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[发明专利]筛选SBAR规则的方法-CN201910914949.5有效
发明人：刘雪强;戴韫青;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及筛选SBAR规则的方法，涉及半导体集成电路中的光学临近效应修正技术，在筛选SBAR规则过程中，首先提供一第一图案，在第一图案周围生成不同SBAR规则，以生成带有不同SBAR规则的第一图案集合；然后生成不同焦点下的光学模型；然后确定最佳的焦点值；然后确定光强的阈值；最后利用最佳的焦点值对应的光学模型对带有不同SBAR规则的第一图案进行仿真，得到带有不同SBAR规则的第一图案的焦深，筛选出焦深大于一第一阈值的带有SBAR规则的图案，将其对应的SBAR规则为备用SBAR规则，如此在筛选SBAR规则的过程中不需要针对多种不同SBAR规则出版掩膜版，不仅可以节省掩膜版和人力物力，同时还可以缩短开发周期。
筛选 sbar 规则方法

[发明专利]鳍式场效应管的刻蚀方法-CN202210973796.3在审
发明人： 戴韫青 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应管的刻蚀方法，提供衬底，衬底上形成有鳍式结构以及覆盖鳍式结构的第一层间介质层，研磨第一层间介质层至鳍式结构的上表面，用以形成叠层；在叠层上形成牺牲层，刻蚀牺牲层以形成mandrel图形，在叠层上形成覆盖mandrel图形的第二层间介质层，刻蚀第二层间介质层形成侧墙，之后去除剩余的牺牲层；在叠层上形成覆盖侧墙的BARC层，在BARC层上形成光刻胶层，之后光刻打开光刻胶层，使得部分BARC层裸露；刻蚀裸露的BARC层及其下方的侧墙；去除剩余的光刻胶层和BARC层，使得剩余的侧墙裸露；以侧墙为掩膜刻蚀其下方的叠层，使得部分鳍式结构被刻蚀去除。本发明在更小线宽的技术不需使用极紫外光光刻机，使用浸润式光刻机即可定义出所需之关键尺寸。
场效应刻蚀方法

[发明专利]栅氧化层的形成方法-CN202210973996.9在审
发明人： 戴韫青 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅氧化层的形成方法，包括：步骤一、对半导体衬底进行预清洗。步骤二、采用HTO工艺沉积在半导体衬底表面沉积第一氧化层。步骤三、进行ISSG工艺对第一氧化层和所述半导体衬底进行退火并在第一氧化层和半导体衬底之间形成第二氧化层，由第一氧化层和第二氧化层叠加形成栅氧化层。本发明能得到较厚的栅氧化层的同时减少栅氧化层的界面缺陷，从而能提高器件的击穿电压和可靠性，能满足中压器件对栅氧化层的厚度和可靠性的要求。
氧化形成方法

[发明专利]改善边缘放置误差的方法-CN202210859062.2在审
发明人： 戴韫青 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种改善边缘放置误差的方法，提供设计版图，对设计版图第一次光学临近修正得到第一光罩图形；其中，第一光罩图形上形成有至少一个片段图形，使得第一光罩图形呈阶梯状，第一光罩图形的第一曝光后轮廓与设计版图间存在第一边缘放置误差；在第一光罩图形存在高度差处插入补偿图形，得到第二光罩图形；根据第二光罩图形得到第二曝光后轮廓，使得第二曝光后轮廓与设计版图间存在的第二边缘放置误差小于第一边缘放置误差。本发明在光罩修正图形中落差较大的两图形之间生成一个阶梯状的图形做为缓冲，曝光产生的轮廓有较小的边缘放置误差(EPE)，并且其轮廓上的波浪现象也减弱。
改善边缘放置误差方法

[发明专利]晶圆曝光机及晶圆曝光方法-CN202010884891.7在审
发明人：童立峰;戴韫青;王剑 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆曝光机以及晶圆曝光方法。所述晶圆曝光机包括识别单元和两个以上曝光平台。其中，所述识别单元用于获取待处理晶圆前次所用曝光平台的标号；根据所述曝光平台的标号，所述晶圆移送至对应的所述曝光平台，以使同一所述晶圆每次曝光使用同一所述曝光平台。通过所述识别单元获取前次所用曝光平台的标号以确定本次选用的曝光平台的标号，从而能够使得所述晶圆的每次选用的曝光平台为同一个，进而降低晶圆因不同曝光平台而导致的曝光误差，大大提高产品性能。
曝光方法

[发明专利]基于计算机辅助设计的晶圆激光标识工艺实现方法及系统-CN201710758627.7有效
发明人：孙天拓;戴韫青;何洪波;马芳;高杏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于计算机辅助设计的晶圆激光标识工艺实现方法及系统，该方法包括:绘制die分布图，明确标识晶圆的shot与die，区分完整die和部分die；在该die分布图中选择需要作为光板角的shot，并设置激光标识的尺寸，计算光板角能否容纳激光标识、损失有效die的数量及激光标识的角度；若当前光板角容纳激光标识的程度和损失有效die的数量都可以接受，则以计算得到的激光标识角度打标；否则返回步骤二，重新设计，通过本发明，可以帮助客户找到合适的光板角，并能确定光板角对应激光标识程式的参数，实现可快速迭代的、虚拟的激光标识工艺开发。
基于计算机辅助设计激光标识工艺实现方法系统

[发明专利]一种减少曝光焦距误差的方法-CN201610924503.7有效
发明人：童立峰;戴韫青;王剑 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少曝光焦距误差的方法，包括：第一步骤：衬底沉积介质层，而且在介质层上依次形成激光反射涂层、底部抗反射层和光刻胶层；第二步骤：利用激光干涉仪来确定晶圆表面的形貌高度。其中，激光反射涂层对于与对准标记的颜色相同的激光具有防止穿透的阻挡效果。
一种减少曝光焦距误差方法

[发明专利]一种突破外观缺陷机台检测极限的方法-CN201610795422.1有效
发明人：马芳;赵彬;王剑;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供了一种突破外观缺陷机台检测极限的方法，包括：第一步骤：对曝光单元进行逻辑分割以建立虚拟曝光单元；第二步骤：将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配，以建立新的检测区域；其中，所述新的检测区域处于外观缺陷机台检测极限之内；第三步骤：将所述新的检测区域中的切割道部分去除，以避免因切割道被扫描而出现虚假缺陷信号；第四步骤：利用外观缺陷检测机台针对所述新的检测区域进行外观缺陷检测。
一种突破外观缺陷机台检测极限方法

[发明专利]套刻精度补正的优化方法及系统-CN201710187899.6有效
发明人：彭翔;戴韫青;王剑 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种套刻精度补正的优化方法及系统，通过对曝光结构进行套刻测量而得到曝光结构中各层之间的套刻精度包括测量第一层曝光图案与理论曝光图案之间的套刻精度；根据当前层所对准的前层曝光机台区分工具和前层所对准的再前层曝光机台区分工具，来优化设计针对不同工艺的跑货路径，并根据套刻偏差和跑货路径计算生成与跑货路径数量相匹配的多套十项补值数据；每套十项补值数据与相应的跑货路径相匹配；将第一层曝光图案与理论曝光图案之间的套刻精度分配到每套的十项补值中，再将每套的十项补值数据进行高阶非线性展开得到高阶非线性模型；利用高阶非线性模型作为套刻精度补值来修正套刻精度，得到修正后的套刻精度。
精度补正优化方法系统

[发明专利]一种套刻精度测量的图像结构及其套刻精度测量方法-CN201410164035.9有效
发明人： 戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种套刻精度测量的图像结构及其套刻精度测量方法，套刻精度测量的图像结构包括：一被测图形，所述被测图形设置有N层的嵌套结构。该套刻精度测量方法，采用所述一种套刻精度测量的图像结构，采用光学显微镜测量套刻精度的设备对所述被测图形进行测量套刻精度以获取第j层与第i层之间套刻精度，所述第j层结构包括当前光刻层和目标层，所述第i层包括目标层，且i大于j。本发明的被测图形可以同时测量当前层与之前一个或多个目标层的套刻精度，采用同一组测量图形，节省测量时间，且可用于之前不同目标层之间的套刻精度测量，减少了芯片生产中套刻精度检测图形所占用的面积。
套刻精度测量图像结构目标层套刻测量光学显微镜测量多个目标精度检测嵌套结构图形设置芯片生产测量套层结构光刻层可用中套占用

[发明专利]去除掩模版上颗粒的装置和方法-CN201711234834.9在审
发明人：何洪波;戴韫青;王剑;赵彬 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除掩模版上颗粒的装置，包括一透明的玻璃箱体，位于该玻璃箱体内的一自动开盒器，该自动开盒器的上端具有与其成一体的掩模版装载架，且掩模版装载架固定连接在玻璃箱体的上端，位于该玻璃箱体一侧且与其密封连接的手套，位于玻璃箱体一侧端的进气口，位于与进气口相对的玻璃箱体另一侧端的出气口。本发明还公开了一种采用所述装置去除掩模版上颗粒的方法。本发明能够有效提高去除掩模版上颗粒缺陷的效率。
去除模版颗粒装置方法

[发明专利]用于多层套刻精度测量的标记系统及量测方法-CN201711394225.X在审
发明人：赵彬;王剑;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种用于多层套刻精度测量的标记系统及量测方法。用于多层套刻精度测量的标记系统包括至少两个以上的套刻标记，各套刻标记均表征不同的光刻层，且所述各套刻标记之间的相对位置已知。用于多层套刻精度测量的标记系统之量测方法，包括，步骤S1在光刻版图中设置标记系统，并通过光刻工艺将套刻标记转移至晶圆上；步骤S2量测机台在套刻标记所在的焦平面对套刻标记拍照获得图像信息，并对图像信息处理，测得图像中两两图形之间的相对偏移值，即为套刻精度值。本发明标记系统不仅具有良好的可扩展性，而且可实现同步量测多层套刻精度，提高生产效率，节约成本。
用于多层精度测量标记系统方法

[发明专利]辅助图形的设计方法、测试版图的制作方法、光刻方法-CN201410217697.8有效
发明人：王坤霞;戴韫青;阎江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了用于线状图形的辅助图形的设计方法、测试版图的制作方法以及光刻方法，根据测试版图的线宽和间距，利用一组公式来计算出辅助图形的位置和尺寸参数，然后将辅助图形插入到目标图形中，经曝光后对比选择最为合适的辅助图形的位置和尺寸参数，从而能够制作出合理的测试版图。本发明基于Rule‑based插入方法对辅助图形的位置和尺寸参数进行优化，避免了现有的model‑based的方法的复杂的运算过程、过长的计算时间和昂贵的模拟成分，加快了后续测试版图的建模速度，提高了工作效率，采用本发明的辅助图形的设计方法得到的测试版图进行光刻工艺，能够提高光刻工艺精度和质量。
辅助图形设计方法测试版图制作方法光刻

[发明专利]具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机-CN201410162785.2在审
发明人：童立峰;戴韫青;王剑 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机，包括：硅片刻号读取装置，设置在硅片入端和具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机的第一曝光平台和第二曝光平台之间；硅片存储装置，用于存储前层曝光机台与当前闲置机台不一致之硅片；第一曝光平台和第二曝光平台，第一曝光平台用于曝光前层曝光机台为第一曝光平台的硅片，第二曝光平台用于曝光前层曝光机台为第二曝光平台的硅片。本发明通过在硅片入端和第一曝光平台和第二曝光平台之间设置硅片刻号读取装置，并根据硅片之刻号信息获得硅片之前层曝光机台信息，以保证后层曝光机台与前层曝光机台一致，不仅提高硅片前后层堆叠对准度，而且改善产品质量，提高产品良率。
具有硅片读取存储装置曝光平台

[发明专利]一种用于光刻胶厚度摆动曲线测试的硅片及制作方法-CN201410260816.8有效
发明人：闵金华;戴韫青;王剑 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光刻胶厚度摆动曲线测试的硅片及制作方法，所述硅片的上表面具有内陷的围绕所述硅片的中心底平面向外侧依次上升设置的若干层回转封闭式台阶，各层所述台阶具有竖直侧墙及水平台面，该硅片可通过建立按从所述硅片的中心向外侧逐次扩大曝光区域来依次进行曝光的若干次曝光、显影的对应扫描程式来制作，将此硅片进行光刻胶涂布后，可以实现在一片测试硅片上采集多个具有不同厚度的光刻胶膜厚数据，只需数个硅片就可以完成建立光刻胶厚度摆动曲线所需的全部测试数据的采集。
一种用于光刻厚度摆动曲线测试硅片制作方法

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