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[发明专利]集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法-CN202210387745.2有效
发明人：王兵兵;陈雨璐;崔慧源;周宏;吴翼飞;刘文辉;王洋刚;董祚汝;陈栋;童武林;秦世宏;周扬州;徐方俊鹏;杨绪起;戴小宛;汪泽文;张传胜;王晓东;曹俊诚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
集成多晶表面砷化镓基太赫兹探测器制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110056291.6在审
发明人：黄达;董耀旗;戴小宛;田震 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底包括第一区、第二区以及位于第一区和第二区之间的隔离区；分别位于所述第一区上的第一鳍部、第二区上的第二鳍部以及隔离区上的第三鳍部；横跨所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的栅极结构，所述栅极结构包括：位于所述第一区和部分隔离区上的第一功函数层和位于所述第二区和部分隔离区的第二功函数层，且所述第一功函数层和第二功函数层相接触的界面位于所述第三鳍部的顶部表面。位于所述隔离区上的第三鳍部能够对第一功函数层和第二功函数层之间起到阻挡作用，所述半导体结构的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种背结背接触太阳能电池-CN201611255784.8有效
发明人：孙昀;贾锐;姜帅;陶科;孙恒超;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种背结背接触太阳能电池，包括，基片；复合在所述基片前表面的受光复合层；复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层；所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置；复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体层；设置在所述第二型掺杂半导体层上的第二电极。本发明提出的载流子选择的背结背接触太阳能电池，利用第二型掺杂半导体层载流子选择性的特性，将第二型掺杂半导体层设置于钝化层上作为电池背光面的发射极，而金属直接与发射极电接触。由于发射极具有优异表面钝化、只允许多数载流子纵向输运的载流子选择特性，且具有电池制备工艺简单、成本低的特点。
一种背结背接触太阳能电池

[发明专利]黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法-CN201810233541.7在审
发明人：陶科;贾锐;孙恒超;戴小宛;姜帅;周颖 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本公开提供了一种黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法；其中，所述黑硅纳米PIN光电探测器结构至上而下依次包括：前表面金属电极、前表面减反射膜、前表面氧化硅薄膜、前表面N型重掺区、P型晶体硅衬底、背表面P型重掺区、背表面金属电极；其中，所述前表面N型重掺区采用黑硅纳米结构。本公开黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法，大幅提高了探测器的击穿电压，有利于获得更高的光谱响应度。
光电探测器结构黑硅前表面制备背表面金属电极前表面金属电极光谱响应度氧化硅薄膜击穿电压减反射膜纳米结构背表面探测器衬底

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法-CN201611130606.2有效
发明人：孙恒超;贾锐;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤1)在砷化镓外延片表面制备窗口层，然后在窗口层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；2)在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极，在砷化镓外延片远离窗口层的表面制备背面电极；3)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出窗口层；4)在所述露出的窗口层表面制备石墨烯层；5)在所述石墨烯层表面制备减反层，得到所述石墨烯/砷化镓太阳电池。本发明将石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中，进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率，更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低，工艺简单，有利于产业化应用。
一种石墨砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法-CN201611129480.7有效
发明人：贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤1)将石墨烯转移至砷化镓外延片表面的窗口层表面，形成石墨烯层；2)在石墨烯层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；3)在砷化镓外延片衬底表面制备背面电极，在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极；4)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出石墨烯层，在所述露出的石墨烯层表面制备减反层。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子，提高太阳电池的光电转化效率。
一种石墨砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池-CN201611130595.8在审
发明人：孙恒超;贾锐;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括背面电极；砷化镓外延片；窗口层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置；还包括石墨烯层，所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与窗口层接触；还包括减反层，所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。本发明中，石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中，进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率，更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低，工艺简单，有利于产业化应用。
一种石墨砷化镓太阳电池

[发明专利]一种背结背接触太阳能电池-CN201611259263.X在审
发明人：贾锐;姜帅;陶科;孙恒超;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种背结背接触太阳能电池，包括，基片；复合在所述基片前表面的绝缘介质层；复合在所述绝缘介质层上的掺杂半导体导电层；复合在所述掺杂半导体导电层上的减反射层；复合在所述基片背表面的复合层；复合在所述复合层表面的电极。本发明提出了一种前表面采用层叠隧穿钝化层的背结背接触太阳能电池，在电池的前表面采用掺杂半导体导电层和绝缘介质层的叠层结构，形成了层叠隧穿钝化层，同时提供场钝化和化学钝化的作用，避免了传统工艺中采用扩散掺杂的方法实现场钝化之后再生长钝化层实现化学钝化的工艺，简化了工艺，降低了生产成本。而且相比于传统的前表面钝化工艺，可以使前表面的复合进一步降低，从而提高电池的转换效率。
一种背结背接触太阳能电池

[发明专利]一种背结背接触太阳能电池-CN201611257309.4在审
发明人：贾锐;姜帅;陶科;孙恒超;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种背结背接触太阳能电池，包括，基片；复合在所述基片前表面的复合层；复合在所述基片背表面的隧穿氧化物层；复合在所述隧穿氧化物层上的P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层；设置在所述P型掺杂半导体层上的正电极；设置在所述N型掺杂半导体层上的负电极。本发明提出了一种采用隧穿氧化层钝化接触结构的背结背接触太阳能电池，采用隧穿氧化层钝化接触结构，这种结构避免了金属电极和衬底的直接接触，有效的减小了载流子在金属接触界面的复合，提高了电池的开压；而且由于金属接触不会带来复合的增加，金属接触可以覆盖发射极和背场的绝大部分面积，避免了载流子的横向运输，有利于降低串联电阻，进一步提高电池效率。
一种背结背接触太阳能电池

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池-CN201611129475.6在审
发明人：贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；石墨烯层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极的栅线以外的位置；还包括减反层，所述减反层填充于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与石墨烯层接触。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可以促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子，同时也可以有效地减少正面电极栅线密度和宽度，降低遮光损失，提升短路电流、开路电压。
一种石墨砷化镓太阳电池

[发明专利]一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池-CN201310550504.6无效
发明人：孙云;刘一鸣;戴小宛;夏天宇;蔡鸿琨 -专利权人：南开大学
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池，由栅电极、透明导电层、p型化合物半导体薄膜、n型或p型晶体硅片、n型化合物半导体薄膜、透明导电层和栅电极依次组成并构成叠层结构，其中在n型或p型晶硅片的两面腐蚀有减反织构面，受光面p型或n型化合物半导体薄膜材料禁带宽度>1.7eV，p型化合物半导体薄膜的电子亲和势<3.8eV，n型化合物薄膜的电子亲和势与禁带宽度之和大于>5.5eV。本发明的优点：该太阳电池通过综合选取化合物异质结材料，降低了异质结界面处的复合，有利于太阳电池开路电压提高，能够进一步降低晶硅界面处的少子复合，改善界面载流子输运，增加光生电流，提升太阳电池的光电转换效率。
一种基于晶体材料化合物半导体异质结太阳电池

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