专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种风口小套运行状态的诊断系统-CN202310497688.8在审
  • 徐文轩;李洋龙;武建龙;滕召杰;王喜元;王凤琴;于孟;徐萌;郭宏烈;黄俊杰;焦旭晨 - 首钢集团有限公司
  • 2023-05-05 - 2023-09-01 - C21B7/24
  • 本申请提供了一种风口小套运行状态的诊断系统,其中,所述系统包括:采集模块,用于采集风口小套进水管与出水管冷却水的温度信息和流量信息;处理模块,用于将所述采集模块采集的温度信息和流量信息进行格式转换,计算风口小套进水管与出水管冷却水的温度差和流量差;存储模块,用于存储所述温度差与所述流量差;诊断模块,用于根据所述温度差与所述流量差,诊断所述风口小套的运行状态。本申请解决了在对风口小套运行状态进行诊断时存在误诊断的问题,本申请提出的方案提高了风口小套运行状态诊断的准确性,减少因未及时发现风口漏水而引起的高炉炉况波动,延长了风口小套的寿命,保证了高炉炼铁的高效稳定运行。
  • 一种风口运行状态诊断系统
  • [实用新型]一种非金属板厚度检测装置-CN202320273342.5有效
  • 韩军平;吴旭明;苏金鹏;白海涛;徐文轩;晏佳荣 - 宁夏鑫磊建设工程检测服务有限公司
  • 2023-02-21 - 2023-08-04 - G01B21/08
  • 本实用新型公开了一种非金属板厚度检测装置,涉及厚度检测技术领域,包括支撑组件和测量组件,所述支撑组件的表面与测量组件的内壁螺纹连接,所述支撑组件包括连接螺杆,所述连接螺杆的表面与测量组件的内壁螺纹连接,所述连接螺杆的底部固定连接有连接杆,所述连接杆的表面固定连接有滑轨,所述滑轨的表面且位于连接杆的表面滑动连接有支撑杆。本实用新型通过连接螺杆将测量组件安装,通过滑轨将连接杆从支撑杆内抽出,再拧动双向螺杆一使夹板在导向杆的作用下向心位移,从而将连接杆的进行固定,此时测量组件进行测量,为了让测量的精度更准,同时为了了解整块混凝土楼板厚度是否均匀,只需要拉动把手来使底座下方的滚轮开始旋转。
  • 一种金属板厚度检测装置
  • [发明专利]一种清洗和装配线联动控制系统-CN202111036071.3有效
  • 张喆;刘剑滨;秦晴;徐文轩 - 无锡太湖学院
  • 2021-09-06 - 2023-07-14 - G05B19/418
  • 本发明涉及生产线技术领域,具体涉及一种清洗和装配线联动控制系统;包括数据采集单元、智能控制单元、中央控制系统、服务器和移动终端;本发明配有核心算法模块,中央控制系统能够接收数据采集单元和智能控制单元的数据信息,通过核心算法模块进行计算,生成相应指令,实现智能化控制的效果,达到清洗设备的产能与装配线的产能匹配,来克服现有人工管理的不足,能够在清洗和生产过程中及时发现和解决设备的异常问题,减少由于清洗和装配产能不匹配导致的不良影响,保证生产的质量和生产设备产能的优化运行。
  • 一种清洗装配线联动控制系统
  • [发明专利]一种SiC超结器件-CN202310308535.4在审
  • 邓小川;吴阳阳;李凌峰;李轩;赵汉青;徐文轩;张波 - 电子科技大学
  • 2023-03-27 - 2023-06-27 - H01L29/06
  • 本发明提供一种SiC超结器件,包括:N型衬底、N柱区、P柱区、源电极、栅极沟槽氧化物、超结沟槽结构、超结沟槽氧化物、多晶硅栅、P‑body区、P+接触区、N+接触区、漏电极;本发明所提出的SiC超结器件,通过沟槽刻蚀与离子注入相结合的方式,解决了常规的离子注入工艺或深槽刻蚀填充工艺难以形成理想深度的超结N/P柱结构,即难以获得高深宽比的超结N/P柱结构,即难以实现理想击穿电压‑导通电阻折衷的问题。
  • 一种sic器件
  • [发明专利]集成JFET提升第三象限导通特性的碳化硅MOSFET器件-CN202310227507.X在审
  • 王新中;李轩;娄谦;徐文轩;梁军;岳德武;王卓;张波 - 深圳信息职业技术学院
  • 2023-02-28 - 2023-05-12 - H01L29/78
  • 本发明提供一种集成JFET提升第三象限导通特性的碳化硅MOSFET器件,通过引入自调节耗尽型JFET,实现第三象限单极型导通并消除双击退化效应:阻断状态时,低掺杂N型电流扩展层作为JFET的沟道,该N型电流扩展层被相邻P型基区完全耗尽形成电子势垒,JFET关断以保持低泄漏电流及高击穿电压;正向导通时,N型电流扩展层被相邻P型基区完全耗尽,JFET关断以保持低导通压降;第三象限导通时,漏极电压负向提升克服N型电流扩展层完全耗尽所形成得电子势垒,该电子势垒高度显著低于碳化硅MOSFET体二极管开启电压,JFET开启以保持单极型电子输运。本发明在保证碳化硅MOSFET器件静态及动态参数不产生退化的前提下,有效提升碳化硅MOSFET第三象限导通能力并消除双极退化效应。
  • 集成jfet提升第三象限特性碳化硅mosfet器件
  • [外观设计]带系统恢复重启操作图形用户界面的显示屏幕面板-CN202230555502.6有效
  • 赵廷钊;原生芾;侯尚武;侯振堂;徐文轩 - 河南能源化工集团信息技术有限公司;深信服科技股份有限公司
  • 2022-08-24 - 2022-12-30 - 14-04
  • 1.本外观设计产品的名称:带系统恢复重启操作图形用户界面的显示屏幕面板。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于运行程序和图形信息显示,该显示屏幕面板用于电视、手机、计算机、平板电脑。3.本外观设计产品的设计要点:在于屏幕显示的图形用户界面内容。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1主视图。5.无设计要点,省略设计1~设计2后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图、立体图。6.指定设计1为基本设计。7.图形用户界面的用途:用于系统恢复重启操作;设计1主视图所示界面为主界面,在设计1主视图所示界面中,将光标移动至靠近“恢复出厂设置”的位置,进入设计1界面变化状态图1,在设计1界面变化状态图1中,点击“恢复出厂设置”进入设计1界面变化状态图2;在设计2主视图所示界面中,将光标移动至靠近“立即重启”的位置,进入设计2界面变化状态图1,在设计2界面变化状态图1中,点击“立即重启”进入设计2界面变化状态图2。
  • 系统恢复操作图形用户界面显示屏幕面板

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