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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电阻性存储元件的双回路检测方案-CN201310283721.3有效
发明人： R.J.贝克 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：检测电阻性存储元件的电阻状态的方法和装置包括产生与存储单元的电阻相关的第一电流。在第一检测时间期间把所述第一电流加到第二电流，并且在第二检测时间期间从第三电流减去所述第一电流。利用电容器对所述第一、第二和第三电流进行时间积分，并且利用时钟控制的计数器对所述电容器上的结果电压信号进行计时。然后，使时钟控制的计数器的数字输出的时间平均值与存储单元的电阻相关，从而与电阻性存储元件的电阻状态相关。
电阻存储元件回路检测方案

[发明专利]电阻存储器的AC感测-CN201110340453.5有效
发明人： T·W·沃谢尔 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2004-10-06 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：使用交流感测具有电阻存储元件的存储单元的逻辑状态。存储元件可以在阵列中，且存储装置可包括该阵列和用于读出或感测阵列中每个存储单元的外围电路。外围电路可包括：时钟/控制电路，它提供控制信号，该信号控制何时感测一行存储单元；开关电路，用于接收由时钟/控制电路提供的单元板计数信号和位计数信号、来自存储元件的单元板线信号和位线信号，开关电路产生第一输出信号和第二输出信号，其中第一输出信号和第二输出信号中之一处于电源电压，而第一输出信号和第二输出信号中的另一信号随每个感测操作交变极性；以及比较电路，它接收第一输出信号和第二输出信号，并输出一个对应于存储单元逻辑状态的信号。
电阻存储器 ac 感测

[发明专利]存储器件和基于处理器的系统-CN201110044307.8有效
发明人： J.莫雷;J.巴克 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2003-01-06 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及存储器件和基于处理器的系统。传感放大器读出可编程导体存储单元但不重写该单元的内容。如果可编程触点存储单元具有接入晶体管，则接入晶体管被断开以在预定时间量后把该单元从位线分离。预定时间量足够长，以使该单元的逻辑状态被传输到位线，还足够短，以在传感放大器操作之前把该单元与位线隔离。对于不使用接入晶体管的可编程触点存储单元，可在从传感放大器到隔离晶体管的位线部分和从隔离晶体管到存储单元位线的部分之间串行连接隔离晶体管。通常导通的隔离晶体管在位线开始通过可编程触点存储单元放电时间的预定时间之后被断开，从而在传感操作开始之前把可编程触点存储单元与传感放大器隔离。
存储器件基于处理器系统

[发明专利]具有状态脉冲串输出的同步快闪存储器-CN200910221782.0无效
发明人： F·F·鲁帕瓦尔 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2001-07-27 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：公开了一种具有状态脉冲串输出的同步快闪存储器，同步快闪存储器包括非易失性存储单元的阵列。存储器阵列被排列成行和列，以及可被进一步排列成可寻址的块。数据通信连接被使用来与外部设备(诸如，处理器或其他存储器控制器)进行双向数据通信。存储器可以在一系列时钟周期期间在数据通信连接上输出来自存储寄存器的数据，以提供寄存器数据的脉冲串。存储器可以按照规定的时钟等待时间值提供寄存器数据。寄存器数据可包括状态数据、操作设置值数据、制造识别、和存储器器件识别。
具有状态脉冲输出同步闪存

[发明专利]电阻性存储元件的双回路检测方案-CN200910208891.9有效
发明人： R·J·贝克 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：检测电阻性存储元件的电阻状态的方法和装置包括产生与存储单元的电阻相关的第一电流。在第一检测时间期间把所述第一电流加到第二电流，并且在第二检测时间期间从第三电流减去所述第一电流。利用电容器对所述第一、第二和第三电流进行时间积分，并且利用时钟控制的计数器对所述电容器上的结果电压信号进行计时。然后，使时钟控制的计数器的数字输出的时间平均值与存储单元的电阻相关，从而与电阻性存储元件的电阻状态相关。
电阻存储元件回路检测方案

[发明专利]硫族化物恒流器件及其制造方法与动作-CN201010136481.0有效
发明人： K·A·坎普贝尔;T·L·吉尔顿;J·T·穆尔;J·F·布鲁克斯 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2004-03-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明名称为硫族化物恒流器件及其制造方法与动作，其涉及提供二端恒流器件的方法和装置及其动作。本发明提出一种在至少约700mV的施加电压范围内维持恒定电流的恒流器件。本发明还提出改变和重设恒流器件的恒定电流值的方法，或者通过施加正电位减小恒定电流值，或者通过施加比现行恒定电流的电压范围上限更负的电压，从而重设或增加其恒定电流电平至其初始制造值。本发明还提出将存储器件形成或转变为恒流器件的方法。本发明还提出将恒流器件作为模拟存储器件使用的方法。
硫族化物恒流器件及其制造方法动作

[发明专利]具有多功能选通端子的存储设备-CN200910260401.X无效
发明人： J·S·蔡;T·A·曼宁 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2005-01-11 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种存储设备具有数据收发器、写选通收发器和读选通收发器。数据收发器将输入数据输入存储设备，以及从存储设备接收输出数据。写选通收发器传输输入数据的定时信息。读选通收发器传输输出数据的定时信息。该存储设备也具有用于生成辅助信息的辅助电路。该辅助信息包括与输入数据和输出数据的定时信息不同的信息。该辅助电路使用写和读收发器来向存储设备发送辅助信息和从该设备接收辅助信息。
具有多功能端子存储设备

[发明专利]通过模块上寄存器的主动终止控制-CN200910205838.3无效
发明人： J·W·扬岑 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2003-11-12 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：提供一种方法和装置，用于通过模块寄存器向存储器提供主动终止控制信号来进行存储器中的主动终止控制。模块寄存器监测系统命令总线上的读和写命令。响应检测到读或写命令，模块寄存器对存储器产生主动终止控制信号。存储器根据编程到存储器的一个或多个模式寄存器中的信息接通主动终止。存储器根据编程到存储器的一个或多个模式寄存器中的信息使主动终止在预定时间里保持接通状态。
通过模块寄存器主动终止控制

[发明专利]制造存储栅像素设计的方法-CN200910151184.0无效
发明人： I·佩特里克;洪性权 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种制造具有快门栅结构的像素单元的方法。在光电二极管与第一电荷存储区之间以及第一存储区与浮动扩散区之间分别构建第一和第二电荷势垒。形成全局快门栅以控制电荷势垒，并通过有效地降低第一电荷势垒来将电荷从光电二极管转移到第一电荷存储区。转移晶体管执行操作以通过降低第二电荷势垒来将电荷从第一存储区转移到浮动扩散区。
制造存储像素设计方法

[发明专利]可编程导体随机存取存储器以及向其中写入的方法-CN200910165584.7无效
发明人： G·哈斯 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2002-12-16 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。
可编程导体随机存取存储器以及其中写入方法

[发明专利]用于沟道隔离的斜角注入-CN200910132434.6无效
发明人： H·E·罗德斯;C·穆利 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2004-03-12 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：用于沟道隔离的斜角注入。一种用于像素传感器单元的沟道隔离结构，包括：形成在衬底中的介质材料；以及位于邻近所述高介质材料的至少一个侧壁并与光传感器区域接触的注入区。
用于沟道隔离斜角注入

[发明专利]具有钉扎浮置扩散二极管的图像传感器-CN200910003481.0无效
发明人：洪性权 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2004-09-02 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种除了钉扎光电二极管外还具有钉扎浮置扩散区的图像传感器。该钉扎浮置扩散区增加了传感器用于存储电荷的容量，增加了传感器的动态范围，并且加宽了内景色的强度变化。
具有钉扎浮置扩散二极管图像传感器

[发明专利]多状态存储单元和存储数据状态及形成存储单元的方法-CN200810173894.9无效
发明人： T·L·吉尔顿 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2003-02-05 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：可编程多数据状态存储单元包括由第一导电材料形成的第一电极层、由第二导电材料形成的第二电极层、以及置于该第一和第二电极层之间的第一层金属掺杂硫族化物材料。该第一层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第一和第二电极层电耦合在一起。该存储单元还包括由第三导电材料形成的第三电极层，以及置于该第二和第三电极层之间的第二层金属掺杂硫族化物材料，该第二层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第二和第三电极层电耦合在一起。
状态存储单元数据形成方法

[发明专利]栈式1T-n存储单元结构-CN200810130131.6有效
发明人： H·内亚德;M·西耶迪 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及存储技术和对存储器阵列体系结构的新变化以便包括交叉点和1T-1Cell体系结构的某些优点。通过组合这些设计的某些特征，利用了1T-1Cell体系结构的快速读取时间和高信噪比以及交叉点体系结构的高封装密度的优点。单个访问晶体管16用来读取多个存储单元，其可以在“Z”轴方向上布置的多个存储器阵列层中彼此垂直地向上堆叠。
栈式存储单元结构

[发明专利]具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构-CN200810096766.9有效
发明人： B·A·麦克卢尔 -专利权人： 微米技术有限公司
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构。像素单元具有两个串联电容器，其中每个电容器的电容接近外围电容器的电容，以使串联电容器的有效电容小于每个外围电容器的电容。串联电容器连接到浮动扩散(FD)区，用于在饱和状态期间接收来自FD区的“剩余”电荷。
具有降低工艺变化敏感度成像光电二极管电容器结构

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