正面硼浓度；S2：在背面粗糙层下方积淀厚度为50‑1000μm的铂金金属层；S3：将芯片置入扩散炉管或快速退火炉管中，退火温度设置为1000‑1100℃，退火时间为5秒‑30分钟；S4：去除芯片背面的背面粗糙层和P+层。该种铂金掺杂方法通过提升芯片背面的铂金浓度以及降低芯片正面铂金浓度来降低了高温扩铂金引发芯片正面出现反型的机率，从而有效控制了二极管反向漏电流，因此可以进一步提升铂金扩散的温度以实现Trr＜15ns。
一种用于硅基快恢复二极管芯片铂金掺杂方法

[实用新型]一种肖特基势垒二极管的钝化结构-CN202020150531.X有效
发明人：徐婷;董文俊;刘芬 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体功率器件技术领域内的一种肖特基势垒二极管的钝化结构及其制备方法。本种钝化结构，包括第一金属层、钝化层、第二金属层，第一金属层设置于二极管的势垒层上方并与势垒层接触，钝化层设置于二极管的氧化层上方，钝化层覆盖第一金属层侧面，钝化层还延伸覆盖第一金属层上表面周缘，第二金属层设置于第一金属层上方，第二金属层覆盖第一金属层上表面以及位于第一金属层上方的部分钝化层。本种钝化结构可根据需要灵活调整第一金属层台阶高度，控制金属形貌，防止钝化层形貌异常或开裂等异常；同时能够有效的实现对平面肖特基势垒二极管产品金属与氧化层交界处的保护，增加产品的可靠性和稳定性。
一种肖特基势垒二极管钝化结构

[实用新型]一种夹具-CN201922006566.6有效
发明人：张官星;王鑫;李俊;张龙 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体制造技术领域内的一种夹具。该种夹具，包括夹具尾部，夹具尾部延伸出两片夹臂，两片夹臂前端分别设置有夹头，两片夹臂相对设置且相互之间留有间隙，夹臂侧面设置有挑开部，挑开部用以拉开卡簧。该夹具可以拉开卡簧再夹取硅片，提高工作效率。
一种夹具

[实用新型]一种立式石英管推进器-CN201922094977.5有效
发明人：刘国富 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： B25B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体制造技术领域内的一种立式石英管推进器。该推进器包括内管推进器和外管推进器，内管推进器包括底座一和伸缩件，伸缩件可相对于底座一上下移动，伸缩件上端设置有支撑部，支撑部用以支撑石英管内管底部，外管推进器包括底座二和多个支撑杆，支撑杆可相对于底座二上下移动，支撑杆上端用以支撑石英管外管的法兰面。使用该推进器上升或下降石英舟可以节省人力，提高了石英舟上升或下降过程的稳定性，减少了在生成过程中造成石英舟或人员损伤的可能性；内管推进器和外管推进器结合使用可将石英舟整体上升，内管推进器和外管推进器分开独立使用可分别拆装石英管的内管和外管，方便灵活。
一种立式石英管推进器

[实用新型]一种用于真空下的柔性夹紧装置-CN201921804683.0有效
发明人：黎业机 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体制作设备技术领域，具体涉及一种用于真空下的柔性夹紧装置。包括大压环、小压环和固定件，固定件设置在大压环一端，小压环卡设在大压环和固定件之间，且小压环与固定件之间设置有弹性件，通过弹性件使小压环与固定件之间产生弹性余量。用于解决易碎的砷化镓芯片在真空环境下的流程转运不便，不易实现夹紧及机械夹紧易碎的问题。本实用新型通过对机械夹紧的改进，避免以往机械夹紧装置的硬接触，实现夹紧易碎芯片的柔性接触，减少碎片率，且整体结构简单易实行，对于其他半导体薄片设备具有普适性。
一种用于真空柔性夹紧装置

[实用新型]一种低EMI的VDMOS场效应管-CN201921949773.9有效
发明人：刘芬;王源政;马文力 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体功率开关技术领域内的一种低EMI的VDMOS场效应管。该种低EMI的VDMOS场效应管，包括N+型重掺杂衬底，N+型重掺杂衬底上方生长有N型外延层，N型外延层上方设有N‑型外延层，N‑型外延层上部设有P型重掺杂阱区，P型重掺杂阱区上部设有N型重掺杂源区，N‑型外延层上方设有栅氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅，多晶硅栅上方以及周面方淀积有钝化层，钝化层包覆多晶硅栅和栅氧化层上表面，钝化层以及N型重掺杂源区上方设有正面金属层，正面金属层包覆钝化层和N型重掺杂源区上表面。该种VDMOS场效应管既有开关速度快又有EMI低的特点，大幅提升了VDMOS管的可靠性和稳定性。
一种 emi vdmos 场效应

[实用新型]一种数显压力开关信号转换电路-CN201922499616.9有效
发明人：王波;朱加强 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型属于开关电路信号技术领域，具体涉及一种数显压力开关信号转换电路。包括电源模块和若干转换电路，若干所述转换电路并联连接至所述电源模块，所述转换电路用于将压力信号转换为开关信号,用于监测压力值和检测压力是否在指定的要求范围内。用于解决簧片式压力传感器灵敏度非线性且多次调解后易损坏、而又看不到压力值的问题。本实用新型通过连接在电源模块上的转换电路，将转换电路输入端采集的压力值信号转换为输出端的开关信号输出到后续电路，实现根据压力值的范围接通、关闭，给后续电路一个开关信号，进而才能够判断该压力是否在要求的范围内。
种数压力开关信号转换电路

[实用新型]一种二极管软度测试装置-CN201921653008.2有效
发明人：时福巧;陈荣洲 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体测量技术领域，具体涉及一种二极管软度测试装置。包括开关电源、CPU以及与CPU连接的驱动单元，开关电源一端连接外部电源，另一端连接至驱动单元和CPU，驱动单元还依次连接有电阻R11和MOS管Q3，驱动单元经电阻R11连接至MOS管Q3的栅极，MOS管Q3的漏极依次串接有电感L和直流电源模组，MOS管Q3源极接地，电感L两端并联有相互串联的取样电阻R10和待测二极管。用于解决根据Trr特性测试的装置无法测试出二极管的反向抽出电流曲线特性的问题。
一种二极管测试装置

[发明专利]一种肖特基势垒二极管的钝化结构及其制备方法-CN202010078557.2在审
发明人：徐婷;董文俊;刘芬 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种肖特基势垒二极管的钝化结构及其制备方法。本种钝化结构，包括第一金属层、钝化层、第二金属层，第一金属层设置于二极管的势垒层上方并与势垒层接触，钝化层设置于二极管的氧化层上方，钝化层覆盖第一金属层侧面，钝化层还延伸覆盖第一金属层上表面周缘，第二金属层设置于第一金属层上方，第二金属层覆盖第一金属层上表面以及位于第一金属层上方的部分钝化层。本种钝化结构可根据需要灵活调整第一金属层台阶高度，控制金属形貌，防止钝化层形貌异常或开裂等异常；同时能够有效的实现对平面肖特基势垒二极管产品金属与氧化层交界处的保护，增加产品的可靠性和稳定性。
一种肖特基势垒二极管钝化结构及其制备方法

[实用新型]一种高压射频PIN管-CN201921937447.6有效
发明人：严毅琳;马文力;王源政;徐婷 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体功率器件技术领域内的一种高压射频PIN管。该种高压射频PIN管包括N型重掺杂衬底，N型重掺杂衬底的上方设有高阻本征层，N型重掺杂衬底的下方设有背面电极金属，高阻本征层的上方设有P型重掺杂层，P型重掺杂层、高阻本征层和部分N型重掺杂衬底形成一个三层的柱形体，N型重掺杂衬底的上方还设有钝化层，钝化层包覆柱形体，钝化层在柱形体上面开设有通孔，在P型重掺杂层上方设有正面电极金属，正面电极金属穿过通孔与P型重掺杂层接触。该种高压射频PIN管能够在较大电压区间工作同时生产成本较低。
一种高压射频 pin

[实用新型]一种快恢复二极管-CN201921825958.9有效
发明人：王源政;金银萍;杭圣桥;郁怀东 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体功率器件领域内的一种快恢复二极管。该种快恢复二极管包括N+型硅单晶衬底、N‑型外延层、P+型块和P‑型主结，P+型块具有若干个，N‑型外延层设置于N+型硅单晶衬底上方，P‑型主结设置于N‑型外延层内上方，P+型块设置于N+型硅单晶衬底和N‑型外延层之间，P‑型主结上方设置有正面金属层，N+型硅单晶衬底下方设置有背面金属层。该种快恢复二极管具有极短的反向恢复时间、快速开通和关断能力，同时具有极低的电流振荡和电压过冲，提高了器件的稳定性和可靠性。
一种恢复二极管

[实用新型]一种硅片粘性测试装置-CN201921709244.1有效
发明人：刘国富;蒋罕琦 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体制造技术领域，具体涉及一种硅片粘性测试装置。包括托盘、紧固机构和若干固定机构，固定机构设置在托盘任一面，固定机构用于将待测试硅片固定在托盘上，紧固机构设置在托盘另一面，紧固机构用于将托盘紧固在测试用的行星锅上。用于解决硅片在测试装置中不能较好快速安装且易损坏硅片的问题。本实用新型通过简单托盘装置承载待测硅片，装置整体成本低廉，结构简单，加工方便，同时减少硅片损耗，简化测试流程，便于广泛推广使用。
一种硅片粘性测试装置

[发明专利]一种快恢复二极管-CN201911032944.6在审
发明人：王源政;金银萍;杭圣桥;郁怀东 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件领域内的一种快恢复二极管。该种快恢复二极管包括N+型硅单晶衬底、N‑型外延层、P+型块和P‑型主结，P+型块具有若干个，N‑型外延层设置于N+型硅单晶衬底上方，P‑型主结设置于N‑型外延层内上方，P+型块设置于N+型硅单晶衬底和N‑型外延层之间，P‑型主结上方设置有正面金属层，N+型硅单晶衬底下方设置有背面金属层。该种快恢复二极管具有极短的反向恢复时间、快速开通和关断能力，同时具有极低的电流振荡和电压过冲，提高了器件的稳定性和可靠性。
硅单晶外延层快恢复二极管衬底主结半导体功率器件背面金属层正面金属层电流振荡电压过冲反向恢复快速开通关断