专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种降雨击溅侵蚀监测开合式溅蚀杯-CN201921956159.5有效
  • 张尚文;陈志明;李广;马维伟 - 甘肃农业大学;甘肃林业职业技术学院
  • 2019-11-13 - 2020-06-30 - G01N17/00
  • 本实用新型公开了一种降雨击溅侵蚀监测开合式溅蚀杯,包括盛土圆筒、外围大圆筒、两块隔板、两个扇形盛土屉,以及设置在外围大圆筒两侧的两个把手,所述外围大圆筒前侧面上与收集孔开设位置对应处安装有一扇铁门,所述铁门上开设有一个内径为5mm的溢水孔,所述盛土圆筒底部焊接铜网,通过两块隔板安装在外围大圆筒的中心处,且其面与外围大圆筒的底面齐平,两个扇形盛土屉对称设置在盛土圆筒上。本实用新型在盛土圆筒两侧分别安装一个盛土屉,以便装土、换土方便、省时;并在大圆筒两侧的集蚀屉拉手上方安装把手,以便挪用;同时将原有溅蚀杯扩大2.5倍,以便科学取样;在原有溅蚀杯收集孔处安装一扇铁门,以防止所收集的溅蚀量无端消耗。
  • 一种降雨侵蚀监测合式溅蚀杯
  • [发明专利]半导体装置-CN201911052805.X在审
  • 林义雄;张尚文;邱奕勋 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-10-31 - 2020-05-08 - H01L27/088
  • 一种半导体装置包括在第一方向上纵向地延伸的第一半导体条带和第二半导体条带,其中第一半导体条带和第二半导体条带在第二方向上彼此间隔。半导体装置还包括位在第一半导体条带和第二半导体条带之间的电源线。与第一半导体条带的顶表面相比,电源线的顶表面是凹陷的。源极特征设置在第一半导体条带的源极区上,并且源极接点将源极特征电性耦接至电源线。源极接点包括与源极特征的顶表面接触的横向部分和沿着源极特征的侧壁朝向电源线延伸以与电源线物理接触的垂直部分。
  • 半导体装置
  • [发明专利]集成电路及静态随机存取存储器单元-CN201910905266.3在审
  • 王志豪;邱奕勋;林义雄;张尚文 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-09-24 - 2020-03-31 - H01L27/11
  • 一种集成电路及静态随机存取存储器(SRAM)单元,其中静态随机存取存储器单元含第一p型半导体鳍片、第一介电鳍片、第一混合鳍片、第二混合鳍片、第二介电鳍片、及第二p型半导体鳍片,并以此顺序沿第一方向设置,且沿大致上垂直第一方向的第二方向纵向定向,第一及第二混合鳍片皆具含n型半导体材料的第一部分及含介电材料的第二部分。SRAM单元还包括设置于每个第一及第二p型半导体鳍片上的n型源极/漏极外延特征、设置于每个第一及第二混合鳍片的第一部分上的p型源极/漏极外延特征、及实体接触每个p型源极/漏极外延特征及每个第一及第二混合鳍片的第二部分的源极/漏极接点。
  • 集成电路静态随机存取存储器单元

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