[发明专利]一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201610858458.X | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106419906B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 夏凯;吴天准;孙滨;曾齐;彭琎 | 申请（专利权）人： | 深圳市中科先见医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | A61B5/042 | 分类号： | A61B5/042;A61B5/0478;A61B5/04;A61N1/05;B82Y30/00;B82Y40/00;C25D3/50;C25D5/10;C25D9/04 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有氧化铱/铂纳米柱复合涂层，所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层包括依次设置于所述电极表面的铂纳米柱层和氧化铱层。该微电极阵列以氧化铱/铂纳米柱复合涂层为表面修饰层，该表面修饰层与微电极基底的结合力较好，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，从而有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时该表面修饰层具有良好的生物相容性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 复合 涂层 修饰 微电极 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列，其特征在于，所述微电极阵列的电极表面设置有氧化铱/铂纳米柱复合涂层，所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层包括设置于所述电极表面的铂纳米柱层，以及设置于所述铂纳米柱层表面的氧化铱层；所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层的厚度为500nm-5μm，所述铂纳米柱的直径为50nm-500nm，所述氧化铱层的厚度为50nm-400nm；所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层具有三维纳米多孔结构，所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层的多孔孔径为50nm-500nm。/n
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