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[发明专利]一种原位还原一浴法制备Ce-BTC衍生CeO2-CN202010533018.3有效
发明人：邓积光;徐郁涵;戴洪兴;刘雨溪;张红红;冯远 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B01J23/63 文献下载
摘要：一种原位还原一浴法制备Ce‑BTC衍生CeO2负载Pd纳米催化剂的方法，属于纳米材料制备领域。首先在容器内先加入二甲基甲酰胺，之后依次加入硝酸铈、均苯三酸以及PdCl2溶液，搅拌1h后将溶液加热至100℃并保持24h，再降至140℃并保持6h，期间保持搅拌。将上述溶液经离心、洗涤、干燥后获得的产物，在空气、氮气气氛中在500‑800℃下焙烧，获得最终的in‑situ xPd‑CeO2催化剂。与传统的两步法负载催化剂相比，本申请的样品具有更好的CO催化氧化性能。本发明的材料具有制备方法新颖简单，工艺可控，比表面积高，贵金属粒径分布窄，优异的CO催化氧化性能等优势。
一种原位还原法制 ce btc 衍生 ceo base sub

[发明专利]一种DCB基板双层同时烧结的方法-CN202211389733.X在审
发明人：祝林;贺贤汉;杜涛;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： F27B21/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种DCB基板双层同时烧结的方法，包括如下步骤：步骤一，将一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在烧结治具的凹形摆放槽内；步骤二，烧结治具的上端摆放有盖板，将另一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在盖板上方；步骤三，进行烧结。本发明实现DCB基板铜箔和陶瓷板的烧结由单层变为上下双层同时烧结，提高了烧结炉烧结产能及生产效率，同时提高了烧结良率。
一种 dcb 双层同时烧结方法

[发明专利]一种用于对二甲苯高效氧化净化的负载型铂锡双金属催化剂-CN202010452923.6有效
发明人：刘雨溪;高如意;戴洪兴;邓积光;张潆心;王宇欣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B01J23/63 文献下载
摘要：一种用于对二甲苯高效氧化净化的负载型铂锡双金属催化剂，属于催化化学与环境化学领域。将PtSn‑c双金属纳米粒子负载到CeO2载体上，经过焙烧后形成PtSn‑c/CeO2催化剂。制备方法为：采用溶剂热法，将乙酰丙酮铂和二水氯化亚锡同时还原，形成Pt3Sn双金属纳米粒子，然后纳米粒子用NaOH腐蚀，得到PtSn‑c纳米粒子，采用吸附法将其负载到CeO2载体上。将负载后的催化剂先在管式炉中550℃焙烧，形成PtSn‑c/CeO2双金属纳米催化剂。本发明所制备的PtSn‑c/CeO2纳米催化剂制备过程简单，对二甲苯的氧化表现出良好的催化活性，在大气污染控制领域具有良好的应用前景。
一种用于二甲苯高效氧化净化负载型铂锡双金属催化剂

[发明专利]一种陶瓷覆铜基板在化学沉银时铜侧壁不上银的方法-CN202110805886.7有效
发明人：徐节召;贺贤汉;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种陶瓷覆铜基板在化学沉银时铜侧壁不上银的方法，陶瓷覆铜基板包括上下设置的铜层以及陶瓷层，铜层上开设有间隙，包括如下步骤:步骤一，丝网印刷油墨层，油墨层包括填充在间隙内的间隙填充层，油墨层还包括覆盖在间隙填充层以及铜层上方的上油墨层；步骤二，预烤；将油墨层烤干，实现油墨层不粘曝光底片；步骤三，采用曝光底片进行一次曝光；曝光底片上设有遮光区域，遮光区域的边缘对间隙的外边缘进行遮挡；步骤四，显影出图形；步骤五，二次曝光，将油墨固化；一次曝光的能量强度低于二次曝光的能量强度。本发明处理后，防止铜侧壁在化银时上银，同时避免了间隙处的油墨在化银时/去膜时溢出污染银面和生产线。
一种陶瓷覆铜基板化学沉银时铜侧壁不上银方法

[发明专利]一种用于增加DCB基板单倒角产品排列数的系统及方法-CN202210521665.1在审
发明人：陈天华;贺贤汉;孙泉;吴春兰;朱锐;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种用于增加DCB基板单倒角产品排列数的系统及方法，包括小枚产品，小枚产品图形为带有一个斜角的长方形，增加DCB基板单倒角产品排列数的方法包括以下步骤：A)、母板尺寸输入；B)、母板图形生成；C)、小枚产品图形生成；D)、小枚产品第一次图形排列；E)、小枚产品第二次图形排列；F)、小枚产品第三次图形排列；G)、小枚产品第四次图形排列；H)、切割。本发明通过小枚产品图形在母板的图形内通过自动复制、翻转、成组的填充及镜像布置的方法，增加了小枚产品在母板上的拼板数量，提高了母板的利用率。
一种用于增加 dcb 基板单倒角产品排列系统方法

[发明专利]一种厚铜箔的预氧化处理方法-CN202110543746.7有效
发明人：祝林;贺贤汉;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C8/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种厚铜箔的预氧化处理方法，铜箔以设置150mm/min～170mm/min之间的速度依次途径预氧化了的三个升温区、四个恒温区以及降温区；三个升温区依次为温度设置在595℃～610℃之间的第一升温区、温度设置在675℃～690℃之间的第二升温区以及温度设置在745℃～760℃之间的第三升温区；四个恒温区的温度设置在790℃～810℃之间。本专利通过上述预氧化参数设置组合，可使厚铜箔经预氧化工艺处理后，使表面充分氧化，从而达到厚铜箔烧结时避免出现大量烧结气泡不良及铜箔无法烧结现象的目的，实现大于0.40mm厚铜箔DBC基板的生产。
一种铜箔氧化处理方法

[发明专利]一种DBC基板上铜箔台阶的制作方法-CN202011520067.X有效
发明人：陈天华;贺贤汉;王斌;戴洪兴;周轶靓;阳强俊 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种DBC基板上铜箔台阶的制作方法，步骤一、在铜箔图形的菲林图纸上需制作台阶的铜箔区域设计密集小方孔；步骤二、将设计有密集小方孔的铜箔图形与铜箔其他图形一起蚀刻，使得密集小方孔下的铜箔区域被蚀刻变成平面形成铜箔台阶平面；铜箔其他图形也同时被一次性蚀刻成型；通过在铜箔图形的菲林图纸上需制作台阶的铜箔区域设计密集小方孔，在同铜箔其他图形一起正常蚀刻后，这些小方孔就可形成台阶，解决了DBC基板焊接芯片区域制成台阶式需通过二次腐蚀的问题，达到提高生产效率、降低成本，同时提高产品良率的目的。
一种 dbc 基板上铜箔台阶制作方法

[发明专利]一种改善AMB基板翘曲的方法-CN202011520040.0有效
发明人：周轶靓;贺贤汉;王斌;孙泉;吴承侃;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种改善AMB基板翘曲的方法，所述AMB基板包括从上至下堆叠的上铜箔层、陶瓷基板以及下铜箔层，所述上铜箔层为图形面侧，所述上铜箔层的左端以及右端均设有长度方向为前后方向的条状图形，所述下铜箔为非图形面侧，所述下铜箔层上刻蚀有凹槽；所述AMB基板呈长方形AMB基板时，所述下铜箔层的左右两侧均刻蚀有从前至后排布的所述凹槽；所述AMB基板呈正方形AMB基板时，所述下铜箔层的左右两侧均刻蚀有从前至后排布的所述凹槽。本专利通过在AMB基板非图形面上设计凹槽，释放其热应力，以平衡图形面的应力，减少基板向铜箔图形面方向的翘曲(凹陷)程度。
一种改善 amb 基板翘曲方法

[发明专利]一种PtRu部分嵌入三维有序大孔Ce0.7-CN201910965273.2有效
发明人： 戴洪兴;裴文波;邓积光;刘雨溪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B01J23/63 文献下载
摘要：一种PtRu部分嵌入三维有序大孔Ce0.7Zr0.3O2的高稳定性催化剂，属于催化化学与纳米科学领域。先以氯铂酸，氯化钌为贵金属源，利用乙二醇还原法合成PtRu纳米粒子溶胶，配置Ce(NO3)3·6H2O和ZrOCl2·8H2O、乙醇、去离子水和PtRu纳米溶胶的前驱液，再将聚甲基丙烯酸甲酯微球硬模板浸渍在前驱液中，经抽滤、干燥和焙烧，制备出PtRu部分嵌入3DOM CZO孔壁的PtRu@3DOM CZO催化剂。本发明催化剂设计和制备方法新颖，产物粒子形貌规整可控，所制得催化剂对甲苯氧化反应表现出良好的催化活性，具有更高的热稳定性和催化稳定性。
一种 ptru 部分嵌入三维有序 ce base sub 0.7

[发明专利]一种DBC基板两面铜箔同时烧结时用的垫板及其制备方法-CN202010966575.4有效
发明人：祝林;贺贤汉;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种DBC基板两面铜箔同时烧结时用的垫板及其制备方法。一种DBC基板两面铜箔同时烧结时用的垫板，包括从上至下依次设置的MgO烧结层、氧化铝溶射层以及SiC陶瓷板；MgO烧结层的厚度为1～10μm；氧化铝溶射层的厚度为15～25μm；SiC陶瓷板的厚度为1mm～5mm。本专利采用SiC陶瓷板作为烧结垫板的基体材料，氧化铝溶射层以及MgO烧结层，可确保垫板不与铜片粘合在一起或在铜片表面留下接触痕迹、或使铜片熔化，同时MgO烧结层不易脱落而污染烧结炉膛，提高了产品的良率和生产效率。
一种 dbc 两面铜箔同时烧结垫板及其制备方法

[发明专利]一种高效催化氧化苯的AuMnOx-CN201910130574.3有效
发明人： 戴洪兴;王甲;邓积光;刘雨溪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：一种高效催化氧化苯的AuMnOx/介孔Fe2O3催化剂的制备，属于功能材料合成领域。首先利用油胺、四氯苯和氯金酸合成均匀单分散的金纳米粒子，然后利用十八烯、油胺和油酸及硼烷叔丁胺还原剂合成AuMn纳米粒子(平均粒径为3.5nm左右)，再采用以九水合硝酸铁为铁源、以甲苯为溶剂的KIT‑6模板法合成meso‑Fe2O3的合成菱方相meso‑Fe2O3，最后将上述制备的AuMnOx纳米粒子负载到meso‑Fe2O3上，在马弗炉中以1℃/min的速率升温并保温，从而制得AuMnOx/meso‑Fe2O3催化剂。将所得催化剂用于苯完全氧化反应，具有优良的催化活性。
一种高效催化氧化 aumno base sub

[发明专利]一种蚀刻液体系及一种氮化铝基板的刻蚀方法-CN202010344070.4有效
发明人：王斌;贺贤汉;欧阳鹏;孙泉;葛荘;戴洪兴 -专利权人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻液体系及一种氮化铝基板的刻蚀方法。所述的蚀刻液体系包括：第一蚀刻液，以质量百分比计，包括1％‑5％氨水、3％‑8％强氧化剂、0.5％～5％络合剂以及余量的水；第二蚀刻液，以质量百分比计，包括1％‑5％碱、2％‑8％过氧化氢以及余量的水。所述的氮化铝基板的刻蚀方法，对焊料结合层的蚀刻分两步进行，第一步使用本发明所述第一蚀刻液对铜银共晶层及氮钛反应层进行刻蚀，第二步使用本发明所述第二蚀刻液对铝钛金属间化合物进行刻蚀。本发明的蚀刻液体系具备高选择性、刻蚀能力强；本发明的刻蚀方法蚀刻效率高、蚀刻品质优良；本发明实现了高导热氮化铝陶瓷基板高效、高精度的刻蚀。
一种蚀刻液体氮化铝基板刻蚀方法

[发明专利]一种高效催化氧化甲苯的三维有序介孔二氧化铈负载Pt-MnOx-CN201910955163.8有效
发明人： 戴洪兴;付晓航;邓积光;刘雨溪;敬林 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： B01J23/656 文献下载
摘要：一种高效催化氧化甲苯的三维有序介孔二氧化铈负载Pt‑MnOx催化剂，属于催化化学与纳米科学领域。首先用KIT‑6模板法制备载体三维有序介孔二氧化铈，以Ce(NO3)3·6H2O为前驱体溶液，乙醇为溶剂；然后用乙二醇还原法制备PtMn纳米粒子，以氯铂酸和乙酸锰为金属前驱体，以含有硼氢化钠的乙二醇溶液为还原剂；最后采用吸附法，将meso‑CeO2载体和PtMn纳米粒子混合搅拌，得到meso‑CeO2负载PtMn双金属催化剂，在空气中经焙烧得到mPt‑nMnOx/meso‑CeO2催化剂。本发明材料新颖，制备工艺简单，产物粒子形貌规整可控，所得催化剂对甲苯氧化表现出良好的催化活性、热稳定性和抗水性。
一种高效催化氧化甲苯三维有序介孔二负载 pt mno base sub

[发明专利]一种利用Au/α-Fe2-CN201911216360.4有效
发明人：邓积光;张红红;戴洪兴;刘雨溪;冯远;徐郁涵 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C07C45/39 文献下载
摘要：一种利用Au/α‑Fe2O3纳米片催化剂将挥发性有机物资源化利用的方法，属于环境保护领域。包括以溶剂热法合成α‑Fe2O3纳米片，利用聚乙烯醇保护的硼氢化钠还原法将Au纳米粒子担载到α‑Fe2O3纳米片上，将Au/α‑Fe2O3纳米片催化剂用于半导体行业中大量排放的挥发性有机物(主要成分是异丙醇和丙酮)的控制，选择性催化氧化异丙醇制丙酮，进而回收利用丙酮。本发明提出的方案为半导体行业VOCs污染控制提供了资源化利用的新途径，具有很强的实际应用价值。
一种利用 au fe base sub

[发明专利]一种高效催化苯氧化的单原子钯钴双金属纳米催化剂-CN201910887856.8有效
发明人： 戴洪兴;侯志全;刘雨溪;邓积光 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：一种高效催化苯氧化的单原子钯钴双金属纳米催化剂，属于功能材料技术领域。将PdCo双金属纳米粒子负载到γ‑Al2O3载体上，随后经过灼烧形成Pd1Co1/Al2O3催化剂。金属钯的负载量为0.4wt％。制备方法为：在二氯苯体系中，采用油相一步热解的方法，将乙酰丙酮钯与八羰基二钴同时热解还原，形成尺寸均一的PdCo双金属粒子，再采用浸渍法将金属粒子负载到Al2O3载体上，Pd负载量为0.4wt％。将负载型催化剂经过800℃水热焙烧烧形成Pd1Co1/Al2O3纳米催化剂。本发明所制备的Pd1Co1/Al2O3纳米催化剂制备过程简单，双金属呈单原子分散，在催化领域具有良好的应用前景。
一种高效催化氧化原子双金属纳米催化剂