专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]苦菜药酒及其制备方法-CN201510894532.9在审
  • 霍莉;马晓莉;徐月清;张秀敏;王晓科 - 河北大学
  • 2015-11-24 - 2016-04-13 - A61K36/8945
  • 本发明公开了一种苦菜药酒及其制备方法,包含以下重量份的原料:苦菜100-200、琉璃苣30-50、薄荷5-10、益母草5-10、白芷4-8、白术4-8、山药5-10、玫瑰花5-15、荷花5-15、牡丹花5-15、金银花5-15、木蝴蝶5-15、珍珠粉5-15以及白酒或葡萄酒500-2000。所述苦菜药酒不仅能够美容养颜、安神助眠、调节肠道菌群,起到抗腹泻、防便秘的效果,并且能够有效治疗盆腔炎。所使用的琉璃苣味道独特鲜美,并具有解毒、镇痛、消炎等多种功效,与苦菜结合后在口感和功效上相辅相成。此外,在药酒原料中薄荷、益母草、白芷等多种中药,能够提高所述苦菜药酒的美容养颜功效。
  • 药酒及其制备方法
  • [发明专利]白光倒装芯片及其制备方法-CN201510711865.3在审
  • 华斌;张秀敏;闫晓密;黄慧诗 - 江苏新广联半导体有限公司
  • 2015-10-28 - 2016-03-09 - H01L33/46
  • 本发明涉及一种白光倒装芯片及其制备方法,包括衬底,其特征是:在所述衬底的下表面设置GaN外延层,在GaN外延层上刻蚀形成台阶,在上层台阶上设置ITO膜,在ITO膜和下层台阶的表面上分别设置芯片电极;在所述GaN外延层的侧面、GaN外延层下表面暴露的区域、ITO膜的侧面以及ITO膜下表面暴露的区域设置高反射DBR层。所述高反射DBR层由SiO2和TiO2两种材料交替而成,交替层数为30~33层,高反射DBR层5的厚度为1.5~2.0μm。所述衬底采用掺杂荧光粉的蓝宝石衬底。本发明所述白光倒装芯片及其制备方法,无需额外的荧光粉胶体,直接将荧光粉掺杂在蓝宝石晶体内部,同时在芯片外延层周围覆盖高反射率的DBR结构,具有光色一致性好,发光效率高,焊接可靠性高等优点。
  • 白光倒装芯片及其制备方法
  • [发明专利]五面出光的LED封装结构及其制备方法-CN201510714432.3在审
  • 黄慧诗;周锋;张秀敏 - 江苏新广联半导体有限公司
  • 2015-10-28 - 2016-03-02 - H01L33/50
  • 本发明涉及一种五面出光的LED封装结构及其制备方法,包括倒装芯片,倒装芯片的正面具有芯片焊盘;其特征是:所述倒装芯片的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶。在所述混有荧光粉的硅胶上表面还设有硅胶层。所述五面出光的LED封装结构的制备方法,其特征是,包括以下工艺步骤:将倒装芯片排列到耐高温载膜上;将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片的耐高温载膜上,循环喷涂3~10次;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1~10%;将步骤2处理后的耐高温载膜于80~150℃烘烤1~3小时;利用高速砂轮切割机在耐高温载膜上按照横向和纵向进行切割,将多余的硅胶切割去除。本发明的器件尺寸可以做的很小,封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内。
  • 五面出光led封装结构及其制备方法
  • [发明专利]LED芯片结温测试方法-CN201510691257.0在审
  • 黄慧诗;闫晓密;张秀敏;周锋 - 江苏新广联半导体有限公司
  • 2015-10-22 - 2016-02-24 - G01R31/26
  • 本发明涉及一种LED芯片结温测试方法,其特征是,包括以下步骤:(1)建模:LED芯片在驱动电流下分别采集25℃、40℃、60℃、80℃、100℃、120℃环境温度下驱动电流的电压值;(2)建模计算:根据步骤(1)得到的温度和对应的电压差值获取一次函数拟合公式y=ax+b,其中x为横坐标,代表环境温度;y为纵坐标,代表电压差值;a为斜率,b为截矩;(3)实测:采用驱动电流将LED芯片驱动到热平衡状态,获取热平衡状况下的电压值;(4)结温计算:获取热平衡电压与常温建模电压差ΔVf;再根据结温计算公式Tj=(ΔVf-b)/a,计算得到LED芯片的结温。所述驱动电流采用相应LED芯片的老化电流。本发明可获取准确的LED芯片结温,并且测试设备成本较低。
  • led芯片测试方法
  • [发明专利]高压发光二极管透明导电层的制造方法-CN201510690723.3在审
  • 闫晓密;黄慧诗;张秀敏 - 江苏新广联半导体有限公司
  • 2015-10-22 - 2016-01-06 - H01L27/15
  • 本发明涉及一种高压发光二极管透明导电层的制造方法,其特征是,包括以下步骤:步骤1:采用GaN基LED外延片生长形成自下而上分布的衬底、缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子肼和P-GaN层;步骤2:生长完成的LED外延片清洗干净,采用化学气相沉积法制备二维石墨烯,将二维石墨烯转移到LED外延片的P-GaN层表面、并与P-GaN层电学接触,得到透明导电层;步骤3:在外延片表面涂覆光刻胶,光刻进行图形化,采用物理刻蚀使得N-GaN层暴露出来,最后清除光刻胶;步骤4:沉积掩膜层SiO2,光刻图形做出SiO2绝缘层;步骤5:采用电子束蒸发金属Au,光刻图形做出P电极、N电极和桥接结构。本发明采用石墨烯代替ITO作为透明导电层,解决目前ITO越厚影响透明度的缺陷。
  • 高压发光二极管透明导电制造方法
  • [实用新型]智能能源介质综合测量装置-CN201520448053.X有效
  • 杜学强;宋占贤;唐立全;张秀敏 - 唐山阿诺达自动化有限公司
  • 2015-06-26 - 2015-10-14 - G01D21/02
  • 一种智能能源介质综合测量装置,包括智能变送测量主机和节流件,智能变送测量主机置于管道外部,节流件安装在管道内部;智能变送测量主机包括箱体和智能仪表,箱体底部有接线端子;节流件包括取压室、节流板和连接法兰,节流板设置在连接法兰的轴线中央位置;取压室分设在节流板两侧的连接法管壁上;节流板中嵌装有温度传感器;取压室的导压孔通过导压管与智能变送测量主机的导压孔连接;温度传感器通过测温电缆与智能变送测量主机的接线端子连接。本新型采用了集成化变送测量结构、智能化计算主机、一体化多孔节流件,具有标准通讯接口,可实现温度、压力、流量等物理量的高精度测量,结构紧凑、外观美观、安装方便、高效节能。
  • 智能能源介质综合测量装置

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