“彭振维”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法-CN202210250332.X有效
发明人：董刚强;赵宇;郁操;彭振维;冉孝超 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法，旨在解决镀膜过程中成膜载板上硅片背面被氧化和污染导致硅片成膜质量差，降低电池效率的问题。本发明提供的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置包括基板、第一连接模块和第二连接模块；基板安装有电位发生器；基板处于成膜载板的下部时，以基板为第一基板；基板处于成膜载板的上部时，以基板为第二基板；第一连接模块用于控制电位发生器向第一基板施加正电位；第二连接模块用于控制电位发生器向第二基板施加负电位。通过控制电位发生器产生电场，利用电场对等离子体加速以轰击成膜载板的硅片背面，提高硅片成膜质量、提高电池效率。
减少溅射镀膜损伤硅片衬底装置方法

[发明专利]异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池-CN202310710691.3在审
发明人：贺晨冉;彭振维;吴洪凡;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，属于太阳能电池制备领域。异质结太阳能电池的制备方法，包括：提供硅衬底；在第一沉积温度和第一沉积速率下，在硅衬底的第一表面沉积第一本征钝化层，在第二沉积温度和第二沉积速率下，在第一本征钝化层上沉积第二本征钝化层；然后，在第一沉积温度和第一沉积速率下，在硅衬底的第二表面沉积第三本征钝化层，再在第二沉积温度和第二沉积速率下，在第三本征钝化层上沉积第四本征钝化层；第一沉积温度小于第二沉积温度，且第一沉积速率大于第二沉积速率。本申请采用低温低速工艺沉积的第一本征钝化层和第三本征钝化层缺陷少，氢含量更高，膜质更好。
异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]用于制备异质结太阳能电池的设备、系统及方法-CN202310710677.3在审
发明人：王登志;周剑;陈晨;闻二成;彭振维;王青松 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司;苏州迈正科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于制备异质结太阳能电池的设备、系统及方法，属于太阳能电池制备技术领域。用于制备异质结太阳能电池的设备，异质结太阳能电池包括硅衬底，设于硅衬底第一表面的第一本征钝化层，及设于硅衬底第二表面的第二本征钝化层，第一本征钝化层包括第一子本征层和第二子本征层，第二本征钝化层包括第三子本征层和第四子本征层；设备包括：第一工艺腔体，用于制备第一子本征层或第三子本征层；第二工艺腔体，所述第二工艺腔体与第一工艺腔体相连通，用于制备第二子本征层或第四子本征层；第一工艺腔体内的工艺温度与第二工艺腔体内的工艺温度不同。本申请能满足异质结电池对本征非晶硅基薄膜的多重要求，有助于提升电池的光电转换效率。
用于制备异质结太阳能电池设备系统方法

[发明专利]利用光掩膜制备定域沉积膜层的太阳能电池制备方法-CN202310202431.5在审
发明人：黄思;彭振维;郁操;费钦;曹鼎新 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了利用光掩膜制备定域沉积膜层的太阳能电池制备方法，属于太阳能电池制备技术领域。本发明的利用光掩膜制备定域沉积膜层的太阳能电池制备方法，采用显影油墨为掩膜，通过局域性的曝光与清洗实现全域性沉积膜层的局域性保留，间接地实现了膜层的局域性沉积且能够精准控制局域性沉积的区域，相较于传统的光刻技术，无需增加光刻设备和物料，大大降低了生产成本，有利于实现量产。
利用光掩膜制备沉积太阳能电池方法

[发明专利]异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池-CN202211034337.5在审
发明人：贺晨冉;彭振维;郁操;曹新民;王登志 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，属于太阳能电池领域。异质结太阳能电池的制备方法，包括：在半导体衬底的第一表面形成第一本征层，在半导体衬底的第二表面形成第二本征层，第一表面与第二表面相对；在第一本征层的表面形成N型掺杂层，在第二本征层的表面形成P型掺杂层；其中，形成N型掺杂层，包括：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积工艺在第一本征层上形成第一N型掺杂层；采用射频等离子体增强化学气相沉积工艺在第一N型掺杂层上形成第二N型掺杂层。本申请可以在保证镀膜效果的前提下降低生产成本，能够缓解当前单独使用RF‑PECVD或VHF‑PECVD均无法满足异质结电池产业化高效率、低成本和高稳定性需求的问题。
异质结太阳能电池制备方法

[实用新型]一种带有微晶隧穿层的异质结太阳能电池-CN202220746879.4有效
发明人： 彭振维;张继腾;郁操;董刚强;冉孝超 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供一种带有微晶隧穿层的异质结太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，能够实现微晶P型掺杂层和微晶N型掺杂层之间的同质隧穿效应，避免微晶P与TCO层之间电荷累积；此外，微晶N与TCO均为N型半导体，可避免形成肖特基接触，降低接触电阻，从而提高太阳能电池的转化效率。该异质结太阳能电池的层结构依次包括：第一TCO层、微晶P型掺杂层、第一本征钝化层、N型晶体硅衬底、第二本征钝化层、第一N型掺杂层和第二TCO层；两TCO层的外侧分别设有电极，所述太阳能电池的微晶P型掺杂层与相邻的第一TCO层之间设有能够与所述微晶P型掺杂层形成同质隧穿效应的隧穿层；所述隧穿层为具有纳米晶结构的N型材料。
一种带有微晶隧穿层异质结太阳能电池

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN202210719108.0在审
发明人：黄思;郁操;彭振维;张继腾 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法，该方法包括：在半导体衬底的背面图形化以形成第一掺杂区域和第二掺杂区域，第一掺杂区域形成有第一本征i层和n型掺杂层，n型掺杂层为掺杂有第VA族元素的掺氧微晶硅层；形成第二本征i层和p型掺杂层，p型掺杂层为掺杂有第ⅢA族元素的非晶或微晶硅层；在第二本征i层和p型掺杂层上形成图形化的掩膜层，使第一掺杂区域上的第二本征i层和p型掺杂层裸露出，去除裸露的第二本征i层和p型掺杂层并保留第一本征i层和n型掺杂层。本发明可以简化制备工艺，减少由于隔离层进入腔体引起的污染风险，减少增加或去除隔离层的繁琐步骤。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]包含哌乙酰嗪的抗肿瘤药物组合物及其应用-CN202210144360.3有效
发明人：岳欣;彭振维;王雪涔;陈勇 -专利权人：中山大学附属第一医院
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： A61K31/5415 文献下载
摘要：本发明提供了一种包含哌乙酰嗪的抗肿瘤药物组合物及其应用。本发明在原有舒尼替尼的基础上，进一步加入哌乙酰嗪，能够与之产生非常显著的协同增效作用，从而明显抑制癌细胞的增殖，对癌细胞具有极为显著的杀伤效率。本发明所提供的药物组合物能够明显改善现有技术中单纯采用舒尼替尼所带来的严重耐药性问题以及在降低舒尼替尼常规使用量时明显减低的治疗效果的问题，大大提高了临床治疗效率，降低患者的治疗毒副作用，对于临床治疗提供了新的方案，具有十分广阔的市场前景以及极其重大的社会意义。
包含乙酰肿瘤药物组合及其应用

[发明专利]用于肝癌放疗增敏的药物组合物及其应用-CN202210571621.X有效
发明人：岳欣;彭振维;王雪涔;陈勇 -专利权人：中山大学附属第一医院
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： A61K31/121 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于肝癌放疗增敏的药物组合物及其应用。本发明通过研究发现，USP14是一个与肝癌等放疗耐受极为相关的基因，USP14较高的表达水平与肿瘤退缩不良存在明显的正相关性，可以用以预测肝癌等放疗耐受以及敏感程度，为患者接受术前治疗的联系提供提前评估。同时，本发明通过揭示USP14基因与肝癌等放疗耐受的关联性，其对于解决个体间临床疗效差异与退缩效果/预后评估空白的难题，更好地实现精准治疗具有重要的现实意义。为人类大幅度提升肝癌放疗疗效提供了一个新的药物治疗靶点，从而为后续的药物研发、临床治疗等提供了一个新的方向，具有极高的社会价值和市场应用前景。
用于肝癌放疗药物组合及其应用

[发明专利]NHP2在预测癌症放疗敏感性和预后中的应用-CN202210102997.6有效
发明人：王雪涔;陈勇;彭振维;岳欣;刘然义;孟媛 -专利权人：中山大学附属第一医院;中山大学肿瘤防治中心（中山大学附属肿瘤医院、中山大学肿瘤研究所）
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于检测评估癌症放疗敏感性的试剂盒，包括检测NHP2基因表达水平的引物和/或检测NHP2蛋白含量的试剂。本发明对通过大量研究和筛选，发现NHP2是一个与结直肠癌放疗耐受极为相关的基因，在临床回顾性研究分析和体内外功能分析中发现，NHP2较高的表达水平与肿瘤退缩不良存在明显的正相关性，可以用以预测结直肠癌放疗耐受以及敏感程度，为患者接受术前治疗的联系提供提前评估。本发明通过揭示NHP2基因与结直肠癌放疗耐受的关联性，其对于解决个体间临床疗效差异与退缩效果/预后评估空白的难题，更好地实现精准治疗具有重要的现实意义。为人类攻克NHP2提供了一个新的药物治疗靶点，从而为后续的药物研发、临床治疗等提供了一个新的方向。
nhp2 预测癌症放疗敏感性预后中的应用

[发明专利]Deptor作为靶点在制备促进头颈癌放疗增敏的药物中的应用-CN202210730099.5在审
发明人：岳欣;彭振维;王雪涔;陈勇 -专利权人：中山大学附属第一医院
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： A61K38/17 文献下载
摘要：本发明涉及Deptor作为靶点在制备促进头颈癌放疗增敏的药物中的应用。本发明对Deptor与头颈癌放疗耐受的相关性进行了深入研究，发现了因放疗导致的细胞内Deptor水平降低是产生头颈癌放疗耐受的关键原因之一，而通过过表达Deptor或通过Deptor增强剂维持或提高Deptor蛋白水平将能够有效降低头颈癌放疗耐受性的产生，提高放疗敏感性。本发明通过对临床头颈癌患者的分析发现，Deptor可作为独立的因素用于临床头颈癌患者放疗疗效的预测以及预后的评估，其对于解决头颈癌个体间临床疗效差异与退缩效果/预后评估空白的难题，为更好地实现精准治疗具有重要的现实意义。
deptor 作为制备促进头颈放疗药物中的应用

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN202210083031.2在审
发明人：董刚强;郁操;彭振维;赵宇;冉孝超 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法，该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的两侧均分别形成透明导电层；利用等离子体工艺对至少一侧的透明导电层进行等离子体处理；利用原子层沉积在等离子体处理后的透明导电层表面形成氧化锡层；利用等离子体工艺对氧化锡层进行等离子体处理，并进行退火处理；在退火处理后的氧化锡层表面形成种子层；利用电镀工艺在半导体衬底的两侧的种子层表面均分别形成金属电极。本发明可以降低电池的串联电阻，降低电池的制备成本，提升电池结构中各层与层之间的结合力，能确保电池的光电转换效率。
异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种张口困难功能训练装置-CN202121229850.0有效
发明人：杨云英;陈勇;彭振维;毛雪娇;郭洋洋 -专利权人：中山大学附属第一医院
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： A61B90/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种张口困难功能训练装置，支架中部设有内螺纹孔，调节架下部相连有外螺纹杆，外螺纹杆至少中部外周面设有外螺纹，外螺纹杆与内螺纹孔配合相连且可轴向移动，左支撑臂侧部与支架左侧铰接相连，右支撑臂侧部与支架右侧铰接相连，左支撑臂和右支撑臂相对内侧面可相互贴合，外螺纹杆相对支架轴向下移时，可将左支撑臂和右支撑臂同时撑开，并且左支撑臂下端和右支撑臂下端间距逐渐增大，左支撑臂外侧面下部和右支撑臂外侧面下部分别支撑于患者上颚牙齿和下颚牙齿而使口腔张开度增大。相对现有技术，本实用新型技术方案具有方便操作、精准控制且安全防护等优点，可方便地锻炼患者口腔张开程度以及更好地保护患者牙齿。
一种张口困难功能训练装置

[发明专利]负热膨胀系数材料在镀膜载盘中的应用及负热膨胀型载盘-CN201710270209.3有效
发明人： 彭振维;林建豪;王洋洋;沈美玲 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明首先公开了负热膨胀系数材料在镀膜载盘上的应用，以及局部或全部由负热膨胀系数材料制成的负热膨胀型载盘，鉴于负热膨胀系数材料的特殊性能，制成的负热膨胀型载盘应用在PECVD或PVD镀膜机上进行镀膜时，在高温制程下能够有效减少对硅片的遮蔽面积，从而提升太阳能电池的效率和良率。
热膨胀系数材料镀膜中的应用型载盘

[发明专利]一种适用于硅片的氮气清洁设备-CN201711102152.2在审
发明人：沈美玲;林子杰;彭振维;林建豪;王洋洋 -专利权人：盐城金合盛光电科技有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于硅片的氮气清洁设备，包括：氮气发生器和载具，载具包括：载台和安装于载台上表面的用于承载硅片的若干个载片，载台上表面倾斜且其顶端设置有与氮气发生器连通的出风口，硅片放置于载片上且与载台上表面平行，出风口的风向与竖直方向的夹角A小于硅片所在方向与竖直方向的夹角B。这样一来，在出风的风力作用及液体本身的重力作用下，液体会顺着硅片向下流至载台上；而且，出风相较于硅片向下倾斜，避免将硅片吹起或吹跑。有益之处在于：本发明的氮气清洁设备适用于对硅片进行表面清洁，去除残留清洗液和颗粒污染物，具有清洁速度快、效率高、不易有残留且不易碎片等诸多优点。
硅片氮气清洁设备氮气发生器出风口出风竖直载具载片残留颗粒污染物表面平行表面倾斜表面清洁顶端设置风力作用硅片放置向下倾斜重力作用清洗液载台去除连通承载清洁风向

1
2
下一页»
尾页
共 20 条