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[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202180019739.5在审
发明人：刘思敏;霍宗亮;徐伟;许波;郭亚丽;陈斌;张丝柳;苏界 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器及其制造方法，所述方法包括：在衬底(110)上形成包括交替堆叠的电介质层(121)和牺牲层(122)的叠层结构(120)；形成贯穿叠层结构(120)的栅线缝隙(161)；以及经由栅线缝隙(161)，对靠近栅线缝隙(161)的部分电介质层(121)及牺牲层(122)进行刻蚀，以形成凹槽(162)，其中，凹槽(162)的底部位于牺牲层(122)中，并且在垂直于衬底(110)方向上，凹槽(162)尺寸的最小值大于等于对应的牺牲层(122)的尺寸。通过上述方法制作的三维存储器，在一定程度上避免了栅极层短接和栅极层断路的问题，提高了存储器的可靠性。
三维存储器及其制备方法

[实用新型]一种化学槽-CN202222012368.2有效
发明人：梁堰风;张丝柳;苏界;王家成 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：公开了一种化学槽，包括：第一槽体；气体输入组件；以及气体辅助输入组件；气体输入组件包括：出气管，位于第一槽体底部，且沿第一方向延伸，出气管远离第一槽体槽底面的一侧开设有出气孔；以及进气管，位于第一槽体的一侧侧壁处，且与第一槽体的侧壁平行，进气管在出气管的第一端与出气管连通；气体辅助输入组件至少包括辅助出气管，辅助出气管位于第一槽体底部且沿第二方向延伸，辅助出气管远离槽底面的一侧开设有出气孔；其中，第一方向和第二方向相互交叉，出气管的第一段和第二端相对。本实用新型的化学槽设置气体辅助输入组件，以对出气管两端的出气压力进行补偿，解决在出气管的两端，晶圆的刻蚀速率的差异问题。
一种化学

[实用新型]晶圆的处理设备以及半导体处理系统-CN202221438718.5有效
发明人： 张丝柳;苏界;梁堰风;王家成 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B01F33/80 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆的处理设备以及半导体处理系统，该晶圆的处理设备包括：处理装置，包括壳体以及第一处理腔，第一处理腔位于壳体中，第一处理腔用于放置待处理的晶圆；混合装置，包括第一入口、第二入口以及出口，其中，出口与处理装置的入口连通，第一入口为预定气体的入口，第二入口为液体处理剂的入口。该晶圆的处理设备使得进入处理装置中的混合物中，预定气体和液体处理剂的混合较为均匀，从而使得预定气体能够更好地带动液体流动，进而使得液体处理剂对晶圆时的片内的均匀性较好，当同时处理多个晶圆时，也能保证不同的晶圆的处理效果较为一致，保证了晶圆与晶圆之间的均匀性较好。
处理设备以及半导体系统

[实用新型]晶圆处理设备-CN202122355081.5有效
发明人：李明;张丝柳;白靖宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶圆处理设备。其中，晶圆处理设备包括：箱体和液体引流组件，所述箱体用于容置液体，所述箱体内具有多个晶圆安放位，所述晶圆安放位用于安放晶圆；所述液体引流组件设置于所述箱体，用于驱动所述箱体内的所述液体流动以利用流动的所述液体冲刷所述晶圆表面。通过液体引流组件驱动液体流动，一方面，液体在流动中对晶圆进行蚀刻或清洗，另一方面，整个箱体内的液体是流动的，箱体内各处的液体混合较均匀，能够提高晶圆蚀刻或清洗的均匀性。
处理设备

[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构-CN202210114496.X在审
发明人： 张丝柳;苏界;郎陆广 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：提供具有器件区和参考区的衬底，器件区包括第一本体结构以及栅线狭缝，第一本体结构包括沿第一方向交替叠置的牺牲层和绝缘介质层；参考区包括第一阻挡部以及第二本体结构，第二本体结构包括沿第二方向交替叠置的牺牲部和第二阻挡部；将牺牲层的材料以及牺牲部的材料替换为导电材料，形成多个第一导电层以及多个第二导电层；去除部分的导电材料，使得第一导电层的裸露表面低于绝缘介质层的靠近栅线狭缝的表面，形成多个第一凹槽，使得第二导电层的预定表面低于第二阻挡部的预定表面，形成多个第二凹槽。该方法解决现有技术中难以监测每片晶圆的栅线狭缝里凹槽的尺寸的问题。
半导体结构制作方法以及

[发明专利]一种晶片刻蚀装置-CN202111627793.6在审
发明人： 张丝柳;顾立勋;宋冬门 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种晶片刻蚀装置，包括第一喷嘴，第一喷嘴包括：第一滑动组件、第二滑动组件和中间连接部；第一滑动组件与第二滑动组件分别位于中间连接部的上下两侧；第一滑动组件的侧壁与第二滑动组件的侧壁均能凸出于中间连接部的侧壁，以在第一滑动组件的下表面、中间连接部的侧壁和第二滑动组件的上表面之间围成用于容纳被刻蚀晶片的边缘的容纳槽；第一滑动组件与中间连接部的上表面滑动连接，第二滑动组件与中间连接部的下表面滑动连接，使第一滑动组件和第二滑动组件分别沿晶片的直径方向移动；第一滑动组件和第二滑动组件上分别设置有朝向容纳槽的第一出液口和第二出液口，第一出液口和第二出液口用于喷出刻蚀液体。
一种晶片刻蚀装置

[发明专利]三维存储器及其形成方法-CN202111245069.7在审
发明人：苏界;郑晓芬;张丝柳;王家成 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的堆叠结构、以及贯穿所述堆叠结构的栅极隔槽，所述堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和导电层，所述导电层还覆盖所述栅极隔槽的侧壁和底壁；于所述栅极隔槽内形成覆盖所述导电层表面的介质层；对所述介质层进行改性处理，使得至少所述介质层底部的刻蚀速率大于所述介质层顶部的刻蚀速率；刻蚀掉改性后的所述介质层、以及至少位于所述栅极隔槽侧壁和底壁上的所述导电层。本发明减少甚至是避免了所述导电层在所述栅极隔槽底部的残留，改善了栅极之间发生漏电的现象。
三维存储器及其形成方法

[实用新型]湿法刻蚀设备-CN202122036107.X有效
发明人：梁堰风;杨永刚;张丝柳;苏界;王家成 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种湿法刻蚀设备，其包括：反应腔，下部设置有至少一进液口；第一加热装置，设置在所述反应腔外，用于加热刻蚀溶液，加热后的刻蚀溶液能够经所述进液口进入所述反应腔；第二加热装置，设置在所述反应腔上方，用于加热所述反应腔内的刻蚀溶液。本实用新型的优点在于，湿法刻蚀设备利用第一加热装置及第二加热装置实现对刻蚀溶液的加热，在提高刻蚀溶液温度的同时能够缩小所述反应腔下部与上部刻蚀溶液温度上升速率的差异，平衡反应腔上部及下部刻蚀溶液的温差，进而在提高刻蚀速率的同时提高刻蚀均匀性。
湿法刻蚀设备

[发明专利]一种晶片刻蚀装置-CN201910797351.2有效
发明人： 张丝柳;顾立勋;宋冬门 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种晶片刻蚀装置，包括第一喷嘴，第一喷嘴包括：第一滑动组件、第二滑动组件和中间连接部；第一滑动组件与第二滑动组件分别位于中间连接部的上下两侧；第一滑动组件的侧壁与第二滑动组件的侧壁均能凸出于中间连接部的侧壁，以在第一滑动组件的下表面、中间连接部的侧壁和第二滑动组件的上表面之间围成用于容纳被刻蚀晶片的边缘的容纳槽；第一滑动组件与中间连接部的上表面滑动连接，第二滑动组件与中间连接部的下表面滑动连接，使第一滑动组件和第二滑动组件分别沿晶片的直径方向移动；第一滑动组件和第二滑动组件上分别设置有朝向容纳槽的第一出液口和第二出液口，第一出液口和第二出液口用于喷出刻蚀液体。
一种晶片刻蚀装置

[发明专利]干燥装置、刻蚀设备及湿法清洗设备-CN202111088397.0在审
发明人：王家成;苏界;张丝柳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种干燥装置、刻蚀设备及湿法清洗设备。干燥装置包括：干燥腔室，包括腔室主体和盖体，盖体盖设在腔室主体顶部的开口上，腔室主体和盖体共同形成干燥腔；喷嘴，设置在腔室主体内，以向干燥腔内通入用于干燥待干燥件的气体；其中，盖体的内壁上设置有疏水层，以防止气体在盖体上凝结掉落至待干燥件上。本发明的干燥装置解决了现有技术中的晶圆在干燥过程中容易受到污染的问题。
干燥装置刻蚀设备湿法清洗

[发明专利]存储器及其制造方法-CN202111115804.2在审
发明人：苏界;郑晓芬;张丝柳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储器及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成堆叠结构；所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅电极层；其中，所述存储器具有贯穿所述堆叠结构的栅缝隙；所述栅电极层通过所述栅缝隙侧壁和底部的导电材料连通；在所述栅缝隙的侧壁和底部覆盖绝缘材料；去除部分所述绝缘材料和位于所述栅缝隙底部以及至少部分侧壁的所述导电材料；去除剩余所述绝缘材料；去除所述栅缝隙侧壁和底部的所述导电材料，形成相互分离的所述栅电极层。
存储器及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制备方法以及半导体器件-CN202111113784.5在审
发明人：苏界;张丝柳;宋锐;杨永刚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，该制备方法包括：在衬底上形成由多个绝缘层和多个牺牲层组成的堆叠结构以及垂直穿过堆叠结构的栅线缝隙，栅线缝隙被多个绝缘层和多个牺牲层所围而具有第一宽度，第一宽度由下至上以第一变化率逐渐变大，去除多个牺牲层得到多个栅极开口，以第一台阶覆盖率在多个栅极开口中形成第一栅极层，之后，以小于第一台阶覆盖率的第二台阶覆盖率在第一栅极层上形成第二栅极层，本发明提供的半导体器件的制备方法，通过以不同台阶覆盖率分步沉积第一栅极层和第二栅极层，而使栅线缝隙被第二栅极层所围而具有尺寸相差不大的顶部与底部，有效地避免了在后续进行回刻蚀时，无法得到上层的栅极结构的问题。
半导体器件制备方法以及

[发明专利]刻蚀用组合物及其使用方法-CN202110589162.3在审
发明人：周永平;任德营;杨永刚;宋冬门;陈嘉泽;张丝柳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀用组合物及其使用方法。该组合物包括氢氟酸和水，其中，水与氢氟酸的体积比为3000：1至6000：1。该组合物能够相对于氧化物材料刻蚀氮化物材料。通过调节该组合物中水与氢氟酸的体积比，可以任意调节氮化物材料的刻蚀率和氧化物材料的刻蚀率。使用该组合物相对于氧化物材料刻蚀氮化物材料可以降低对氧化物材料的不良影响。
刻蚀组合及其使用方法

[发明专利]硅刻蚀液和半导体结构的刻蚀方法-CN202010574549.7有效
发明人：宁勇;张丝柳;郑晓芬;夏余平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅刻蚀液以及一种半导体结构的刻蚀方法。该硅刻蚀液包括以体积分数计的1‑2份氟化氢、1‑3.3份过氧化氢和94.7‑98份去离子水。该半导体结构的刻蚀方法，包括：制备本发明的该硅刻蚀液；提供半导体结构，所述半导体结构的表面上覆盖待刻蚀硅层；以及将所述半导体结构浸泡在所述硅刻蚀液中，至少使所述待刻蚀硅层与所述硅刻蚀液接触。本发明的硅刻蚀液刻蚀速率稳定，具有较好的润湿性能，有利于具有高深宽比的孔状结构中的硅层刻蚀，并且适于大规模批量生产的应用场景。
刻蚀半导体结构方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和形成CMOS器件的方法-CN201910807815.3有效
发明人：王二伟;顾立勋;张丝柳;李君 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法和形成CMOS器件的方法。该半导体器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的高压阱、第一低压阱和第二低压阱，所述高压阱上覆盖有第一栅氧化层，所述第一低压阱和第二低压阱具有裸露的硅表面；在所述第一低压阱和第二低压阱上一并形成第二栅氧化层；在所述高压阱和所述第一低压阱上覆盖保护层；以及减薄所述第二低压阱上的第二栅氧化层，形成第三栅氧化层。
半导体器件制造方法形成 cmos 器件

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