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[发明专利]一种金刚石表面复杂结构及其制备方法-CN201910526899.3有效
发明人：黄翀;彭琎 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石表面复杂结构及其制备方法，本发明使用黄光、纳米压印、镀膜、Lift‑off等微纳加工方法结合抛光磨平工艺在金刚石表面制备多层结构作为掩模板，然后利用多层结构掩模板进行刻蚀，能得到多层复杂金刚石结构。由于本发明是以在金刚石表面制备得到多层同一材料或不同材料的掩膜图形结构为掩膜板，因此针对金刚石表面多层不同材料的掩膜，可采用相同或不同的刻蚀工艺进行干法刻蚀，最终还能够制备出多层的金刚石表面复杂结构。
一种金刚石表面复杂结构及其制备方法

[实用新型]一种涂层工具清洗装置-CN202120393746.9有效
发明人：彭琎;张磊;钟文森 -专利权人：深圳戴尔蒙德科技有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种涂层工具清洗装置，包括工作台，所述工作台的一侧固定连接有两个固定板，两个所述固定板的一侧开设有第一通孔，两个所述固定板在第一通孔处转动连接有同一个双头螺纹杆，所述双头螺纹杆的外壁螺纹连接有两个螺纹块，所述工作台的一侧固定连接有两个竖板，两个所述竖板的一侧固定连接有同一个箱体，所述箱体的一侧内壁固定安装有电机，所述电机的输出轴上一端固定连接有往复丝杆，所述往复丝杆的外壁螺纹连接有往复丝杆副。相比较现有装置而言，本实用新型通过设置了双头螺纹杆、往复丝杆、插槽、插杆、扭簧，该装置结构简单合理，设计巧妙，方便清洗，且造价成本低，发生故障时易维修维护。
一种涂层工具清洗装置

[实用新型]一种高硬度涂层拉丝模-CN202120393922.9有效
发明人：唐荀;彭琎;钟文森 -专利权人：深圳戴尔蒙德科技有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B21C3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高硬度涂层拉丝模，包括主体，所述主体顶端外部固定连接有滑轨，所滑轨外部滑动连接有滑块，所述滑块顶端外部固定连接有伸缩柱，所述伸缩柱因此额外部开设有第一通孔，所述伸缩柱在第一通孔内部通过螺纹转动连接有螺栓，伸缩柱顶端外部固定连接有电机，电机一侧输出端上固定连接有若干个支杆。相比较现有装置而言，本实用新型通过利用电动推杆机驱动支杆拉铁丝，可以不使用人工拉铁丝，能够减轻劳动力提高产率，通过设置双头螺纹螺纹丝杆转动，利用第一螺母和第二螺母往拉丝模方向移动，利用夹块将拉丝模固定夹持，避免在拉铁丝时，拉丝模在半圆凹槽中缓动，通过设置橡胶套，可以保护铁丝避免支杆损坏铁丝。
一种硬度涂层拉丝

[发明专利]一种金刚石表面结构及其制备方法-CN201811562083.8有效
发明人：黄翀;彭琎 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石表面结构及其制备方法，其中制备方法是一种以在金刚石表面制得的非金属图形结构作为掩模板；然后利用与金刚石结合紧密的非金属图形结构通过化学气相沉积法生长金刚石，金刚石填充满非金属图形结构间的空隙；将生长完金刚石的样品进行磨平抛光，使生长的金刚石上表面与非金属上表面平齐，去除非金属图形结构，制得金刚石表面结构的方法。具体包括步骤：(1)涂胶、光敏材料图形化；(2)镀非金属膜；(3)Lift‑off；(4)CVD法生长金刚石；(5)膜片抛光；(6)去除非金属，得到金刚石表面结构。本发明方法制得的金刚石表面结构顶面平整，可通过重复实施制备得到两层或多层的复杂金刚石表面结构。
一种金刚石表面结构及其制备方法

[发明专利]一种带悬臂结构金刚石及其制备方法-CN201910941388.8有效
发明人：黄翀;彭琎 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种带悬臂结构金刚石及其制备方法，方法包括：在金刚石表面沉积非金属材料；对金刚石结构表面进行磨平、抛光处理；在光滑金刚石结构制备掩膜层，然后在掩膜层金刚石面生长金刚石；然后激光切割、磨抛；并去除掩膜层及填充材料，得到悬臂结构金刚石。制备方法制备的悬臂结构金刚石，应用于芯片中，具有非常高的灵敏度和可靠性。
一种悬臂结构金刚石及其制备方法

[发明专利]一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列及其制备方法-CN201610858458.X有效
发明人：夏凯;吴天准;孙滨;曾齐;彭琎 -专利权人：深圳市中科先见医疗科技有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： A61B5/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有氧化铱/铂纳米柱复合涂层，所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层包括依次设置于所述电极表面的铂纳米柱层和氧化铱层。该微电极阵列以氧化铱/铂纳米柱复合涂层为表面修饰层，该表面修饰层与微电极基底的结合力较好，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，从而有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时该表面修饰层具有良好的生物相容性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列的制备方法。
一种氧化纳米复合涂层修饰微电极阵列及其制备方法

[发明专利]一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移的方法及生长方法-CN201910942587.0在审
发明人：黄翀;彭琎;彭国令 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及制造金刚石领域，尤其涉及一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移方法及生长方法。一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移方法，包括步骤：S10、处理衬底，打磨衬底上表面，使所述衬底上表面粗糙化；S20、将籽晶放在所述衬底上，将放了籽晶的衬底加热到第一温度阈值；S30、将加热处理后的衬底和籽晶放入MPCVD设备中，采用密排方式排列籽晶；S40、准备生长金刚石。本发明提供的一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移方法，在使用过程中能够达到以下效果：1、能够在不对衬底进行额外加工的前提下，有效避免籽晶漂移。2、籽晶采用密排方式排列，间隔的减少，不仅可以避免籽晶漂移，也能在有限面积内放下更多籽晶，同时可以提高籽晶温度均匀性。
籽晶漂移金刚石衬底生长衬底上表面密排温度均匀性衬底加热加热处理粗糙化打磨放入加工制造

[发明专利]一种MPCVD设备基片台控温装置及方法-CN201811191479.6在审
发明人：黄翀;彭琎 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种MPCVD设备基片台控温装置，包括位于中心的圆形基片台和多个同心环形基片台，所述圆形基片台和多个同心环形基片台间具有相同的中心轴，相邻基片台的间隔距离为1mm‑10mm，每个基片台配置单独的冷却水路，所述冷却水路可通过控制通入冷却水的流速、流量，控制基片台的冷却速度。通过控制基片台的温度，调节控制金刚石生长过程中基底的温度，进而在金刚石沉积过程中控制基板温度。在金刚石生长过程中，通过控制散热对金刚石表面温度进行控制，使沉积过程中各颗金刚石表面温度接近，这样，同一批次生产的金刚石的生长速率以及品质一致，有利于批量生产。
基片台金刚石生长过程金刚石表面控温装置冷却水路同心环形圆形基片金刚石沉积过程间隔距离控制基板相邻基片金刚石冷却水中心轴散热沉积基底冷却生产生长配置

[发明专利]一种MPCVD设备控温装置及方法-CN201811192174.7在审
发明人：黄翀;彭琎 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种MPCVD设备控温装置，包括多个基片台，相邻基片台的间隔距离为1mm‑10mm，每个基片台配置单独的冷却水路，所述冷却水路为常规冷却水路设计，所述冷却水路可通过控制通入冷却水的流速、流量，控制基片台的冷却速度。通过控制基片台的温度，调节控制金刚石生长过程中基底的温度，进而在金刚石沉积过程中控制基板温度。在金刚石生长过程中，通过控制散热对金刚石表面温度进行控制，使沉积过程中各颗金刚石表面温度接近，这样，同一批次生产的金刚石的生长速率以及品质一致，有利于批量生产。
冷却水路基片台金刚石生长过程金刚石表面控温装置金刚石沉积过程金刚石间隔距离控制基板相邻基片冷却水散热基底沉积冷却生产生长配置

[发明专利]一种高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法-CN201711467337.3在审
发明人：曾凡初;黄翀;彭琎 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，先对金刚石进行光刻图形化；再对金刚石进行真空镀膜处理，在金刚石表面及光刻胶表面沉积金属层；通过Lift‑off工艺剥离光刻胶及光刻胶表面的金属层，留下直接沉积在金刚石表面的金属层；对留下的金属层进行化学电镀处理，在该金属层的基础上获得电镀加厚层，其中，所述电镀加厚层相对于金刚石具有良好的刻蚀选择性；对金属层周侧的金刚石表面进行等离子体刻蚀，然后去除电镀加厚层和金属层，获得金刚石微纳米结构。本发明通过增加金属掩膜厚度，并通过对金属镀层材质的合理选择、设计，提升金属层与金刚石表面的结合强度，可制备出高深宽比的金刚石微纳米结构；整个工艺步骤简单、制备成本低、可批量生产。
金刚石金属层金刚石表面微纳米结构高深宽比电镀加厚层光刻胶表面制备等离子体刻蚀化学电镀处理真空镀膜处理沉积金属层刻蚀选择性工艺步骤光刻图形金属镀层金属掩膜直接沉积光刻胶去除制作剥离生产

[发明专利]一种铂纳米柱修饰的微电极阵列及其制备方法-CN201610460562.3在审
发明人：夏凯;吴天准;孙滨;曾齐;彭琎 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： A61B5/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。该微电极阵列以铂纳米柱为表面修饰层，修饰层与微电极基底的结合力较好，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，这有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时修饰层具有良好的生物相容性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法。
一种纳米修饰微电极阵列及其制备方法

[发明专利]一种利用微加工在电极表面制备三维微结构的方法-CN201610547515.2在审
发明人：彭琎;孙滨;吴天准 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用微加工在电极表面制备三维微结构的方法，所述方法包括如下步骤：在电极的表面形成掩膜层；所述掩膜层上具有若干个贯穿所述掩膜层的空隙；通过在所述掩膜层上沉积金属层，在所述空隙内形成与所述电极的表面连接的金属点；去除所述掩膜层以及所述掩膜层上的金属层，使得所述金属点暴露出来。本发明通过掩膜在电极表面制得三维金属微结构，既能与组织界面紧密接触，又能获得较好的机械强度。
一种利用加工电极表面制备三维微结构方法

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