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[实用新型]用于紧固件输送的提升式出料机构-CN202321162053.4有效
发明人：高桥林;徐培强;方国华 -专利权人：海宁金捷金属股份有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B65G41/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于紧固件输送的提升式出料机构，属于机械技术领域。它解决了现有技术存在着稳定性差的问题。本用于紧固件输送的提升式出料机构设置于紧固件输出处，包括机架、主动轮、从动轮、传动件和料斗，上述主动轮和从动轮均轴向固连在机架上且主动轮位于从动轮的斜上方，上述传动件包括板体和销轴，上述板体的数量为若干个，相邻两板体通过销轴铰接连接，若干铰接的相邻板体形成上述呈环形的传动件，所述传动件套在主动轮和从动轮上，上述料斗内部为空腔且上端开口，料斗通过弹性锁定结构连接在机架下部且料斗位于主动轮的正下方。本用于紧固件输送的提升式出料机构稳定性高。
用于紧固输送提升式出料机构

[发明专利]用于紧固件生产的切换式工位-CN202211336178.4在审
发明人： 徐培强;高桥林;方国华 -专利权人：海宁金捷金属股份有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于紧固件生产的切换式工位，属于机械技术领域。它解决了现有技术存在着稳定性差的问题。本用于紧固件生产的切换式工位包括机架，还包括驱动件、拨杆和滑杆，上述滑杆水平设置且滑杆与机架之间具有导向结构，滑杆通过导向结构连接在机架上，上述驱动件设置在机架侧部，上述拨杆一端与驱动件连接，拨杆另一端与滑杆活动连接，所述机架顶部具有能与物料板面接触的移动平台，所述移动平台上具有与滑杆平行设置的避让槽，上述滑杆位于避让槽处。本用于紧固件生产的切换式工位稳定性高。
用于紧固生产切换式工位

[发明专利]用于螺栓的间歇式输送组件-CN202211326485.4在审
发明人：高桥林;徐培强;方国华 -专利权人：海宁金捷金属股份有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B65G47/82 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于螺栓的间歇式输送组件，属于机械技术领域。它解决了现有技术存在着稳定性差的问题。本用于螺栓的间歇式输送组件包括机架，还包括基板、连杆组件、推杆、支撑板一和支撑板二，所述基板呈长板状，上述连杆组件连接在基板侧部且连杆组件用于与驱动件连接，所述连杆组件的数量为若干个，若干连杆组件沿基板的长度方向均布设置，上述支撑板一和支撑板二水平的平行设置且两者均固连在机架上，支撑板一上部和支撑板二上部形成用于支撑螺栓侧部的支撑部。本用于螺栓的间歇式输送组件稳定性高。
用于螺栓间歇输送组件

[发明专利]一种折弯机定位装置-CN202211161160.5在审
发明人： 徐培强 -专利权人：启东久恳金属制品有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B21D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种折弯机定位装置，包括加工台，加工台顶部的两侧之间固定连接有龙门架，龙门架内壁的两侧均设置有滑动组件，两个滑动组件之间设置有横板，横板的顶部和龙门架内壁的顶部之间固定连接有液压杆，横板的底部固定连接有折弯块。本发明通过液压杆伸长带动折弯块下移对板材进行折弯的过程中，使得夹持定位组件自动对板材的两侧进行夹持定位，且使得挤压定位组件对板材的顶部进行挤压定位，实现了对板材的自动双重定位，减少了人工操作控制对板材进行定位的步骤，降低了工作人员的劳动强度，提高了工作效率，通过对板材的双重定位有效的提高了板材的稳定性，避免在板材在折弯时发生偏移，提高了板材的折弯效果。
一种折弯定位装置

[发明专利]一种用于新材料加工的加热装置-CN202210627938.0在审
发明人：马超;侯志成;刘效珍;徐培强;贾云龙;王新;姜元好 -专利权人：山东水馨新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-05 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： F26B11/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于新材料加工的加热装置，包括外壳，所述外壳上端面设置有若干加热板，所述加热板上端面中部位置设置有加热槽，所述外壳前端面设置有一对加装直板，所述加装直板头部设置有立板，所述立板顶部设置有横板，所述横板上端面设置有顶部直板，所述顶部直板前后端面对应加热槽位置分别设置有前固定孔与后固定孔。本发明所述的一种用于新材料加工的加热装置，属于新材料加工领域，通过在外壳前方设置加装直板与立板，进而安装横板和顶部直板，利用顶部直板内的上下齿轮板可快速对光纤材料压紧固定，避免光纤材料从加热槽内脱出，配合下方的矩形直板可同步调节上下齿轮板的角度，使其在加热槽内加热更加均匀，提升加热效率。
一种用于新材料加工加热装置

[发明专利]一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202210249010.3有效
发明人： 徐培强;李俊承;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池技术领域，具体涉及一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法，该电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、第一隧穿结、DBR、中电池、第二隧穿结、顶电池和盖帽层；第一隧穿结和第二隧穿结结构相同，均采用渐变隧穿结结构N++Alx1Gay1InP/P++Alx2Gay2As，其中x1、y1的范围为0‑0.51，x2的范围为0‑0.5，y2的范围为0.5‑1。本发明太阳电池采用渐变隧穿结结构，可提升隧穿结的隧穿能力，降低隧穿结两侧的压降，减少隧穿结的吸光能力，提升中电池的电流密度，还可改善隧穿结界面的晶体质量，提高太阳电池产品的稳定性。
一种带有渐变隧穿结砷化镓太阳电池及其制作方法

[发明专利]一种新型砷化镓太阳电池及制作方法-CN202210254513.X有效
发明人： 徐培强;李俊承;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型砷化镓太阳电池及制作方法，属于太阳电池技术领域。所述一种新型砷化镓太阳电池衬底层、于所述衬底层依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、第一DBR层、中电池、第二隧穿结、第二DBR层、顶电池和盖帽层；通过在中电池和顶电池中分别在靠近窗口层一侧采用含Al的组分渐变有源区，可改善因不同材料之间折射率的不同而引起的反射情况，提高太阳光的吸收几率，增加太阳电池对太阳光的吸收，提高太阳电池的光电转换效率和抗辐照性能。
一种新型砷化镓太阳电池制作方法

[实用新型]一种倒置三结太阳电池外延片-CN202220676375.X有效
发明人： 徐培强;董耀进;林晓珊;李俊承;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型为一种倒置三结太阳电池外延片，包括：从下往上依次分布的：GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀截止层、GaInP顶电池、第一隧穿结、GaAs中电池、第二隧穿结、第一组InAlGaAs缓冲层、InGaAs底电池、以及第二组(InAl)GaAs缓冲层；其中，第二组(InAl)GaAs缓冲层包括分段InAlGaAs组分渐变结构和GaAs接触层；第一组InAlGaAs缓冲层的晶格由小到大；第二组(InAl)GaAs缓冲层的晶格由大到小。
一种倒置太阳电池外延

[发明专利]一种提高mini LED键合良率的方法-CN202210260749.4在审
发明人：王克来;李俊承;戴文;陈宝;徐培强;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种提高mini LED键合良率的方法，包括在GaAs衬底上依次生长N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；对P型半导体层进行粗化处理，在粗化面一侧蒸镀一层SiO2；在蓝宝石衬底的光滑一侧蒸镀一层SiO2；将外延片和蓝宝石衬底的SiO2层抛光平整；将二氧化硅溶胶旋涂在外延片的SiO2层表面；将蓝宝石衬底SiO2层与外延片SiO2层对齐，完成键合后，去除GaAs衬底获得。本发明通过将小粒径二氧化硅溶胶旋涂在已抛光的外延片键合层上，可增加键合层表面的平整度，同时起到促进键合的作用，有效增强键合层之间的键合强度，提高键合良率。
一种提高 mini led 键合良率方法

[发明专利]一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202111243885.4有效
发明人： 徐培强;李俊承;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、DBR、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结结构相同，为AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多异质结结构。本发明制作的太阳电池，其隧穿结采用多异质结隧穿结，可明显提高隧穿电流，降低隧穿结处的压降，同时增强隧穿结的辐照性能，改善产品的可靠性。
一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法

[发明专利]一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202111155240.5有效
发明人： 徐培强;李俊承;宁如光;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、InyAlGaAs缓冲层、第一组DBR、第一子电池、第二隧穿结、第二组DBR、第二子电池、第三隧穿结、AlGaInP顶电池；所述第一子电池由InxAlGaAs背电场，InxGaAs基区，分段式量子点InxGaAs发射区及第一AlInP或GaInP窗口层组成；所述第二子电池由InxAlGaAs背电场，InxAlGaAs基区，分段式量子点InxAlGaAs发射区及第二AlInP或GaInP窗口层组成；所述AlGaInP顶电池由AlGaInP背电场、GaInP基区、GaInP发射区及IZO窗口层组成。本发明制作的正向四结砷化镓太阳电池，电流密度得到大幅提升，光电转换率高、稳定性好。
一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法

[发明专利]一种具有亚波长抗反射光栅mini LED的制作方法-CN202111251081.9在审
发明人：李俊承;赵敏博;白继锋;徐培强;潘彬;王向武;熊珊 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有亚波长抗反射光栅mini LED的制作方法，包括以下步骤：外延片的生长、表面粗化处理、表面沉积SiO2、表面化学机械抛光、表面活化和键合、去除原有GaAs基板、台面制作、P电极制作、N电极制作、隔离道蚀刻、钝化隔离、接触孔蚀刻、焊盘制作、蓝宝石减薄和抛光、临时键合、蒸镀SiO2薄膜、光栅制作、解除临时键合、切割和劈裂。本发明通过在mini LED出光面制作亚波长抗反射光栅，只需要蒸镀单层膜，工艺流程大大简化，在保障较高出光效率的情况下，工艺操作更方便；本发明应用临时键合技术，保证基板减薄的情况下，提高了成品率。
一种具有波长反射光栅 mini led 制作方法

[发明专利]一种GaAs衬底mini-LED芯片及制作方法-CN202111189547.7在审
发明人：王克来;徐培强;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体LED技术领域，具体涉及一种GaAs衬底mini‑LED芯片及制作方法。芯片包括由下至上依次设置的绝缘层、GaAs衬底层、N型半导体层、量子阱层和P型半导体层；所述绝缘层远离所述GaAs衬底层一侧的表面设置有N电极和P电极；所述绝缘层远离所述GaAs衬底层一侧的表面设置有贯穿所述绝缘层、所述GaAs衬底层、所述N型半导体层和所述量子阱层的通孔，所述通孔内填充金属材料使得所述P电极和所述P型半导体层电连接。由于在制作mini‑LED过程中不需要将外延片与其他衬底键合然后将GaAs衬底去除，极大的简化了芯片制作流程，提高了产品良率，降低了生产成本。
一种 gaas 衬底 mini led 芯片制作方法

[实用新型]一种带栅线欧姆接触结构的反极性芯片-CN202120649056.5有效
发明人：王克来;徐培强;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种反极性芯片，尤其涉及一种带栅线欧姆接触结构的反极性芯片。一种带栅线欧姆接触结构的反极性芯片，N‑GaAs层被蚀刻成互相具有间隔的栅线交错分布在整个所述N‑AlGaInP层上。该反极性芯片将GaAs层制成栅线结构，有效的降低了GaAs层的覆盖面积，减弱了GaAs层对有源区发射光的吸收；与N面电极直接连接的栅线的厚度较厚，增大了接触面积，实现了金属电极与外延层的欧姆接触；栅线交错分布在整个所述N‑AlGaInP层上，可以有效的将电流扩散到整个芯片，提高芯片的亮度。
一种带栅线欧姆接触结构极性芯片

[发明专利]一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法-CN202110438714.0有效
发明人： 徐培强;王克来;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、多反射中心布拉格反射镜、中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层，其中，多反射中心布拉格反射镜，反射镜由n组交替生长的AlGaInP层和GaInP层组成，通过设计一种新型光谱反射结构，在保证电池结构对入射光足够吸收的情况下，减薄电池区厚度，降低载流子复合几率，提高太阳电池的开路电压及抗辐照性能。
一种辐照高效砷化镓太阳电池制备方法

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