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[发明专利]一种自聚焦透镜激光薄膜光谱特性测试系统及方法-CN202310260200.X在审
发明人： 惠迎雪;张长明;秦兴辉;李婉彤;罗熙;徐均琪;陈智利;阳志强;张进 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种自聚焦透镜激光薄膜光谱特性测试系统及方法，包括：自聚焦透镜入射端镀有点火激光波长增透膜和自检激光波长增透膜；自聚焦透镜出射端镀有点火激光波长增透膜和自检激光波长反射膜；点火激光光源发射的点火激光和自检激光光源发射的自检激光经光纤耦合器入射至自聚焦透镜；点火激光依次透过自聚焦透镜的入射端和出射端进入点火激光光强计和光谱仪；自检激光透过自聚焦透镜的入射端，经过自聚焦透镜的出射端反射后，沿原光路返回至光纤耦合器，并进入自检激光光强计和光谱仪。本发明实现了对自聚焦透镜火工品的点火激光和自检激光光谱的检测，可对自聚焦透镜薄膜进行准确测量。
一种自聚焦透镜激光薄膜光谱特性测试系统方法

[发明专利]一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置-CN202010128429.4有效
发明人：陈智利;刘卫国;惠迎雪;周顺;张进;杨利红;毕倩;唐黎 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置。本发明方法为：1）将待加工的铌酸锂样品固定在离子束刻蚀设备的样品台上，调整使离子束的入射角达到工作角度；调整使离子源的中心与工件中心重合；2）将离子束刻蚀设备抽至高真空，真空度低于2×10‑3Pa；通入高纯度99.999%惰性气体氩气或氙气，利用气体流量计控制气体流量，使工作真空保持在2×10‑2 Pa到8×10‑2Pa；3）设置样品台旋转速度、开启离子源，对铌酸锂样品进行离子束辐照，样品台的转速为6~80转/分钟；4）将辐照后的铌酸锂晶体置于高温炉中进行温度80~350℃，时间0.2~3小时的热处理。本发明利用离子轰击在样品表面诱导形成自组织纳米点畴结构，并且可以通过调控离子束参数来控制所获得的纳米畴结构的特征。
一种离子束辐照制备铌酸锂纳米结构方法装置

[发明专利]一种离子束辐照制备铌酸锂纳米畴结构的方法和装置-CN202010128892.9有效
发明人：杨利红;陈智利;刘卫国;惠迎雪;周顺;张进;费芒芒;毕倩 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子束辐照制备铌酸锂纳米畴结构的方法和装置。其包括以下步骤：1）将待加工的铌酸锂样品固定在离子束刻蚀设备的样品台上，调整使离子束的入射角达到工作角度；调整使离子源的中心与工件中心重合；2）将离子束刻蚀设备抽至高真空，真空度低于2×10‑3Pa；通入高纯度99.999%惰性气体氩气或氙气，利用气体流量计控制气体流量，使工作真空保持在2×10‑2 Pa到8×10‑2Pa；3）开启离子源，对铌酸锂样品进行离子束辐照；4）将辐照后的铌酸锂晶体置于高温炉中进行热处理，其中热处理温度80~350℃，时间0.2~3小时。该方法利用离子轰击在样品表面诱导形成自组织纳米畴结构，并且可以通过调控离子束参数来控制所获得的纳米畴结构的特征。
一种离子束辐照制备铌酸锂纳米结构方法装置

[发明专利]一种磁场增强耦合等离子体加工装置及方法-CN202310223276.5在审
发明人： 惠迎雪;宁克正;沈子茗;宋梓荣;彭雨薇;张进;徐均琪;陈智利;阳志强 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁场增强耦合等离子体加工装置及方法，包括：电容耦合等离子体装置和跑道磁极装置；电容耦合等离子体装置包括上阳极板和下阴极板，上阳极板和下阴极板之间为等离子体工作区域，在上阳极板和下阴极板之间形成电场；跑道磁极装置包括运动装置和安装在运动装置上的跑道磁极，运动装置带动跑道磁极沿平行于下阴极板的平面运动；跑道磁极包括相邻放置的磁极磁性相反的永磁体，形成约束电场中电子的双极性扩散运动的附加耦合磁场。本发明多场耦合调制等离子体的密度、分布及定向漂移，极大地提高了难于加工材料的实际加工效率，也使得中大口径光学元件等离子体快速加工成为可能，同时提升了元件的抗激光损伤能力。
一种磁场增强耦合等离子体加工装置方法

[发明专利]梯度或渐变折射率薄膜的光学常数测量装置及方法-CN201811149497.8有效
发明人：徐均琪;苏俊宏;惠迎雪;李建超;吴慎将;杨利红;李阳;诗云云 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种梯度或渐变折射率薄膜的光学常数的测量装置及方法。所述装置包括真空系统、椭偏参数检测系统、膜厚监控系统和离子源，所述真空系统包括真空室和样品台；所述膜厚监控系统包括石英晶振膜厚仪；所述样品台安装在真空室顶部，离子源安装在真空室底部，离子源的离子束输出口正对样品台设置。测量方法是：先测量梯度折射率薄膜样品的初始椭偏参数，用离子束对薄膜进行减薄，再测量减薄后薄膜的椭偏参数，反复进行减薄、测试步骤，直到薄膜减薄到设定步长以下，即可得到最后一薄层的折射率和消光系数，在此基础上可依次得到其上各薄层的光学常数，最终获得薄膜样品沿厚度方向的光学常数分布，实现梯度折射率薄膜光学常数的测量。
梯度渐变折射率薄膜光学常数测量装置方法

[发明专利]一种点云交变磁流变抛光装置及方法-CN202110873692.0有效
发明人：阳志强;刘卫国;弥谦;郭忠达;李宏;杨利红;巩蕾;王利国;惠迎雪 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种点云交变磁流变抛光装置及方法，包括：工装，平面光学元件，柔性抛光模，柔性抛光模的底端可移动设置在非导磁材料支撑板上，柔性抛光模的顶部与平面光学元件的底面接触；电磁铁磁场源，电磁铁磁场源包括多个阵列设置的电磁铁，多个电磁铁固定在非导磁材料支撑板的底面，相邻两个电磁铁通过铜线串接；本发明采用电磁铁作为励磁源用于驱动柔性抛光模的运动，柔性抛光模受到电磁铁磁场吸引力，就会顺着电磁铁产生磁场的顺序快速移动，进而柔性抛光模与平面光学元件表面具有了相对运动，形成剪切力，达到塑性去除平面光学元件的目的。
一种点云交变磁流变抛光装置方法

[发明专利]一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法-CN201910807901.4有效
发明人： 惠迎雪;刘卫国;张进;徐均琪;边寒寒;杨梦熊;弥谦;陈智利 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法，该方法借鉴了射频磁控溅射镀膜技术中的射频反常辉光放电方式，可形成高密度大面积的等离子体，利用该装置耦合正交磁场的定向移动，可驱动等离子体产生定向的运动，实现光学元件表面由线及面的加工。引入活性气体被电离激发，利用真空系统固有的气体分配器所产生的流导场，引导自由基作用于工件表面，亦会带来材料刻蚀效率的提高。而通过射频电场的参数（如功率等），磁场的参数（如各磁极大小的变化，包括平衡和非平衡模式以及磁极定向移动的速度等），以及气体相关参数（包括气体的种类，流量和压力等），可对等离子体的种类，密度和分布进行精确的调控，实现了光学元件表面的高效率大面积等离子体抛光。
一种口径光学元件等离子体刻蚀方法

[发明专利]一种非球面离子束抛光方法-CN202111526676.0在审
发明人：陈智利;刘卫国;惠迎雪;周顺;张进;陈鹏 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学元件加工技术领域，具体涉及一种非球面离子束抛光方法。是在计算驻留时间时在不同的驻留点处使用不同的去除函数去计算。本发明可在线性三轴离子束加工设备上实现非球面修形，三轴加工系统控制相对较简单，成本低。本发明采用的步骤为：1、测算非球面的初始面形偏差；2、进行去除函数获取实验，获取基准去除函数，根据动态去除函数模型计算动态去除函数链表；3、分配驻留点，规划合适的加工路径；4、根据待加工光学元件的面形参数计算竖直方向的入射角和各驻留点处的方位角；5、计算驻留时间矩阵并生成加工文件，导入修形设备进行实际加工。
一种球面离子束抛光方法

[发明专利]单元素多层红外高反膜及其制备方法-CN201910469617.0有效
发明人：徐均琪;苏俊宏;吴慎将;惠迎雪;梁海锋;李阳;诗云云 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种单元素多层红外高反膜及其制备方法，该膜结构由基底和石墨靶材镀制的多层DLC膜构成，膜系的基本结构为：S/(HL)xH/A，其中S为Si基底，H为高折射率的DLC膜，L为低折射率的DLC膜，x为H和L重复镀制的周期数，A为空气。本发明单元素多层红外高反膜有效提高了机械性能、化学稳定性能高、适用范围广；同时，本发明的制备方法简单，易实现，满足大规模工业化生产的要求。
元素多层红外高反膜及其制备方法

[发明专利]用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法-CN201710291273.X有效
发明人：张进;刘卫国;惠迎雪;周顺;陈智利;秦文罡;赵杨勇 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料测量设备领域，具体涉及一种用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法。本发明是在抛光基底上沉积图形化的绝缘膜层，之后在图形化区域内填充内电极、外电极及引线。当测试半导体薄膜霍尔效应时，内电极上表面与被测薄膜下表面形成欧姆接触，霍尔效应仪探针与外电极接触，外电极和内电极由引线导通。因此可避免霍尔效应仪探针直接与被测薄膜表面接触，实现无损测试。
用于无损检测半导体薄膜霍尔效应及其制备方法

[发明专利]用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法-CN201710521188.8有效
发明人：张进;刘卫国;惠迎雪;周顺;陈智利;秦文罡 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料测量设备领域，具体涉及一种用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法。其在抛光基底上沉积图形化的绝缘层，之后在图形化区域内填充热电阻电极、热电阻、测试电极及引线，电极和引线图形根据Seebeck系数测试要求设计，当测试半导体薄膜Seebeck系数时，被测薄膜沉积在有效区域内，覆盖在引线之上，在两个热电阻电极上连接一大电流电源，热电阻温度由电源电流大小控制，待热电阻温度恒定，探测测温点之间温度差，并采集各个测试电极间的电位差，从而获得材料的Seebeck系数。采用本发明测试Seebeck系数时，既不会由于高温而导致引线失效，也不会使探针与被测薄膜直接接触造成样品损坏，从而推进薄膜Seebeck系数测试设备的商业化应用。
用于测试半导体薄膜贝克系数制备方法

[发明专利]一种数控小工具抛光辅助大气等离子体加工方法-CN201711190715.8有效
发明人：刘卫国;惠迎雪;陈智利;张进;周顺;刘兆丰;赵杨勇 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学元件表面超光滑精密加工技术领域，具体涉及一种数控小工具抛光辅助大气等离子体加工方法。以解决现有大气等离子体加工时，表面次生附着物二次吸附，光学元件表面质量严重下降，加工效率降低的问题。本发明的步骤为开启对称旋转工装上的大气电弧等离子体源喷枪，去除光学元件在前期加工过程中表面缺陷，对光学元件表面进行由点及面的刻蚀抛光，然后开启数控柔性小工具磨头，对光学元件表面进行研磨抛光；同时开启大气电弧等离子体源喷枪和数控柔性小工具磨头，加工原件表面质量；再次开始对被加工元件的上表面加工，所产生的二次附着物被数控柔性小工具磨头研磨去除，多次迭代加工后，完成光学元件的加工。
数控光学元件表面大气等离子体加工小工具磨头电弧等离子体源小工具抛光附着物光学元件喷枪去除精密加工技术表面缺陷对称旋转多次迭代二次吸附加工效率加工元件加工原件刻蚀抛光研磨抛光研磨上表面工装光滑

[实用新型]一种光学元件用抛光装置-CN201821824667.3有效
发明人：阳志强;郭忠达;李宏;李世杰;弥谦;刘卫国;惠迎雪 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种光学元件用抛光装置，可大大降低设备的精度要求，易于实现，加工效率可以得到大幅提高。本实用新型采用的技术方案包括包括抛光头、用于旋转抛光头的旋转组件和用于固定工件的固定器；所述的抛光头为中心设置有通孔的柱状体，其圆周面上的外轮廓线方程与被加工非球面光学元件过顶点的截面线方程一致，抛光头的圆周面上粘接有研磨抛光材料；抛光头通过旋转组件使其旋转，工件通过固定器固定，工件和抛光头的圆周面外轮廓接触。
抛光头本实用新型光学元件抛光装置旋转组件固定器非球面光学元件研磨抛光材料固定工件加工效率降低设备精度要求外轮廓线旋转抛光中心设置截面线外轮廓圆周面柱状体通孔粘接加工

[发明专利]一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法-CN201810297952.2有效
发明人：刘卫国;周顺;葛少博;王泉;惠迎雪;蔡长龙;陈智利;秦文罡;刘欢 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明涉及离子束技术领域，具体涉及一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法。其包括传递室、刻蚀室、溅射沉积室以及设于传递室与刻蚀室，刻蚀室与溅射沉积室之间的插板阀，传递室、刻蚀室和溅射沉积室内设有三者之间传送工件的工件传送装置。以及应用此设备发明的一种抛光方法，其流程为：首先在传递室装载工件，其次在刻蚀室对工件离子束清洗，再次在溅射沉积室对工件溅射沉积一层薄膜层（牺牲层），进而在刻蚀室对工件进行离子束修正抛光，最后通过传递室取出工件，实现光学元件的抛光。
刻蚀溅射沉积传递室抛光离子束刻蚀抛光装置溅射工件传送装置离子束技术离子束清洗传送工件光学元件设备发明薄膜层插板阀离子束牺牲层装载取出室内修正应用

[实用新型]一种薄膜光学常数测量装置-CN201821605889.6有效
发明人：徐均琪;苏俊宏;惠迎雪;李建超;吴慎将;杨利红;李阳;诗云云 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜光学常数的测量装置。为了解决现有技术无法测量梯度或者渐变折射率的问题，本实用新型提供的装置包括真空系统、椭偏参数检测系统、膜厚监控系统和离子源，所述真空系统包括真空室和样品台；所述膜厚监控系统包括石英晶振膜厚仪；所述样品台安装在真空室顶部，离子源安装在真空室底部，离子源的离子束输出口正对样品台设置；所述椭偏参数检测系统由光源、起偏器、波片、检偏器和探测器组成且位于真空室的外部。本装置可以获得薄膜样品沿厚度方向的光学常数分布，实现梯度折射率薄膜光学常数的测量。
真空室薄膜光学常数离子源样品台膜厚监控系统本实用新型测量装置检测系统椭偏参数真空系统渐变折射率梯度折射率薄膜样品测量梯度光学常数石英晶振检偏器离子束膜厚仪起偏器输出口探测器波片正对光源测量外部

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