专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制作光刻胶图案的工艺-CN200710166661.1无效
  • 林进祥;陆晓慈;陈桂顺;张庆裕;张尚文 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2007-11-01 - 2008-05-07 - G03F7/00
  • 本发明有关于一种在半导体元件上形成光刻胶图案的工艺。其中集成电路的图案化工艺,包括:提供一基底层;形成一缓冲层于该基底层之上;形成一光刻胶层于该缓冲层之上;诱导一反应于该缓冲层的一区域,使得该区域具有可移除性;以及以一显影剂移除该缓冲层的该区域及该区域上的该光刻胶层的一对应部位。本发明还公开了一种图案化一基材的工艺和在半导体元件层上显影图案的工艺。本发明降低了图案化的光刻胶层开口处的光刻胶足部及(或)残余物,从而更加适于实用。
  • 制作光刻图案工艺
  • [发明专利]图案光刻胶的微缩制造过程-CN03120287.X有效
  • 张尚文;陈家桢;刘家助;林思闽;陈正中 - 联华电子股份有限公司
  • 2003-03-10 - 2004-09-22 - H01L21/027
  • 一种图案光刻胶的微缩制造过程,包括:提供一半导体衬底,其上具有一光刻胶层;藉由一光学光刻工序形成多个具有第一线宽的图案光刻胶于半导体衬底上;进行一酸化工序以形成一具有酸性物质的扩散层于多个图案光刻胶上;进行一再烘烤工序以使扩散层内的酸性物质扩散至多个图案光刻胶中,同时使得酸性物质与位于其扩散深度内的多个图案光刻胶进行一链锁反应以形成多个化学反应层于多个图案光刻胶的表层中,其中,多个图案光刻胶中的酸性物质的扩散深度是取决于酸化工序的酸性物质的扩散速率;以及进行一再显影工序以去除多个化学反应层并形成多个具有第二线宽的图案光刻胶于半导体衬底上。其中上述的所有工序是藉由原位反应的方式进行的。
  • 图案光刻微缩制造过程
  • [发明专利]全自动钩式电表-CN02119728.8无效
  • 张尚文 - 瑞星科技股份有限公司
  • 2002-05-15 - 2003-11-26 - G01R15/12
  • 一种全自动钩式电表,具有全自动侦测并选择作电流量测电压量测或电阻量测,使用者只要将电表的电源开启,不再作其它操件就可从显示幕得到精确的电量读值,有别于一般手动选择欲量测的电流电压或电阻值等的不同功能档位的钳型电表,如此即可避免电表使用者因操作欲量测的电量,而造成使用者自身安全的危险及表体本身的损害,大大提高了工业界大电流量测应用的工业安全,而且亦节省操作电表的动作与时间,从而提高其便利与效率。
  • 全自动电表

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