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[发明专利]一种铁路扣轨加固范围的设计方法-CN202110629749.2有效
发明人：付琪生;康军利;吴英昊;胡军;宋洋;董伟;袁宇超;弭伟 -专利权人：中铁二十四局集团有限公司;北京交通大学;中铁二十四局集团有限公司北京分公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁路扣轨加固范围的设计方法，通过根据铁路的下穿隧道的埋深和施工状态因素，计算下穿隧道施工对地基的影响范围；然后根据铁路的最大允许沉降量和承重要求，计算横梁数量和纵梁数量；最后根据下穿隧道施工对地基的影响范围和横梁数量、纵梁数量，确定横梁和纵梁的设置间距和设置位置，从而可以准确的计算得到横梁和纵梁的数量和具体设置位置，以简单的实现铁路扣轨加固的工艺，且满足铁路下方隧道施工的强度要求。
一种铁路加固范围设计方法

[实用新型]一种单载流子探测器结构-CN202222306560.2有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;唐金泽 -专利权人：北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单载流子探测器结构，本实用新型采用半绝缘的InP衬底，且p型扩散区域在台阶区域内，既可以实现电学绝缘，又可以最大限度的减小探测器的电容，从而提高探测器的开关速度和带宽；台阶区域的直径大于p型扩散区域的直径，因此，台阶区域的侧面设置是半绝缘的高阻材料(BCB或PBO材料)，可以进一步降低暗电流。
一种载流子探测器结构

[实用新型]一种雪崩光电探测器结构-CN202222645062.0有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;罗丽园 -专利权人：天津英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种雪崩光电探测器结构，包括自下而上依次设置的N金属电极、n型InP衬底、n型InP缓冲层、n型DBR反射区域、n型InP漂移层、n型InGaAsP带宽过渡层一、本征型In0.53Ga0.47As吸收层、n型InGaAsP带宽过渡层二、n型InP电荷层、本征型InP盖层和SiN薄膜一。相比于传统的InP SACM(separate‑absorption‑charge‑multiplication)APD，本实用新型的雪崩光电探测器具有2个漂移区域，其中，In0.53Ga0.47As吸收层为第一个漂移区域，n型InP漂移层为第二个漂移区域，2个漂移区域通过InGaAsP带宽过渡层连接，避免载流子在界面处堆积，传统的InP APD只有InGaAs吸收层一个漂移区域。
一种雪崩光电探测器结构

[发明专利]一种单载流子输运的平衡探测器及其制备方法-CN202211219209.8有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;李秉坤 -专利权人：北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单载流子输运的平衡探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域，本发明的探测器的吸收层最终为P型In0.53Ga0.47As吸收层，空穴在光吸收层中为多数载流子，光生空穴的产生速度为其介质弛豫速度，在飞秒量级，可以忽略。光生电子在P型In0.53Ga0.47As吸收层中通过扩散和漂移运动至n型InP漂移层。在本发明的探测器中，只有电子一种载流子控制实际的输运速度。相比于传统的PIN型平衡探测器，本发明的平衡探测器不受制于速度较慢的空穴，因此，其响应速度大幅度提高。
一种载流子输运平衡探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有双漂移区的雪崩光电探测器的制备方法-CN202211223859.X有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;罗丽园 -专利权人：天津英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双漂移区的雪崩光电探测器的制备方法，获得的雪崩光电探测器外延结构从下至上依次包括：n型InP衬底、n型InP缓冲层、n型DBR反射区域、n型InP漂移层、n型InGaAsP带宽过渡层一、本征型In0.53Ga0.47As吸收层、n型InGaAsP带宽过渡层二、n型InP电荷层和本征型InP盖层。相比于传统的只有InGaAs吸收层一个漂移区域的APD，本发明通过引入n型InP漂移层第二个漂移区域及n型DBR反射区域，减少了光生载流子的堆积，极大的提高了入射光被吸收的几率，从而提高了探测器的响应度。
一种具有漂移雪崩光电探测器制备方法

[发明专利]一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法-CN202211022239.X在审
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;陈新荣 -专利权人：北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法，其光吸收层为In0.53Ga0.47As吸收层，空穴在光吸收层中为多数载流子，光生空穴的产生速度为其介质弛豫速度，在飞秒量级，可以忽略。光生电子在In0.53Ga0.47As吸收层中通过扩散和漂移运动至N型InP漂移层；同时在本发明的探测器，只有电子一种载流子控制实际的输运速度，相比于传统的PIN型InP焦平面探测器，本发明的探测器不受制于速度较慢的空穴，因此，其响应速度大幅度提高。在In0.53Ga0.47As吸收层的Zn扩散掺杂浓度从上往下逐步降低，因此其能带从上往下逐步降低，这将辅助电子的扩散，提高扩散速度。
一种 ingaas 平面红外探测器制备方法

[发明专利]一种雪崩光电探测器的制备方法-CN202211146889.5有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;陈新荣 -专利权人：北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩光电探测器的制备方法，本发明的探测器的本征型In0.53Ga0.47As吸收层在Zn扩散后转化为P型，通过优化掺杂浓度，吸收区在工作电压下未耗尽。因此，空间电荷区只在吸收层/电场控制层的界面很窄的区域，而传统的雪崩光电二极管的整个吸收层在工作电压下全部耗尽，其空间电荷区占据了整个吸收层。因此，本发明的雪崩光电探测器的空间电荷区远远小于传统的APD（雪崩光电二极管）的空间电荷区，从而其产生‑复合电流大大降低，探测器的整体暗电流得到了很大的减小。
一种雪崩光电探测器制备方法

[发明专利]一种单载流子探测器的制备方法-CN202211049762.1在审
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;唐金泽 -专利权人：北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单载流子探测器的制备方法，本发明通过优化Zn扩散的时间和浓度，使单载流子探测器有源区域的扩散深度覆盖整个本征型In0.53Ga0.47As吸收层，可以保证本征型In0.53Ga0.47As吸收层在该探测器的中心区域有合适的p‑型掺杂，本征型In0.53Ga0.47As吸收层自上而下Zn掺杂的浓度逐渐降低，该掺杂梯度将在本征型In0.53Ga0.47As吸收层中形成弱电场，这将有助于电子在本征型In0.53Ga0.47As吸收层中的输运，提高探测器的速度。
一种载流子探测器制备方法

[发明专利]一种铁路扣轨加固设备-CN202210745665.X有效
发明人：付琪生;康军利;吴英昊;张秀辉;宋洋;袁宇超;董伟;弭伟;陈刚 -专利权人：中优利康（北京）科技有限公司;中铁二十四局集团有限公司;中铁二十四局集团有限公司北京分公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： E01B29/28 文献下载
摘要：本发明所提供的铁路扣轨加固设备，包括基板、调节组件和多个拧紧单元，基板与铁轨枕木保持固定，调节组件位于基板上方，拧紧单元上端连接于调节组件，下端连接于扣件螺钉；调节组件用于驱动拧紧单元旋转并拧紧扣件螺钉，且调节组件施加于多个拧紧单元的力矩与该处扣件螺钉所受的拧紧阻力呈正相关。在同时拧紧多个扣件螺钉时，若其中某个扣件螺钉所受拧紧阻力较大，会自动调节该处拧紧单元的拧紧力矩，使得该处的拧紧力矩增大，由此继续拧入该处的扣件螺钉，直至扣件螺钉的旋入深度达到预设值，由此能够避免螺钉拧入深度不足而产生的安全隐患。同时，其能够同时拧紧多个扣件螺钉，避免了单独拧紧扣件螺钉时对其他扣件螺钉造成影响。
一种铁路加固设备

[发明专利]一种基于Si衬底的高质量大尺寸氧化镓薄膜及其制备方法-CN202210804786.7在审
发明人：弭伟;李秉坤;赵金石;肖龙飞;李信伟;唐金泽;陈新荣;李萌;周保增;罗丽园 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Si衬底的高质量大尺寸氧化镓薄膜及其制备方法，自下而上依次包括：Si衬底、籽晶层和外延层，所述籽晶层和所述外延层均为Ga2O3。制备方法包括清洗Si衬底、在Si衬底上生长籽晶层、在籽晶层上生长外延层。采用常规的生长工艺进行制备，工艺成熟、可重复性好。并且本发明的技术方案采用低成本的Si衬底，采用籽晶层克服了Si衬底与Ga2O3薄膜之间的晶格失配问题，生长高质量Ga2O3薄膜，成本低廉，制备工艺简单，易于实现工业化。
一种基于 si 衬底质量尺寸氧化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种全断面放射型注浆工艺及设备-CN202110530148.6有效
发明人：付琪生;康军利;吴英昊;胡军;宋洋;董伟;袁宇超;弭伟 -专利权人：中铁二十四局集团有限公司北京分公司;中铁二十四局集团有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： E21D9/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种全断面放射型注浆工艺及设备，通过在全断面上插入注浆管并向注浆管内注入浆液以增强了松散、软弱围岩的稳定性，有利于完成开挖后与完成初期支护时间内围岩的稳定，不至于围岩失稳破坏直至坍塌；并且通过检测注浆管内的注浆状态以获知注浆的完成情况和完成效果，并在注浆状态满足第一预设条件时停止注浆，即通过设定注浆完成的条件以实现准确得知注浆完成，从而避免人工经验判断，不仅提高了注浆的效率，而且也避免浆液的浪费，同时能够保证工程的一致性效果。
一种断面放射型注浆工艺设备

[发明专利]一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统-CN201910454293.3有效
发明人：杨正春;李沛君;弭伟;吴健文;朱博;郭睿轩;伏特;朱云昊;李珍;赵金石;张楷亮 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，将压电传感器与忆阻器件相集成，使压力信号转变为电学信号，以此来驱动忆阻器件，完成数据的记录与存储。在压力发电片的输出端口设计保护电路，使外加的力学信号不至于将忆阻器件击穿。该智能数据存储系统工作时，不论记录、转换、擦除均不需再加外接电压。本发明开创性地将压电传感器与忆阻器集成为一个智能数据存储系统，由压电传感器与忆阻器相结合，并形成了初步应用，经过多次测试，系统稳定性较高，能适应多种环境，应用前景广阔。
一种基于压电传感器忆阻器智能数据存储系统

[发明专利]一种基于协议无感知转发的高速数据查询系统及方法-CN201911314399.X有效
发明人：林国誌;葛敬国;陈家玓;鄂跃鹏;弭伟 -专利权人：中国科学院信息工程研究所
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F16/953 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于协议无感知转发的高速数据查询系统及方法，其对应的协议无关转发设备，包括基于DPDK驱动的协议无感知转发模块，协议无感知转发模块作为一个基于DPDK驱动的模块运行在用户态，该协议无感知转发模块包括功能平面子模块、Metadata数据更新功能子模块、Metadata数据查询功能子模块、流表维护功能子模块和路由功能子模块；基于DPDK驱动的协议无感知转发模块利用DPDK开发套件，实现该模块下的子模块对协议无关转发设备的数据包的处理是经过轮询的方式从硬件驱动读取数据包，绕开操作系统内核。本发明具有高速查询数据的优点。
一种基于协议感知转发高速数据查询系统方法

[发明专利]一种铁路扣轨加固工艺及设备-CN202110530151.8在审
发明人：付琪生;康军利;胡军;宋洋;吴英昊;袁宇超;董伟;弭伟 -专利权人：中铁二十四局集团有限公司;中铁二十四局集团有限公司北京分公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： E01B29/05 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁路扣轨加固工艺及设备，通过在铁路主轨方向标记多个供横梁穿入的横梁标记点和供枕木穿入的枕木标记点，并且依次在枕木标记点处穿插枕木、在铁路主轨两侧铺设扣轨、在横梁标记点处穿插横梁、在横梁的中间位置、两端位置处沿垂直于横梁的方向设置纵梁，从而可以简单的实现铁路扣轨加固的工艺，且满足铁路下方隧道施工的强度要求。
一种铁路加固工艺设备

[发明专利]一种基于电容器、压力传感器和忆阻器的击打记忆系统-CN201911330587.1在审
发明人：杨正春;谢立强;吴健文;贺婕;弭伟;曹宗升;刘宝成;赵心昊;赵金石 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电容器、压力传感器和忆阻器的击打记忆系统，其特征在于：包括电容器、压力传感器、忆阻器和集成系统电路；所述电容器，用于为所述击打记忆系统提供电流；所述压力传感器，用于接收击打压力并产生相应的响应电流；所述忆阻器，用于接收压力传感器的响应电流并发生电阻变化，记录击打信号；在所述集成系统电路中，所述电容器的正极与压力传感器的一端相连，所述压力传感器的另一端与忆阻器的一端相连，所述忆阻器的另一端与电容器的负极相连。本发明的击打记忆系统通过简单的系统集成即可成功搭建，且可重复使用，搭建出来的系统在各大领域可以得到广泛的应用。
一种基于电容器压力传感器忆阻器击打记忆系统

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