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[发明专利]半导体装置-CN202110701603.4在审
发明人：佐藤贵洋;中泽安孝;长隆之;越冈俊介;德永肇;神长正美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710788148.X有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;德永肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910045929.9在审
发明人：佐藤贵洋;中泽安孝;长隆之;越冈俊介;德永肇;神长正美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。
氧化物半导体膜晶体管半导体装置氧化物膜多层膜栅极绝缘膜电气特性下表面栅电极高可靠性侧面锐角赋予制造

[发明专利]半导体装置-CN201310572119.1有效
发明人：佐藤贵洋;中泽安孝;长隆之;越冈俊介;德永肇;神长正美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201310631139.1有效
发明人： 德永肇;肥塚纯一;冈崎健一;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性高且具有稳定的电特性的半导体装置。通过以接触于形成有沟道的氧化物半导体膜的上层及下层的方式形成含有一种以上与构成该氧化物半导体膜的金属元素相同的金属元素的氧化物膜，可以使该氧化物半导体膜的上侧界面与下侧界面不容易生成界面能级。另外，通过作为与氧化物半导体膜接触的氧化物膜使用电子亲和能比氧化物半导体膜的电子亲和能小的材料，流过沟道的电子几乎不会迁移至与氧化物半导体膜接触的氧化物膜中，而主要迁移至氧化物半导体膜中。因此，即使形成于氧化物膜的外侧的绝缘膜与氧化物膜的界面存在能级，该能级也几乎不会对电子的移动造成影响。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810788970.0在审
发明人：肥塚纯一;岛行德;德永肇;佐佐木俊成;村山佳右;松林大介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。
氧化物绝缘膜半导体装置氧化物半导体膜多层膜晶体管栅极绝缘膜栅电极化学计量组成覆盖栅电极氧化物膜电特性氧透过电极衬底覆盖制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310511688.5有效
发明人：肥塚纯一;岛行德;德永肇;佐佐木俊成;村山佳右;松林大介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201380028160.0有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;德永肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201210109887.9有效
发明人： 德永肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：目的是提供一种安装有存储器的半导体器件，该存储器可在由无线信号生成的电流值和电压值的范围内被驱动。另一个目的是提供一写多读存储器，可在制造半导体器件之后的任意时间将数据写入该存储器。天线、反熔丝型ROM和驱动器电路形成于绝缘衬底上。在反熔丝型ROM中包括的一对电极中，该对电极中的另一个与驱动器电路中所包括的晶体管的源电极和漏电极也通过同一步骤和相同的材料形成。
半导体器件

[发明专利]包含存储器件的半导体器件及其驱动方法-CN200780039505.7有效
发明人： 德永肇;斋藤利彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种对于写入和读出可利用相同的电压值对存储元件进行操作的存储器件的结构。本发明涉及一种存储器件，其包括存储元件和将施加到存储元件的用于写入(或读出)的电压的极性改变成与用于读出(或写入)的电压的极性不同极性的电路。存储元件包括第一导电层、形成于第一导电层之上的硅膜、以及形成于硅膜之上的第二导电层。存储元件的第一导电层与第二导电层是使用不同的材料形成的。
包含存储器件半导体器件及其驱动方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200780037484.5有效
发明人： 德永肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：目的是提供一种安装有存储器的半导体器件，该存储器可在由无线信号生成的电流值和电压值的范围内被驱动。另一个目的是提供一写多读存储器，可在制造半导体器件之后的任意时间将数据写入该存储器。天线、反熔丝型ROM和驱动器电路形成于绝缘衬底上。在反熔丝型ROM中包括的一对电极中，该对电极中的另一个与驱动器电路中所包括的晶体管的源电极和漏电极也通过同一步骤和相同的材料形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]存储器及半导体装置-CN200810190316.6有效
发明人： 德永肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明“存储器及半导体装置”提供一种存储器，它包括具有第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的硅层的存储元件。所述存储元件可以处于“第一状态”、“第二状态”及“第三状态”。对处于所述第一状态的所述存储元件写入第一数据，结果使第一电极的电位比所述第二电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第二状态。对处于所述第一状态的所述存储元件写入第二数据，结果使第二电极的电位比所述第一电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第三状态。
存储器半导体装置

[发明专利]存储器件以及半导体器件-CN200710100944.6有效
发明人： 德永肇;加藤清 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种存储器件，该存储器件包括使用了有机材料的存储元件，在制造时以外也可以写入数据。本发明的存储器件的特征在于：在存储单元中，在提供有n型杂质区域和p型杂质区域的半导体膜上层叠有第三导电膜、有机化合物、第四导电膜，并且pn结二极管和存储元件串联连接。控制存储单元的逻辑电路由薄膜晶体管构成。将存储单元和逻辑电路同时形成在同一衬底上。与形成薄膜晶体管的杂质区域同时制造存储单元的n型杂质区域和p型杂质区域。
存储器件以及半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610064386.8有效
发明人：乡户宏充;德永肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的在于不用增加步骤数量来获得包含硅化物层的具有高导通电流的晶体管。包括该晶体管的半导体器件包括其中厚度从沟道形成区侧上的边缘增加的第一区和其中厚度比第一区的厚度更均匀的第二区。第一和第二区被垂直于水平线的线分开，该线经过穿过硅化物层的边缘且与水平线形成角度θ(0°＜θ＜45°)的线与硅化物层和杂质区之间的界面交叉处的点，并且第二区的厚度与硅膜的厚度之比为0.6或更大。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610059761.X无效
发明人：磯部敦生;德永肇;山口真弓 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明的目的是通过制造步骤减少了的工艺来制造具有LDD区的细小TFT，并制作具有适合于各个电路的结构的TFT。本发明的另一目的是即使在具有LDD区的TFT中，也确保开态电流。借助于形成其中栅电极下层的栅长度大于栅电极上层的栅长度的双层栅电极，来形成帽形栅电极。借助于利用抗蚀剂凹陷宽度而仅仅腐蚀栅电极的上层，来形成帽形栅电极。此外，硅化物被形成在布线与半导体膜的接触部分中，以便降低接触电阻。
半导体器件及其制造方法

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