“刘颖含”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种大功率IGBT结温检测电路、系统及方法-CN201910628381.0有效
发明人：张雷;李尧圣;杜玉杰;李金元;杨晓亮;刘颖含;张祎慧;张西子 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，结温检测电路包括：阻断漏电流‑结温检测电路和导通压降‑结温检测电路，阻断漏电流‑结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件的阻断漏电流‑结温检测标定；导通压降‑结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件导通压降‑结温检测标定，本发明提供的大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，可以作为大功率IGBT器件开关全工况的阻断漏电流‑结温检测或导通压降‑结温检测，也可以对两种不同的检测方式进行对比测试，其过程不需改变安装条件，可自动完成测试，简单易行高效。
一种大功率 igbt 检测电路系统方法

[发明专利]一种并联芯片温度均匀性检测方法及装置-CN202010030828.7有效
发明人：李尧圣;李翠;杜玉杰;刘颖含;郭春生;王思晋 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种并联芯片温度均匀性检测方法及装置，该检测方法包括如下步骤：将工作状态下的待测模块置于多个预设温度中，计算多个预设温度下待测模块的关断时间和关断延迟时间，待测模块包括并联的多个芯片；根据多个预设温度下的关断时间和关断延迟时间计算得到关断时间曲线和关断延迟时间曲线；将待测模块置于工作环境下，计算待测模块的关断时间测量值和关断延迟时间测量值；根据关断延迟时间测量值、关断时间曲线及关断延迟时间曲线计算得到关断时间计算值；根据关断时间测量值和关断时间计算值判断待测模块的温度均匀性。通过实施本发明，可以实现温度均匀性的无损检测，同时测量装置和测量方法简单，易操作。
一种并联芯片温度均匀检测方法装置

[发明专利]一种IGBT器件测试电路及测试方法-CN202010608422.2在审
发明人：李尧圣;李金元;杨晓亮;陈中圆;陈艳芳;李翠;刘颖含 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT器件测试电路及测试方法，测试电路包括：双脉冲测试模块用于测试IGBT的开通、关断性能；电流耐受能力测试模块用于在模拟换流阀双极性短路情况下，对IGBT的电流耐受能力进行测试；采集模块用于采集IGBT集射极电压及发射极电流；保护模块用于当IGBT集射极电压和/或发射极电流超过对应的预设阈值时，切断双脉冲测试模块与IGBT的连接。本发明利用双脉冲测试模块对IGBT的开通、关断性能进行测试，利用电流源持续输出方波电流来模拟换流阀双极性短路情况下，浪涌电流冲击IGBT的情况，从而进一步提高了对IGBT性能测试的全面性及多样性。
一种 igbt 器件测试电路方法

[发明专利]一种功率半导体器件高温偏置测试系统和方法-CN202010353691.9在审
发明人：崔梅婷;张雷;刘颖含;张祎慧;李金元;金锐 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件高温偏置测试系统和方法，系统包括控制模块(1)、温控模块(3)、检测模块(4)、测试通道(5)和电源模块(2)；利用检测模块(4)同时检测功率半导体器件的栅极漏电流、栅极电压、集射极漏电流和集射极电压，且能够实现相同或不同规格的功率半导体器件进行高温栅偏测试和高温阻断测试的单项或双项测试，兼容性好，能够满足批量测试需求，无需配备多台测试系统，成本低，测试效率高，且维护方便，各条测试支路相互独立，彼此安全隔离，相互之间的影响小，检测准确，可靠性高；严格保证了测试电压和测试结温的要求，提高了测试系统的兼容性、利用率和准确性。
一种功率半导体器件高温偏置测试系统方法

[实用新型]一种芯片压接结构及半导体封装结构-CN201920738658.0有效
发明人：张雷;杜玉杰;李翠;刘颖含;李金元 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型通过提供一种芯片压接结构及半导体封装结构，该压接结构包括汇流底板，具有至少一个导向通孔；至少一个顶压导杆，分别与所述导向通孔一一对应设置，通过导电压簧与所述汇流底板导电连接，在外部压力和所述导电压簧的弹力的压力差作用下，具有穿入所述导向通孔的第一状态和复位的第二状态；所述导电压簧连接端面为平面。本实用新型提供了一种芯片压接结构及半导体封装结构，通过设置导电压簧，补偿了芯片厚度不一致及结构加工引起的尺寸误差，使各芯片压力基本一致，提高了封装可靠性。
导电压簧导向通孔压接结构芯片半导体封装结构本实用新型汇流底板一一对应设置封装可靠性压力差作用尺寸误差导电连接顶压导杆结构加工连接端面外部压力不一致复位穿入

[发明专利]一种芯片压接结构及半导体封装结构-CN201910424721.8在审
发明人：张雷;杜玉杰;李翠;刘颖含;李金元 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明通过提供一种芯片压接结构及半导体封装结构，该压接结构包括汇流底板，具有至少一个导向通孔；至少一个顶压导杆，分别与所述导向通孔一一对应设置，通过导电压簧与所述汇流底板导电连接，在外部压力和所述导电压簧的弹力的压力差作用下，具有穿入所述导向通孔的第一状态和复位的第二状态；所述导电压簧连接端面为平面。本发明提供了一种芯片压接结构及半导体封装结构，通过设置导电压簧，补偿了芯片厚度不一致及结构加工引起的尺寸误差，使各芯片压力基本一致，提高了封装可靠性。
导电压簧压接结构芯片半导体封装结构导向通孔汇流底板一一对应设置封装可靠性压力差作用尺寸误差导电连接顶压导杆结构加工连接端面外部压力不一致复位穿入