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[发明专利]压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备-CN202010797186.3有效
发明人： 张西子;张喆;吴军民;唐新灵;林仲康;王亮;石浩;韩荣刚;杜玉杰;孙帅 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数，测试简单易于操作。
压接型半导体器件测试装置方法电子设备

[发明专利]功率半导体模块中热阻分布计算方法、装置及存储介质-CN202010349978.4有效
发明人：杜玉杰;韩荣刚;吴军民;金锐;张西子;张朋;唐新灵;林仲康;王亮;周扬 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体模块中热阻分布计算方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：建立功率半导体模块的仿真模型；获取功率半导体模块的仿真模型对应的第一总热阻仿真值；对仿真模型中的每一层材料层分别执行以下步骤：在仿真模型中对功率半导体模块的对第i层材料层引入传热系数的调整系数ki，获取对第i层材料层引入调整系数ki后功率半导体模块的第i热阻仿真值；根据公式计算得到第i层材料层在功率半导体模块的热阻占比，从而得到功率半导体模块中的热阻分布。本发明解决了现有技术中对功率半导体模块的热阻分布计算过程复杂的问题，通过建立有限元模型，利用单一变量法计算热阻分布，降低计算误差，提高了计算效率。
功率半导体模块中热阻分布计算方法装置存储介质

[发明专利]一种压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法及装置-CN201811526530.4有效
发明人：陈中圆;张语;张西子;陈艳芳;李翠 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法及装置，该压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法包括：测试各待选芯片的阈值电压；将各待选芯片按照阈值电压的大小进行排序，得到芯片序列组；根据预设数量要求及预设筛选条件，从芯片序列组中按照排序依次选取待选芯片，得到多个待封装芯片组；根据各待封装芯片组中的各待选芯片的通态电阻对各待封装芯片组进行封装。通过实施本发明，通过对阈值电压的筛选并考虑通态电阻的影响，减小了各个芯片中电流的差异，使得封装于压接型IGBT器件的各个芯片之间实现了互补均流，进而提高了压接型IGBT器件的使用寿命。
一种压接型 igbt 器件芯片互补封装方法装置

[发明专利]多MOSFET并联装置及功率半导体模块-CN202110372859.5在审
发明人：卢文浩;许恒宇;万彩萍;张西子;杜玉杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种多MOSFET并联装置及功率半导体模块。该多MOSFET并联装置包括至少两个并联的结构相同的子模块；所述子模块包括结构相同的第一单元和第二单元；所述第一单元包括MOSFET和碳化硅肖特基二极管；所述碳化硅肖特基二极管与所述MOSFET反向并联；所述第一单元的MOSFET与所述第二单元的MOSFET串联。本申请的多MOSFET并联装置，碳化硅肖特基二极管与MOSFET反向并联，碳化硅肖特基二极管的正的正向压降温度系数能够改善MOSFET的第三象限的并联电流分布，实现电流自动均流，解决了并联的各MOSFET之间电流分布不均衡的问题。
mosfet 并联装置功率半导体模块

[发明专利]一种大功率IGBT结温检测电路、系统及方法-CN201910628381.0有效
发明人：张雷;李尧圣;杜玉杰;李金元;杨晓亮;刘颖含;张祎慧;张西子 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，结温检测电路包括：阻断漏电流‑结温检测电路和导通压降‑结温检测电路，阻断漏电流‑结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件的阻断漏电流‑结温检测标定；导通压降‑结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件导通压降‑结温检测标定，本发明提供的大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，可以作为大功率IGBT器件开关全工况的阻断漏电流‑结温检测或导通压降‑结温检测，也可以对两种不同的检测方式进行对比测试，其过程不需改变安装条件，可自动完成测试，简单易行高效。
一种大功率 igbt 检测电路系统方法

[发明专利]一种火驱用缓蚀剂及其制备方法与应用-CN202010126984.3有效
发明人：闫峰;张洪君;王浩;郑猛;何强;张西子;冯兆国;亢思丹;袁良秀;刘丽;张秋丽;刘玉 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C09K8/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种火驱用缓蚀剂及其制备方法与应用，所述缓蚀剂的原料组成包括：四乙烯五胺、棕榈酸、硫酸二甲酯、五氧化二磷、甲醇、碘化钾及二甲基亚砜；其中，四乙烯五胺、棕榈酸、硫酸二甲酯、五氧化二磷、甲醇、碘化钾及二甲基亚砜的质量比为42‑44:52‑54:11‑13:12‑14:55‑60:2‑3:7‑10。针对腐蚀严重的油井，当缓蚀剂加药浓度为100mg/L时，缓蚀率在97％以上，缓蚀效果非常显著。
一种火驱用缓蚀剂及其制备方法应用

[发明专利]一种无磷阻垢剂及其制备方法与应用-CN202010126985.8有效
发明人：闫峰;张洪君;何强;王浩;亢思丹;郑猛;张西子;尹冰;张秋丽;刘丽;刘玉 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C02F5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种无磷阻垢剂及其制备方法与应用，所述无磷阻垢剂的原料组成包括：淀粉、浓硫酸、过硫酸钾、双氧水、碱法纸浆废液、马来酸酐、丙烯酸羟乙酯、环氧琥珀酸、过硫酸铵及水；其中，淀粉、浓硫酸、过硫酸钾、双氧水、碱法纸浆废液、马来酸酐、丙烯酸羟乙酯、环氧琥珀酸、过硫酸铵及水的质量比为12‑15.5:1.5‑2.5:6.5‑7.5:6.5‑7.5:7.5‑11:60‑75:70‑80:20‑35:10‑15:200。本发明所提供的阻垢剂为无磷阻垢剂，绿色环保；其可以应用于油田生产过程中井筒、管线、设备等的防垢，应用过程施工简单，容易操作，并且该无磷阻垢剂阻垢率高，耐温性较好。
一种无磷阻垢剂及其制备方法应用

[发明专利]交联剂、其制备、深部调剖剂及深部调剖剂的制备与应用-CN201911139525.2有效
发明人：闫峰;张洪君;何强;王浩;亢思丹;袁良秀;张群;郑猛;张西子;尹冰;刘丽;张秋丽;刘玉 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C09K8/512 文献下载
摘要：本发明提供了一种交联剂、其制备、深部调剖剂及深部调剖剂的制备与应用，所述交联剂的原料组成包括碱法纸浆废液200重量份‑250重量份；间苯二酚70重量份‑75重量份；乙二胺40重量份‑50重量份；甲醛320重量份‑360重量份；乙二醛30重量份‑50重量份。本发明还提供了由包含以上所述交联剂在内的组分制得的深部调剖剂。本发明所提供的深部调剖剂可以完全满足现场深部调剖需求；同时该深部调剖剂还使用了纸浆废液，既降低了药剂成本，也起到了保护环境的作用，社会效益显著，具有广阔的应用前景。
交联剂制备深部调剖剂应用

[发明专利]一种IGBT开关特性测试电路及测试方法-CN202010431615.5有效
发明人：唐新灵;吴军民;赛朝阳;张朋;王亮;林仲康;杜玉杰;张西子 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网湖北省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT开关特性测试电路及测试方法，测试电路包括负载电感电路和直流母线电源，所述直流母线电源与所述负载电感电路以及被测IGBT器件串联；第一开关器件，连接在所述直流母线电源的正极与所述负载电感电路的输出端之间，用于切断或者接通直流母线；电阻R1，第一端连接所述第一开关器件的低压端，第二端与负载电感电路的输入端连接，用于在所述被测IGBT器件和/或所述第一开关器件和/或所述负载电感电路失效时，吸收所述直流母线电源的电量。本发明通过增加了第一开关器件和电阻R1，实现器件测试完成后切断直流母线电容能量释放通道，以及吸收直流母线释放的能量，降低器件失效后烧毁程度，防止失效器件爆炸。
一种 igbt 开关特性测试电路方法

[发明专利]IGBT模块的测试方法、装置及电子设备-CN202010345768.8有效
发明人：孙帅;张喆;吴军民;金锐;韩荣刚;杜玉杰;张西子;王亮;赵志斌;李学宝 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;华北电力大学
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
igbt 模块测试方法装置电子设备

[发明专利]一种发泡剂及其制备方法和应用-CN201911139524.8有效
发明人：闫峰;张洪君;何强;王浩;张西子;郑猛;亢思丹;尹冰;张秋丽;刘丽;刘玉 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C09K8/594 文献下载
摘要：本发明公开了一种发泡剂及其制备方法和应用。按重量份数计，该发泡剂包括如下原料组分：纸浆废液15份；浓硫酸4～5份；碱8～10份；α‑烯烃磺酸钠30～35份；重烷基苯磺酸钠20～25份；十二烷基二甲基氧化胺1.0～1.5份；改性硅树脂聚醚乳液1.0～1.5份。本发明还提供了一种发泡剂的制备方法及其在稠油油藏或稀油油藏注蒸汽热采防汽窜中的应用。本发明的发泡剂与蒸汽一起注入油层，能够解决注蒸汽过程中吸汽剖面不均、蒸汽汽窜、蒸汽超覆的问题，从而提高蒸汽的波及体积，提高了油层的动用程度，最大限度的提高采收率。
一种发泡剂及其制备方法应用

[实用新型]一种压接型功率芯片封装结构-CN202121152010.9有效
发明人： 张西子;代安琪;吴军民;王克胜;高晋文 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司检修分公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压接型功率芯片封装结构，包括：第一电极层和第二电极层；功率芯片；位于第一电极层和第二电极层之间且位于功率芯片的侧部的复合连接板，复合连接板包括：第一绝缘板、位于第一绝缘板一侧的第一导电层、位于第一绝缘板背向第一导电层一侧的第二导电层，所述第一导电层和第二导电层均分别与所述第一电极层和第二电极层间隔；栅极通过第一键合线与第一导电层电学连接；发射极通过第二键合线与第二导电层电学连接。所述压接型功率芯片封装结构的开关速度提高、开关损耗减小。
一种压接型功率芯片封装结构

[发明专利]一种高温固砂剂及其制备和应用-CN201811569147.7有效
发明人：闫峰;张洪君;何强;张西子;亢思丹;郭韬;郑猛;张秋丽;刘丽;刘玉 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C09K8/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种高温固砂剂及其制备和应用。所述高温固砂剂由如下重量份成分为原料制备得到：氢氧化钙300份、α‑烯基磺酸钠0.6‑1.5份、聚丙烯酸钠0.6‑1.5份、以及正硅酸乙酯45‑60份，聚亚酰胺3‑5份、甲阶段酚醛树脂15‑20份。本发明的固砂剂能完全满足油田生产需要，具有良好的应用效果及应用前景。
一种高温固砂剂及其制备应用

[发明专利]一种压接型功率芯片封装结构-CN202110580677.7在审
发明人： 张西子;代安琪;吴军民;王克胜;高晋文 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司检修分公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种压接型功率芯片封装结构，包括：第一电极层和第二电极层；功率芯片；位于第一电极层和第二电极层之间且位于功率芯片的侧部的复合连接板，复合连接板包括：第一绝缘板、位于第一绝缘板一侧的第一导电层、位于第一绝缘板背向第一导电层一侧的第二导电层，所述第一导电层和第二导电层均分别与所述第一电极层和第二电极层间隔；栅极通过第一键合线与第一导电层电学连接；发射极通过第二键合线与第二导电层电学连接。所述压接型功率芯片封装结构的开关速度提高、开关损耗减小。
一种压接型功率芯片封装结构

[发明专利]压接装置和有压烧结设备-CN202011490768.3在审
发明人： 张西子;王亮;周扬;钱靖;吴灵美;陈显平;喻佳兵 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;重庆大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种压接装置和有压烧结设备，压接装置包括：底座，底座内设置有容纳腔；压块，设置在容纳腔内，压块能够在容纳腔内沿容纳腔的深度方向滑动；其中，芯片组件位于压块和容纳腔的底壁之间，压块能够将芯片组件压紧在底壁上。本发明的技术方案中，压接装置的结构简单，这样使得压接装置结构可以设计的更加地紧凑，相对于相关技术中的压接装置，体积更小，重量更轻，避免了相关技术中的压接装置造价成本高，场地要求高的问题，从而提高了压接装置使用的便利性，节约了压接装置的制造和维护成本。
装置烧结设备

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