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[发明专利]一种微创电化学血糖传感器及其制备方法-CN202310650920.7在审
发明人：尹昊承;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： A61B5/145 文献下载
摘要：本发明提供了一种微创电化学血糖传感器及制备方法，微创电化学血糖传感器通过吸引负电极1与吸引正电极5在皮下组织形成电场，以使皮下组织的葡萄糖产生电渗作用从而被牵引至表皮层并向电极5所在区域集中；对电极2、所述参比电极3以及工作电极4在吸引负电极1与吸引正电极5作用完成后，依次侵入表皮层以与跟表皮层的组织层间液形成电化学回路；其中，参比电极3提供基准电势，工作电极4在电化学回路中的葡萄糖氧化作用下以基准电势为基准产生一个反映葡萄糖浓度的电信号。由于本发明并不需要把葡萄糖吸到体外，所用电路强度或电渗时间较短，同时由于直接接触组织液因此检测准确度较高。因此本发明无论从检测质量、检测时间还是用户体验都较高。
一种电化学血糖传感器及其制备方法

[发明专利]一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法-CN202111315920.9有效
发明人：元磊;孙晨玥;郭辉;汤晓燕;张艺蒙;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法，紫外光电晶体管包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底的上表面的P型4H‑SiC缓冲层、N型4H‑SiC发射区、P型4H‑SiC基区和N型4H‑SiC集电区；梯形凹槽，贯穿所述N型4H‑SiC集电区直至所述P型4H‑SiC基区的上表面；CaFCl层，设置于所述梯形凹槽内，且与所述N型4H‑SiC集电区的上表面齐平；漏斗形槽阵列，设置于所述CaFCl层和所述N型4H‑SiC集电区上；集电极欧姆接触层，设置于所述CaFCl层中间位置的上表面，以及所述N型4H‑SiC集电区两端的上表面；发射极欧姆接触层，设置于所述N型4H‑SiC衬底的下表面。本发明可以应用于高速探测上。
一种表面优化异质结紫外光电晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高速轨对轨自偏置的电压跟随器-CN202310391702.6在审
发明人： 张艺蒙;储子元;张玉明;孙乐嘉;汤晓燕;宋庆文 -专利权人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速轨对轨自偏置电压跟随器，包括：PMOS输入电路、NMOS输入电路、电压钳位及互偏置电路。该高速轨对轨自偏置电压跟随器可以高速精确追踪输入电压的变化产生轨对轨的输出信号，且采用自偏置设计为输入电路提供偏置电压，无需额外输入偏置电压，减小了电压设计的复杂度。本发明可广泛应用在正负压或电压轨道快速变化的单电感双极输出或隔离式栅驱动电路中，为电路提供稳定精确的电压跟随。
一种高速偏置电压跟随

[发明专利]一种脉冲负载电源及其电压滞环控制方法-CN202110944732.6有效
发明人：孙乐嘉;林欣凯;张艺蒙;张玉明;薛璇;张少华 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲负载电源及其电压滞环控制方法，所述电压滞环控制方法包括：利用采样电路采集连接在电源与负载之间的交错并联型双向buck/boost变换器的负载端电压；将所述交错并联型双向buck/boost变换器的负载端电压与预先设定的boost低压给定值、boost高压给定值、buck低压给定值和buck高压给定值进行比较，并根据比较结果产生相应的方波脉冲控制电压；将所述方波脉冲控制电压进行放大并传输至所述交错并联型双向buck/boost变换器中的开关管处，以利用电压滞环控制算法控制所述开关管的通断。本发明采用电压滞环双位控制方式，在该控制模式下，系统中开关管的动作次数明显降低，从而减小了系统的开关损耗，提高了系统的工作效率。
一种脉冲负载电源及其电压控制方法

[发明专利]一种SiC MOSFET开关器件的驱动集成电路-CN202010740504.2有效
发明人： 张艺蒙;周敏;吕红亮;汤晓燕;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC MOSFET开关器件的驱动集成电路，包括：电压幅值转换模块、欠压保护模块、保护执行模块、输出缓冲模块和米勒平台改善模块。该驱动集成电路改善了功率管在开通过程中的VGS平台，使VDS下降速度加快，降低了损耗，避免了通过牺牲开关速度、增加开关损耗来换取振荡和过冲的减小，同时避免了电流尖峰；另外，本发明将驱动电路设计为集成电路大大减小了电路面积。
一种 sic mosfet 开关器件驱动集成电路

[发明专利]一种基于齐纳二极管的浮动高端电源地产生电路-CN202210739043.6有效
发明人： 张艺蒙;李梓睿;孙乐嘉;宋庆文;汤晓燕;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明的一种基于齐纳二极管的浮动高端电源地产生电路，利用齐纳二极管钳压电路，用于产生相较于输入电压低固定值的电压信号；浮动偏置产生电路，用于为齐纳二极管钳压电路提供负载，产生一个固定电压偏置，为高压运放器提供固定偏置电压；分压反馈电路，用于在输出电压的电流变化的情况下反馈至高压运算放大器，以使高压运算放大器通过自身的反馈作用，输出稳定的分压信号，控制分压反馈电压电路的输出电压跟随所述输入电压的变化而变化。本发明利用齐纳二极管的击穿原理来提供电压基准，简化电路结构，无需带隙基准电路，电路面积小，成本低，可以在10‑35V内实现相较于输入电压低5V的电压输出，并且可以跟随输入电压的变化而迅速变化。
一种基于齐纳二极管浮动高端源地产生电路

[发明专利]一种分级驱动的有源钳位反激电路及分级驱动方法-CN202310153829.4在审
发明人： 张艺蒙;孙世凯;郭辉;孙乐嘉;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种分级驱动的有源钳位反激电路，包括：有源钳位反激变换器，在副边设有并联的同步整流MOS管M1M2，在原边设有并联的原边低端MOS管M3和M5，以及并联的原边高端MOS管M4M6；分级驱动电路，根据有源钳位反激变换器的带载条件，输出各MOS管的驱动信号；有源钳位反激变换器响应于各MOS管的驱动信号，在轻载条件下原边低端MOS管M3、原边高端MOS管M4以及同步整流MOS管M1工作，与此同时其他MOS管不工作，在重载条件下所有MOS管均工作。本发明解决了有源钳位反激电路在轻载条件下同时驱动并联的多个器件所造成器件的驱动损耗增加大于导通损耗减少的问题。
一种分级驱动有源钳位反激电路方法

[发明专利]一种针对栅栏同步的GPGPU微架构系统-CN202310066243.4在审
发明人：贾世伟;张玉明;张艺蒙;田泽 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对栅栏同步的GPGPU微架构系统，包括：包括基于栅栏同步的线程块排序模块、warp优先级排序模块、warp发射模块、Cache缓存模块和基于栅栏同步的Cache旁路判定模块。基于栅栏同步的线程块排序模块动态收集各线程块内命中栅栏同步点的warp数量，并基于此信息进行warp排序，且基于栅栏同步的Cache旁路判定模块结合程序执行时Cache缓存的动态缺失率与各线程块中是否存在命中栅栏同步的warp的判断结果来动态决定访存请求任务是否需要执行Cache旁路操作，由此降低Cache缓冲模块的阻塞延时，进而降低栅栏同步开销，达到提高GPGPU性能的目的。
一种针对栅栏同步 gpgpu 架构系统

[发明专利]用于迟滞电流控制产生随输入输出变化的迟滞窗口的电路-CN202310076718.8在审
发明人： 张艺蒙;陈泽华;张玉明;汤晓燕;宋庆文;孙乐嘉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于迟滞电流控制产生随输入输出变化的迟滞窗口的电路，包括输入输出信号处理电路与迟滞窗口生成电路，用于稳定LED驱动的开关频率。迟滞窗口电路在输入输出电压变化时，产生一个与输入输出成函数关系的迟滞窗口，使得开关频率固定不变，减小了EMI设计的成本。本发明还可以把频率设定在需要的频率以解决与其他模块之间的串扰，可广泛应用在迟滞电流控制的LED驱动中，提高了驱动器的可靠性，具有广泛的应用场景。另外本发明利用共栅输入的运放使得能采样输入电压范围在7V‑40V，输出电压在5V‑15V，大大降低了输入输出采样的复杂度和信号进行乘除关系处理的复杂度，且提高了宽输入输出范围的采样精度。
用于迟滞电流控制产生输入输出变化窗口电路

[发明专利]一种基于典型BUCK下PSM模式的自举电压恢复电路-CN202211625038.9在审
发明人： 张艺蒙;陈洋;张玉明;汤晓燕;宋庆文;孙乐嘉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于典型BUCK下PSM模式的自举电压恢复电路，包括BUCK电路；高低端驱动电路，用于驱动高低端功率管；自举电路用于抬升高电位VBOOT的电压；分压反馈电路，用于在输出电压的电流变化的情况下反馈至自举电压恢复电路，以作为自举电压恢复电路开启电流源的信号，控制分压反馈电压电路的输出电压跟随所述输出电压的变化而变化；自举电压恢复电路，利用VFB和VBOOT信号作为开通关断电流源的触发信号。本发明利用逻辑信号控制电流源开关充电原理来为PSM模式的正常工作提供VBOOT高于VSW的5V压差，简化电路结构，无需复杂的逻辑结构和逻辑控制，成本低，可以在10‑35V内实现VBOOT高于VSW的5V压差恢复。
一种基于典型 buck psm 模式电压恢复电路

[发明专利]一种基于电流比较器的低功耗过温保护电路-CN202111243447.8有效
发明人：吴勇;李宇飞;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电流比较器的低功耗过温保护电路，包括：负温系数产生电路、电流比较器和整形电路，其中，负温系数产生电路的输入端连接偏置电压，输出端连接电流比较器的第一输入端；电流比较器的第二输入端连接偏置电压，输出端连接整形电路的输入端；整形电路的输出端输出过温保护控制信号；负温系数产生电路用于产生与温度负相关的电压信号；电流比较器用于比较负温系数产生电路的输出电流和基准电流；整形电路用于根据比较结果输出过温保护控制信号；电流比较器包括迟滞回路，迟滞回路的输出端与整形电路连接。本发明的电路，具有极低的静态功耗，只需给满足晶体管导通的最小偏置电流，电路即可正常工作，适合低功耗应用。
一种基于电流比较功耗保护电路

[发明专利]一种干扰抑制修正电路及数字隔离电路-CN202211406694.X在审
发明人：吴勇;吴佳;张艺蒙;徐嘉雯;何滇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种干扰抑制修正电路及数字隔离电路，其中，干扰抑制修正电路设置于数字隔离电路的接收端，其包括：钳位电路，与隔离器的输出端相连接；钳位电路包括一对NMOS管和一对PMOS管，钳位电路具有当隔离器的输出信号中包括高于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管关闭而一对PMOS管开启的第一状态，以及当隔离器的输出信号中包括低于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管开启而一对PMOS管关闭的第二状态，以及隔离器的输出信号即为共模电平时，一对NMOS管和一对PMOS管均关闭的第三状态；信号检测电路，与钳位电路相连接；信号修正电路，输入端与信号检测电路和解调电路相连接；解调电路的输入端与钳位电路相连接。本发明中的电路，能够有效抑制共模瞬态干扰。
一种干扰抑制修正电路数字隔离

[发明专利]一种高端PMOS功率管驱动电路-CN202110674616.7有效
发明人： 张艺蒙;丁允;张玉明;汤晓燕;宋庆文 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高端PMOS功率管驱动电路，包括：高端线性稳压模块、偏置电压产生模块、高压电平移位模块和输出缓冲模块，其中，高端线性稳压模块，用于根据输入的参考电压信号VREF产生控制电平；偏置电压产生模块，用于产生偏置电平，为高端线性稳压模块和高压电平移位模块提供偏置电压；高压电平移位模块，用于对输入的第一方波控制信号P_ctrl进行电平移位，将其转换为第二方波控制信号P_ctrl‑hs输出。输出缓冲模块，用于根据第二方波控制信号P_ctrl‑hs为高端PMOS功率管的栅极进行充电或放电，以控制高端PMOS功率管的开启或关断。本发明的驱动电路，能有效地将高端PMOS功率管的栅源电压控制在安全电压以内，且最大程度上导通高端PMOS功率管，降低导通损耗。
一种高端 pmos 功率管驱动电路

[发明专利]一种干扰抑制电路及数字隔离电路-CN202211406728.5在审
发明人：吴勇;吴佳;张艺蒙;徐嘉雯;何滇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种干扰抑制电路及数字隔离电路，其中，干扰抑制电路设置于数字隔离电路的接收端，并连接于隔离器的输出端和前置放大器之间；干扰抑制电路包括：一对NMOS管和一对PMOS管，干扰抑制电路具有当隔离器的输出信号中包括高于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管关闭而一对PMOS管开启，以降低瞬态脉冲的第一状态，以及当隔离器的输出信号中包括低于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管开启而一对PMOS管关闭，以提高瞬态脉冲的第二状态，以及隔离器的输出信号即为共模电平时，一对NMOS管和一对PMOS管均关闭的第三状态。本发明中的电路，能够有效抑制共模瞬态干扰。
一种干扰抑制电路数字隔离

[发明专利]一种用于低功耗LDO的瞬态增强电路-CN202111241876.1有效
发明人： 张艺蒙;李宇飞;宋庆文;汤晓燕;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于低功耗LDO的瞬态增强电路，包括：过冲检测电路、负摆率增强控制信号产生电路、正摆率增强控制信号产生电路和摆率增强电路，其中，过冲检测电路用于检测LDO的输出电压，在LDO的输出电压发生跳变时，产生下冲检测信号和上冲检测信号；负摆率增强控制信号产生电路在LDO的输出电压下冲时，根据下冲检测信号产生负摆率增强控制信号；正摆率增强控制信号产生电路在LDO的输出电压上冲时，根据上冲检测信号产生正摆率增强控制信号；摆率增强电路根据接收的负摆率增强控制信号或者正摆率增强控制信号，控制LDO的调整管的栅极快速充放电，以实现LDO的快速瞬态响应。本发明的瞬态增强电路结构简单，面积小，在低功耗LDO应用中，具有极高的性价比。
一种用于功耗 ldo 瞬态增强电路

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