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[发明专利]一种半导体封装器件的自动腐蚀开盖装置-CN202310910761.X在审
发明人：张有鑫;董文俊;李浩;陆志超;徐婷;齐露露 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件开盖技术领域内的一种半导体封装器件的自动腐蚀开盖装置，包括：箱体，内部设置有空腔；操作台，设置于空腔内并将空腔分隔为上腔和下腔，操作台上设置有多个腐蚀槽；腐蚀组件设置于下腔，腐蚀组件与所有腐蚀槽连通，用以向腐蚀槽内注入腐蚀液；清洗组件设置于下腔，清洗组件与所有腐蚀槽连通，用以向腐蚀槽内注入清洗液；控制器，与腐蚀组件和清洗组件电气连接，用以控制腐蚀组件和清洗组件工作；其中，上腔顶部开设有通风孔，通风孔内设置有排气扇。该自动腐蚀开盖装置可以实现自动、方便对封装后的器件进行开盖处理，可以避免人员接触浓酸，及浓酸与封装材料作用时产生的大量有毒气体。
一种半导体封装器件自动腐蚀装置

[发明专利]一种抗单粒子烧毁效应的快恢复二极管芯片及其制备方法-CN202210767073.8有效
发明人：马文力;李浩;杨梦凡 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了二极管芯片技术领域内的一种抗单粒子烧毁效应的快恢复二极管芯片及其制备方法。该种快恢复二极管芯片，包括：从下至上依次设置的重掺杂N型衬底、纵向N型缓冲层、轻掺杂N型外延层和轻掺杂P型保护层；还包括重掺杂P型阱、重掺杂N型阱和横向N型缓冲层，重掺杂P型阱设置于轻掺杂P型保护层内，重掺杂N型阱设置于重掺杂N型衬底上方，重掺杂N型阱设置于轻掺杂N型外延层和轻掺杂P型保护层侧方，横向N型缓冲层设置于重掺杂N型阱和轻掺杂N型外延层、轻掺杂P型保护层之间。该种快恢复二极管芯片通过重掺杂N型阱、横向N型缓冲层结合P型保护层，实现了快恢复二极管芯片抗单粒子烧毁性能的巨大提升。
一种粒子烧毁效应恢复二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种软快恢复二极管及其制备方法-CN202211626241.8有效
发明人：杨梦凡;马文力;李浩 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件技术领域内的一种软快恢复二极管及其制备方法。该二极管包括：N+型衬底，N+型衬底中包含磷原子，磷原子浓度由N+型衬底背面至N+型衬底正面逐渐降低；N型外延层，N型外延层设置于N+型衬底上方；P‑型掺杂区，P‑型掺杂区设置于N型外延层上部；P+型掺杂区，P+型掺杂区设置于P‑型掺杂区上部；其中，N+型衬底和N型外延层中包含铂杂质，铂杂质由N+型衬底背面至N型外延层正面逐渐降低。该二极管反向恢复的软度特性得到了极大地提升，大幅降低在反向恢复最后阶段引起电压过冲的可能，提升了器件的可靠性和稳定性。
一种恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种台面结构快恢复二极管及其制备方法-CN202211631978.9有效
发明人：李浩;马文力;杨梦凡 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种台面结构快恢复二极管及其制备方法。该二极管包括：N型硅衬底；N型外延层，N型外延层设置于N型硅衬底上方；P型注入层，P型注入层设置于N型外延层上方；氧化硅或氮化硅区，氧化硅或氮化硅区设置于P型注入层内；其中，N型硅衬底、N型外延层和P型注入层内均包含铂杂质，铂杂质在氧化硅或氮化硅区富集。该二极管中的铂杂质在氧化硅或氮化硅区富集，相较常规的快恢复二极管，该二极管具有较低的正向导通压降和反向恢复电流；同时该二极管中的氧化硅或氮化硅在硅中稳定性高，从而避免高温热扩散或弛豫效应导致缺陷消失、器件失效的问题，提升了器件的可靠性。
一种台面结构恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种抑制表面漏电流的肖特基势垒二极管-CN202310746090.8在审
发明人：徐婷;董文俊;李浩;齐露露 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种抑制表面漏电流的肖特基势垒二极管，包括：N‑型硅衬底；N‑型外延层，设置于N‑型硅衬底上方；P+保护环，设置于N‑型外延层主表面；势垒金属层，设置于N‑型外延层主表面，且势垒金属层设置于P+保护环的环内；沟槽型电容，设置于N‑型外延层主表面，且设置于P+保护环的外侧，沟槽型电容与P+保护环无接触；二氧化硅层，设置于势垒金属层外侧，且二氧化硅层设置于沟槽型电容上方；正面金属层，设置于势垒金属层上方；背面金属层，设置于N‑型硅衬底下方。该肖特基势垒二极管实现了更好的抑制表面漏电流的能力，能有效解决反向击穿不稳定的问题，提高产品可靠性。
一种抑制表面漏电肖特基势垒二极管

[发明专利]一种半导体换能桥及其制备方法-CN202310078880.3在审
发明人：马文力;李浩;杨梦凡 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： F42C19/08 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件技术领域内的一种半导体换能桥及其制备方法。该半导体换能桥包括：绝缘型衬底；掺杂层，设置于绝缘型衬底衬底上方，掺杂层包括P型轻掺杂区、P型重掺杂区、N型重掺杂区，P型重掺杂区设置于P型轻掺杂区两侧，N型重掺杂区设置于P型重掺杂区两侧；薄氧化层，设置于掺杂层上方；氮化硅层，设置于薄氧化层上方；金属压焊点，设置于氮化硅层上方，金属压焊点下部与N型重掺杂层接触；金属焊接层，设置于绝缘型衬底下方。该半导体换能桥的P型耗尽型器件可向外部提供更高的能量且反向漏电流低、工作寿命长；且其P型重掺杂区位于P型轻掺杂区两侧，从而提高了封装工作效率。
一种半导体换能桥及其制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管芯片及其制备方法-CN202211470523.3在审
发明人：李浩;马文力;杨梦凡 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种快恢复二极管芯片及其制备方法。该芯片包括：N型硅衬底；N型外延层，N型外延层设置于N型硅衬底上方；P型外延层，P型外延层设置于N型外延层上方，P型外延层从下至上依次由P型外延层一、高缺陷薄层和P型外延层二组成，高缺陷薄层包括P型掺杂和N型掺杂；其中，N型硅衬底、N型外延层、P型外延层中均掺杂有铂杂质，铂杂质在高缺陷薄层处富集。由于缺陷处结合能较低，铂杂质会更多地富集在高缺陷薄层附近，导致铂杂质在轴向的非均匀分布，从而使得该二极管芯片具有更小的正向导通压降和更小的反向恢复电流。
一种恢复二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种用于测试离子是否注入的方法-CN202211632211.8在审
发明人：顾万权;韩锋 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种用于测试离子是否注入的方法，包括：获取待测试晶圆；待测试晶圆的表面包括氧化层，氧化层包括注入区域和固定区域，在离子注入过程中，待测试晶圆置于离子注入机的注入靶盘上，固定区域通过固定抓手固定；在完成离子注入后，将待测试晶圆置于酸溶液中进行腐蚀后，在纯水中冲洗并甩干；获取腐蚀完成的待测试晶圆并观察氧化层的颜色，注入区域和固定区域之间存在色差，则待测试晶圆已完成离子注入。本发明基于离子是否注入导致的酸溶液对氧化层腐蚀速率不同的特性，使氧化层的固定区域和注入区域在相同时间下腐蚀的厚度不同，从而呈现不同颜色，避免了破坏性的损伤，降低了测试成本。
一种用于测试离子是否注入方法

[发明专利]一种瞬态电压抑制二极管及其制备方法-CN202211624770.4在审
发明人：董文俊;马文力;徐婷 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种瞬态电压抑制二极管及其制备方法。该二极管包括N型衬底；第一P型掺杂区和第二P型掺杂区间隔设置于N型衬底上部，第一N型掺杂区和第三P型掺杂区间隔设置于第一P型掺杂区上部，第二N型掺杂区设置于第二P型掺杂区的上部，N型衬底上方设置有氧化层一，第一金属层和第二金属层间隔设置于氧化层一上方，第一金属层贯穿氧化层一与第一N型掺杂区和第三P型掺杂区接触，第二金属层贯穿氧化层一与第二N型掺杂区接触。该二极管的阳极和阴极均位于芯片正面，可以实现与其他被保护模块集成在同一个芯片上，同时内形成共阳极结构，可以有效提高器件的浪涌电流和抗静电能力。
一种瞬态电压抑制二极管及其制备方法

[发明专利]一种TiSi势垒的制备方法-CN202211439613.6在审
发明人：徐婷;董文俊;齐露露;卞欣彤;杨梦凡 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种TiSi势垒的制备方法。本方法包括以下步骤：S1:在Si衬底表面低温溅射一层Ti薄膜金属层；S2:在真空环境下进行合金；S3:纯N2气氛中高温快速退火，获得TiSi化合物层；S4:扒除Ti薄膜金属层；S5:在TiSi化合物层上表面溅射一层金属薄膜层，金属薄膜层为铝、铝系合金、铜、铜系合金、钨、钨系合金、镍、镍系合金中的一种；S6:在N2和H2的气氛中进行合金，调整势垒高度；S7:湿法去除金属薄膜层，获得TiSi势垒金属层。本方法通过冷溅工艺溅射Ti结合真空合金制得Ti薄膜金属层，再结合特定金属掺杂调整降低TiSi势垒的势垒高度，从而使得制备的半导体硅器件功耗较低。
一种 tisi 制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管的铂掺杂方法-CN202111332881.3有效
发明人：李浩;马文力;金银萍;王伟;陆阳 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种快恢复二极管的铂掺杂方法，包括以下步骤：在N型硅衬底正面生长氧化层；在氧化层上开设掺杂窗口并注入硼离子形成P型掺杂区，再经退火处理，退火后在P型掺杂区表面形成薄氧化层；在薄氧化层上开设出正面电极的接触孔；在氧化层正面积淀多晶硅形成多晶硅层，多晶硅通过接触孔与P型掺杂区接触；在N型硅衬底背面溅射或蒸发铂金属层。采用该方法制备的二极管芯片具有更短的关断时间、更小的反向过冲电流和更大的软度；同时降低了芯片漏电可能性，提高了芯片的可靠性。
一种恢复二极管掺杂方法

[发明专利]用于获取穿透性台柱的方法和刻蚀结构-CN202211254268.9在审
发明人：张龙;徐大斌 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种用于获取穿透性台柱的方法和刻蚀结构，其中方法包括：S1、在Si外延衬底的正面和背面同时生长一层ONO层，分别为正面ONO层和背面ONO层；S2、在正面ONO层上形成一负胶层，所述负胶层位于所述正面ONO层上表面周缘；S3、在所述正面ONO层上得到台柱刻蚀图形；S4、对所述台柱刻蚀图形进行刻蚀，从上至下依次刻穿正面ONO层和Si外延衬底，形成穿透性台柱；S5、去除背面ONO层。本发明首先在晶圆背面也生长了一层ONO层，借助ICP刻蚀设备Si与SiO2间选择比高的特性，实现了增加晶圆背面支撑的应力的作用；其次晶圆边缘有光刻胶掩蔽形成一圈负胶层，改善了刻蚀后晶圆边缘被刻净，出现崩边导致碎片的问题。
用于获取穿透性台柱方法刻蚀结构

[发明专利]一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法-CN202211071253.9在审
发明人：李怀辉;张龙;杨权;潘东辉 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了快恢复二极管领域内的一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法，包括以下步骤：S1:在N型硅衬底上面生长N‑型外延层，在N‑型外延层上面生长氧化层；S2:通过光刻，在氧化层上开出环区和元胞区，并注入少量的硼离子，再通过退火处理，形成P‑型轻掺杂区；S3:在步骤S2后所得制品上面生长多晶硅形成多晶硅层，对多晶硅层进行重掺杂，通过光刻，去除环区及元胞区上面的多晶硅；S4:在N型硅衬底背面溅射或蒸发一层铂，并进行高温退火；S5:在步骤S4后所得制品正面溅射或蒸发一层的金，并进行二次高温退火。该掺杂方法中可优化快恢复二极管内VF的均一性；得到较优的VF‑Trr曲线；提高快恢复二极管PN结击穿电压。
一种恢复二极管金铂双掺杂方法

[发明专利]一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法-CN202210923562.8在审
发明人：潘东辉;徐林;李俊;王斌 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了快恢复二极管技术领域内的一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法。该金属腐蚀方法，依次包括以下步骤：将光刻后的晶片放置于酸洗花篮中，按常规方式进行初步金属腐蚀处理；将初步金属腐蚀处理后的晶片，浸泡于金属颗粒腐蚀液中，金属颗粒腐蚀液温度为18‑22℃，浸泡时间为50‑70s，浸泡期间持续抖动酸洗花篮，完成二次腐蚀；将二次腐蚀处理后的晶片，冲水、甩干处理后，放置于恒定环境中干燥。该金属腐蚀方法在常规腐蚀的基础上进行二次腐蚀，通过特制的金属颗粒腐蚀液有效的解决了腐蚀后制品表面金属颗粒残留问题，保证制品不会因为金属颗粒问题导致的漏电突变现象。
一种用于恢复二极管金属颗粒腐蚀金属腐蚀方法

[实用新型]一种用于玻璃钝化工艺的工作台-CN202221624604.X有效
发明人：陈年;张龙;徐大斌 -专利权人： 扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体制造技术领域内的一种用于玻璃钝化工艺的工作台，包括：机架，机架前侧开设有操作槽，机架后侧设置有加热板；旋转转盘，旋转转盘位于操作槽内，旋转转盘中心开设有吸气口；驱动电机，驱动电机固接于机架，驱动电机输出轴与旋转转盘传动连接；温度控制器，温度控制器与加热板电连接，温度控制器用以控制加热板温度；转盘控制器，转盘控制器与驱动电机电连接，转盘控制器用以控制旋转转盘的转速，转盘控制器内还设置有气泵，吸气口与气泵通过气路连通。本工作台能够实现玻璃乳浆在晶圆片上均匀覆盖，同时配置有加热板对晶圆片进行加热，使得玻璃钝化操作方便快捷，提高了工作效率，保障了产品质量。
一种用于玻璃钝化工艺工作台

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