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[发明专利]对准标记结构、掩膜板和半导体结构-CN202210266509.5在审
发明人：胡帅;张鹏真;徐陈林;彭熙锦;王梦婷;崔佳森 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于光刻设备的对准标记结构、掩膜板以及半导体结构。所述对准标记结构包括多个主标记，用于实现光刻工艺中的对准；所述多个主标记中的每个主标记包括相互平行且间隔设置的多个对准栅条；以及虚设标记，用于匹配所述光刻设备的尺寸需求；所述虚设标记包括呈阵列间隔排布的多个点状结构。
对准标记结构掩膜板半导体

[发明专利]切割道结构及其形成方法、半导体晶圆及其形成方法-CN202111655885.5在审
发明人：王梦婷;徐陈林;张鹏真;彭熙锦;胡帅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种切割道结构及其形成方法、半导体晶圆及其形成方法。所述切割道结构包括：衬底，所述衬底上包括对准标记区域和位于所述对准标记区域外部的辅助标记区域；对准标记，位于所述衬底上的所述对准标记区域内，所述对准标记用于晶圆对准；辅助标记，位于所述衬底上的辅助标记区域内，所述辅助标记与所述对准标记同层设置，所述辅助标记的结构与所述对准标记的结构不同。本发明提高了所述切割道结构在化学机械研磨工艺之后的表面平坦度，从而降低了后续在键合过程中键合界面出现缺陷的概率。
切割结构及其形成方法半导体

[发明专利]相变存储器的制造方法及相变存储器-CN202011497011.7在审
发明人：刘峻;高王荣;徐陈林 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种相变存储器的制造方法及相变存储器，所述方法包括：提供衬底；在衬底器件区域的第一介质层中形成有由下至上依次层叠设置的第一互连线、第一位线连接部、第一导电线以及存储单元；在器件区域中还形成有第二互连线和第三互连线；形成贯穿第一介质层且延伸至第二互连线的第一凹槽，并形成贯穿第一介质层且延伸至第三互连线的第二凹槽；第一凹槽的开口尺寸小于第二凹槽的开口尺寸；向第一凹槽和第二凹槽中沉积第一导电材料，以在第一凹槽中形成第一字线连接部，在第二凹槽中形成第二字线连接部，且基于第二凹槽的形貌形成第三凹槽；第一字线连接部的顶部与第一介质层的顶表面平齐。
相变存储器制造方法

[发明专利]利用光刻曝光补偿修正晶圆键合对准偏差的方法及系统-CN201910120895.5在审
发明人：朱欢;冯耀斌;吴年丰;彭熙锦;颜柏寒;徐陈林 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用光刻曝光补偿修正晶圆键合对准偏差的方法及系统，所述方法包括如下步骤：获取具有键合图形层的第一待键合晶圆和第二待键合晶圆键合时的对准偏差；提供尚未形成所述键合图形层的第三待键合晶圆和第四待键合晶圆，在所述第三待键合晶圆和/或所述第四待键合晶圆的表面形成层间图形层，在形成所述层间图形层的光刻曝光过程中依据所述对准偏差进行光刻曝光补偿。本发明通过在层间图形层的形成过程中引入光刻曝光补偿，对晶圆键合时键合图形层的对准偏差进行修正，避免了晶圆在键合后因对准偏差导致的电性连接断路等缺陷，提高了产品良率。
键合晶圆对准偏差图形层光刻曝光补偿修正晶圆键合层间光刻曝光过程表面形成层产品良率电性连接断路修正引入

[发明专利]基板烘烤装置-CN201611117363.9在审
发明人：王文杰;王丽;黄书同;王浩;徐陈林 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板烘烤装置，包括顶面开口的加热室、盖设于所述加热室顶部的盖板、设于所述加热室内的加热器以及设于所述加热器上方的热板，所述盖板内表面可拆卸地固定有与所述热板间隔设置的中间盖板。本发明通过在基板烘烤装置的盖板内表面设有中间盖板，基板加热后挥发产生的光阻凝结物不会凝结在盖板内表面，当光阻凝结物达到一定程度需要清洁时，只需要拆下中间盖板进行清洗或更换即可，快捷方便。
烘烤装置