专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种镀膜机台硅片的压紧装置-CN201721135853.1有效
  • 彭振维;王洋洋;沈美玲;林建豪;林子杰 - 盐城金合盛光电科技有限公司
  • 2017-09-06 - 2018-05-11 - H01L31/18
  • 本实用新型公开了一种镀膜机台硅片的压紧装置,包括由上至下设置的上压块和下压块,上压块包括固定块和设置于固定块底部的圆柱形凸块,固定块和下压块均为长方体形结构,固定块的长度与下压块的长度相同,且固定块的宽度大于下压块的宽度,下压块的顶部设置有与凸块相对应的凹槽,凸块插接于凹槽中以将上压块和下压块连接在一起,凸块位于凹槽中时,上压块与下压块外侧的侧壁位于同一平面上,硅片位于上压块内侧的底部以起到固定硅片的作用。本实用新型的压紧装置能够有效减少硅片镀膜的遮挡面积,将遮蔽面积进步到只需遮挡0.6%,大大的提高了单片太阳电池的转换效率,降低了原材料耗费,节约了成本。
  • 一种镀膜机台硅片压紧装置
  • [发明专利]硅基异质接面太阳能电池及其制程方法-CN201610334675.9在审
  • 张金隆;杨茹媛;陈坤贤 - 盐城金合盛光电科技有限公司
  • 2016-05-19 - 2017-11-28 - H01L31/074
  • 本发明公开了一种硅基异质接面太阳能电池及其制程方法。硅基异质接面太阳能电池,包含一硅基PN接面结构,具有两个相对表面,其中硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成,N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面,且P型半导体层的能隙不同于N型半导体基板的能隙;其中,第一糙化表面以及第二糙化表面以经由一异向性蚀刻,以形成具有凹凸的一金字塔纹理化结构,金字塔纹理化结构的金字塔宽度在5微米至15微米之间,且金字塔锥顶高度在于4微米至10微米之间。借由无异丙醇的变温纹理化碱蚀刻,该硅基异质接面太阳能电池能具有高质量的纹理结构,改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。
  • 硅基异质接面太阳能电池及其方法
  • [发明专利]异质接面太阳能电池-CN201510949605.X在审
  • 张金隆;杨茹媛;陈坤贤;许硕夫 - 盐城金合盛光电科技有限公司
  • 2015-12-18 - 2017-06-30 - H01L31/072
  • 本发明揭示一种异质接面太阳能电池。其主要包含一PN接面结构,具有两个相对表面,其中该PN接面结构由一P型半导体层与一N型半导体层所组成,且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体层的能隙;一第一电极,设置位于该PN接面结构的一表面;以及一第二电极,设置位于该PN接面结构且相对于该第一电极的另一表面;其中该第一电极的电极图案具有网状形式,该第一电极与第二电极的片电阻率介于0.1Ω/□至50Ω/□之间。借由具有金属网状形式电极层,该异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性,且简化制程流程。
  • 异质接面太阳能电池
  • [实用新型]硅基异质接面太阳能电池-CN201620459734.0有效
  • 张金隆;杨茹媛;陈坤贤 - 盐城金合盛光电科技有限公司
  • 2016-05-19 - 2016-12-14 - H01L31/074
  • 本实用新型公开了一种硅基异质接面太阳能电池。硅基异质接面太阳能电池,包含:一硅基PN接面结构,具有两个相对表面,其中硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成,N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面,且P型半导体层的能隙不同于N型半导体基板的能隙;其中,该第一糙化表面以及该第二糙化表面具有凹凸的一金字塔纹理化结构,该金字塔纹理化结构中的该金字塔宽度与金字塔锥顶高度的比值在2到0.8之间。该硅基异质接面太阳能电池能具有高质量的纹理结构,改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。
  • 硅基异质接面太阳能电池
  • [实用新型]异质接面太阳能电池-CN201521058410.8有效
  • 张金隆;杨茹媛;陈坤贤;许硕夫 - 盐城金合盛光电科技有限公司
  • 2015-12-18 - 2016-08-03 - H01L31/072
  • 本实用新型揭示一种异质接面太阳能电池。其主要包含一PN接面结构,具有两个相对表面,其中该PN接面结构由一P型半导体层与一N型半导体层所组成,且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体层的能隙;一第一电极,设置位于该PN接面结构的一表面;以及一第二电极,设置位于该PN接面结构且相对于该第一电极的另一表面;其中该第一电极的电极图案具有网状形式。借由具有金属网状形式电极层,该异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性,且简化制程流程。
  • 异质接面太阳能电池

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