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[发明专利]具有高维持电压、低触发电压的电阻电容耦合硅控整流器结构-CN202210685009.5在审
发明人：庚润;田志;姬峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高维持电压、低触发电压的电阻电容耦合硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱与P型衬底交界处设有第一浅沟槽隔离，N阱上设有第二浅沟槽隔离，从第一浅沟槽隔离至第二浅沟槽隔离间的N阱依次形成有间隔设置的第一N型离子注入层和第一P型离子注入层；第一N型离子注入层上设有第一连接结构，用于引出阳极；P型衬底上形成有横跨N阱与P型衬底的交界处的第二P型离子注入层，第二浅沟槽隔离至第二P型离子注入层间的N阱上形成有栅极。本发明通过改变RC的值可以调控触发电压；具有较高的维持电压，并且通过改变过渡区的宽度来调控维持电压；具有更高的闩锁抗性。
具有维持电压触发电阻电容耦合整流器结构

[发明专利]可调高维持电压、低触发电压的硅控整流器结构-CN202210669459.5在审
发明人：庚润;田志;姬峰;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供一种可调高维持电压、低触发电压的硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上设有依次间隔分布的第、二浅沟槽隔离，第一、二浅沟槽隔离间形成有第一N型离子注入层，第二浅沟槽隔离的一侧形成有第一栅极、第一、二P型离子注入层；P阱上设有依次间隔分布的第三浅沟槽隔离和第四浅沟槽隔离，第三浅沟槽隔离和第四浅沟槽隔离间形成有第三P型离子注入层，第二N型离子注入层一部分横跨N阱和P阱，第二N型离子注入层另一部分位于P阱；第二P型离子注入层和第二N型离子注入层间设有第五浅沟槽隔离。本发明可以降低触发电压；提高维持电压；调整触发电压。
可调维持电压触发整流器结构

[发明专利]具有均匀导通路径的可控低触发电压硅控整流器结构-CN202210669460.8在审
发明人：庚润;田志;姬峰;王奇伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有均匀导通路径的可控低触发电压硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上设有依次间隔分布的第、二浅沟槽隔离，第一、二浅沟槽隔离间形成有第一N型离子注入层，第二浅沟槽隔离的一侧形成有第一栅极、第一、二P型离子注入层；P阱上设有依次间隔分布的第三、四浅沟槽隔离，第三、第四浅沟槽隔离间形成有第三P型离子注入层；第二P型离子注入层和第二N型离子注入层间设有第五浅沟槽隔离，使得第二P型离子注入层和第二N型离子注入层两者相靠近的一侧分别交叉对半横跨过N阱和P阱的交界处。本发明可以降低触发电压；提高维持电压；调整触发电压。
具有均匀通路可控触发电压整流器结构

[发明专利]可调低触发电压、高维持电压的硅控整流器结构-CN202210669628.5在审
发明人：庚润;刘涛;田志;姬峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可调低触发电压、高维持电压的硅控整流器结构，P型衬底,P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上形成有第一栅极及分别形成于第一栅极两侧的第一、二P型离子注入层，第二P型离子注入层一部分位于N阱上，第二P型离子注入层另一部分横跨N阱与P阱的交界处；N阱上依次设有与第一P型离子注入层间隔分布的第一N型离子注入层、第一浅沟槽隔离；P阱上形成有第二栅极及分别形成于第二栅极两侧的第二N型离子注入层和第三N型离子注入层，第二N型离子注入层一部分位于P阱上，第二N型离子注入层另一部分横跨N阱与P阱的交界处。本发明可以有效快速的达到所需要的低电容静电保护范围，同时降低抗闩锁能力。
可调触发电压维持整流器结构

[发明专利]高维持电压低触发电压的硅控整流器结构-CN202210669575.7在审
发明人：庚润;田志;姬峰;王奇伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供一种高维持电压低触发电压的硅控整流器结构，包括P型衬底,P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上设有依次间隔的第一、二、三浅沟槽隔离，第一、二浅沟槽隔离间设有第一N型离子注入层，第三浅沟槽隔离的一侧设有部分横跨N阱和P阱的第二P型离子注入层；P型衬底上设有间隔的第四、五浅沟槽隔离，第四、五浅沟槽隔离间设有第三N型离子注入层，N阱上还设有栅极，栅极的一侧设有部分横跨N阱和P阱的第二N型离子注入层，第二N型离子注入层与第二P型离子注入层间设有第六浅沟槽隔离，栅极和第四浅沟槽隔离间设有第三N型离子注入层。本发明可以有效快速的达到所需要的低电容静电保护范围，同时降低抗闩锁能力。
维持压低触发电压整流器结构

[发明专利]具有高维持电压低触发电压的RC耦合硅控整流器结构-CN202210669551.1在审
发明人：庚润;田志;姬峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高维持电压低触发电压的RC耦合硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱与P型衬底交界处设有第一浅沟槽隔离，N阱上设有第二浅沟槽隔离，从第一浅沟槽隔离至第二浅沟槽隔离间的N阱依次形成有第一N型离子注入层和第一P型离子注入层；第一N型离子注入层上设有第一连接结构，用于引出阳极；P型衬底上形成有横跨N阱与P型衬底的交界处的第二P型离子注入层，第二浅沟槽隔离至第二P型离子注入层间的N阱上形成有栅极。本发明通过改变RC的值可以调控触发电压；具有较高的维持电压；更低的触发电压和更高的维持电压使得新结构具有更高的闩锁抗性。
具有维持压低触发电压 rc 耦合整流器结构

[发明专利]CMOS抗闩锁效应结构-CN202210713440.6在审
发明人：庚润;田志;姬峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS抗闩锁效应结构，NMOS和PMOS分别形成于高压P阱和高压N阱中。在高压P阱的周侧形成有N阱隔离圈，N阱隔离圈用于从P型半导体衬底隔离NMOS。在N阱隔离圈和高压N阱之间间隔有P阱。PMOS的P+源区、高压N阱、P阱和N阱隔离圈之间形成寄生SCR。在N阱隔离圈的顶部表面形成有肖特基二极管。肖特基二极管的金属电极接地。寄生SCR开启时产生闩锁效应，且寄生SCR开启时肖特基二极管会被反向击穿，寄生SCR开启时的维持电压会叠加肖特基二极管的反向击穿电压，从而能提升寄生SCR开启时的维持电压并从而提高CMOS电路的抗闩锁效应能力。
cmos 抗闩锁效应结构

[发明专利]一种促进静电放电器件均匀触发的多指结构-CN202210457943.1在审
发明人：庚润;田志;姬峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种促进静电放电器件均匀触发的多指结构，所述结构包括多个指状结构单元，所述指状结构单元包括：P型衬底、形成于P型衬底中的高压P阱区、形成于P型衬底表面的多晶硅栅结构、形成于高压P阱区中且位于多晶硅栅结构两侧的第一N漂移区和第二N漂移区、形成于所述第一N漂移区中的N+漏端、形成于所述第二N漂移区中的N+源端；其中，在中心的至少一个所述指状结构单元中，所述N+漏端形成有P+扩散区。本发明在中心漏端插入P+扩散区来降低中心指状结构单元寄生BJT的Rsub，利用中心指状结构单元开启后的电流作为触发电流，开启其余指状结构单元。通过本发明的结构，可以大大提高静电放电器件的均匀开启效果，从而提高器件的抗静电放电能力。
一种促进静电放电器件均匀触发结构

[发明专利]一种GGNMOS结构-CN202210097232.8在审
发明人：庚润;田志;刘涛;姬峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种GGNMOS结构，位于P型衬底区的第一高压P阱；第一高压P阱内的第一N阱；第一N型漂移区；第一N型重掺杂区；第一高压P阱两侧设有第二N阱；其中一个第二N阱上设有第二N型重掺杂区；第二N阱一侧设有P阱；P阱上设有第一P型重掺杂区；P阱一侧设有第二高压P阱；第二高压P阱内设有第二N型漂移区和P型漂移区；第二N型漂移区上设有第三N型重掺杂区；P型漂移区上设有第二P型重掺杂区；第二N型漂移区与P阱之间的第二高压P阱上设有栅极结构；本发明的N阱的掺杂浓度高于N型漂移区，有效的将雪崩击穿点由N型漂移区、高压P阱转移到了N阱与高压P阱，有效降低了触发电压。不显著增加面积的前提下，有效提高了触发均匀性。
一种 ggnmos 结构

[发明专利]一种多层陶瓷颗粒强韧复合构型铝合金板材的制备方法-CN202010179659.3有效
发明人：赵庆龙;姜启川;邱丰;庚润 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B21B1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层陶瓷颗粒强韧复合构型铝合金板材的制备方法，包括如下步骤：步骤一、分别制备铝合金板材和陶瓷颗粒增强的铝合金板材；步骤二、将所述铝合金板材和所述陶瓷颗粒增强的铝合金板材叠放，并用铝箔包裹，获得预制样；步骤三、将所述预制样放入两层硬质合金之间，放入热处理炉中保温后，热轧；步骤四、将热轧后的得到的板材切割后，叠放、用铝箔包裹，放在两层硬质合金之间再次进行热轧；以及多次循环进行步骤四，得到叠轧复合铝合金板材；步骤五、将所述叠轧复合铝合金板材保温后，空冷，得到所述多层陶瓷颗粒强韧复合构型铝合金板材。
一种多层陶瓷颗粒强韧复合构型铝合金板材制备方法

[发明专利]内生微纳米混杂双相陶瓷颗粒强化剂和强化铝合金方法-CN201711273970.9有效
发明人：邱丰;庚润;姜启川;常芳 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种内生微纳米混杂双相陶瓷颗粒强化剂和强化铝合金方法，包括以下三个步骤：(1)微纳米混杂尺度内生双相TiC‑TiB
微纳米铝合金混杂高温性能陶瓷颗粒强化剂双相双相陶瓷颗粒尺度制备铝合金热挤压铝合金材料热处理三个步骤塑性成型重大意义

[发明专利]一种用于铝合金的微纳米TiC-TiB₂颗粒细化剂及细化方法-CN201711273961.X有效
发明人：邱丰;庚润;姜启川;常芳 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铝合金的微纳米TiC‑TiB₂颗粒细化剂及细化方法，包括以下三个步骤：(1)微纳米混杂尺度内生双相TiC‑TiB₂陶瓷颗粒细化剂的制备；(2)未细化铝合金的制备；(3)微纳米混杂尺度内生双相TiC‑TiB₂陶瓷颗粒细化剂细化铝合金；该发明涉及的技术方案细化铝合金效果显著，且少量细化剂的加入即可较大程度上细化晶粒，细化高效且步骤简单，细化过程易于控制，大幅减少铝合金细化剂的使用量，对于铝合金材料组织控制有着重要的实际应用价值。
一种用于铝合金纳米 tic tib2 颗粒细化方法

[发明专利]微纳米混杂TiC-TiB₂颗粒强化高性能铝合金制备方法-CN201711273983.6有效
发明人：邱丰;庚润;姜启川;常芳 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种微纳米混杂TiC‑TiB₂颗粒强化高性能铝合金制备方法，包括以下步骤：(1)B₄C粉的预处理；(2)反应压坯的制备；(3)压坯烧结原位反应致密化；(4)烧结态压坯的均匀化处理；(5)热挤压塑性成型；(6)挤压态材料热处理。本发明的技术方案，在金属中同时引入纳米尺寸和微米尺寸陶瓷颗粒，利用原位内生技术在金属中一步原位内生制备出纳米尺寸陶瓷颗粒和微米尺寸陶瓷颗粒，并使其均匀分散于铝合金基体中，获得从低体积分数到高体积分数增强相多含量变化并均匀分散的纳米颗粒和微米颗粒混杂强化的高性能铝合金材料，该材料具有超强的强韧性，具有重要的实际应用价值。
纳米混杂 tic tib base sub

[发明专利]一种纳米内生TiC颗粒增强铝合金板材的制备方法-CN201811608082.2在审
发明人：邱丰;庚润;姜启川;赵庆龙 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米内生TiC颗粒增强铝合金板材的制备方法，包括：步骤1、制备熔融6061铝合金液，并加入纳米TiC陶瓷颗粒中间合金后进行浇铸；步骤2、对浇铸的含有纳米TiC陶瓷颗粒中间合金的6061铝合金进行轧制；步骤3、对经过轧制的6061铝合金进行热处理，得到纳米内生TiC颗粒增强的铝合金板材。利用内生纳米TiC颗粒增强轧制6061铝合金板材与未加内生纳米TiC颗粒轧制6061铝合金板材相比，加入纳米TiC颗粒的6061铝合金板材的晶粒尺寸比未加纳米TiC陶瓷颗粒的6061铝合金板材明显细化，室温抗拉强度和室温屈服强度均得到了提高为生产高性能铝合金板材提供重要的技术支持。
铝合金板材轧制陶瓷颗粒制备颗粒增强铝合金颗粒增强中间合金铝合金浇铸高性能铝合金热处理晶粒技术支持铝合金液尺寸比熔融细化屈服生产

[发明专利]一种6xxx铝合金的热轧工艺-CN201811228313.7在审
发明人：赵庆龙;单彤彤;庚润;张洋洋;王爱成 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明所提供的一种6xxx铝合金的热轧工艺，将轧制变形和淬火合二为一，在轧制之前进行固溶处理，在轧制同时进行淬火；在轧制过程中，加热工件与冷却辊之间接触，使工件产生大量的热量散失，工件温度迅速下降的同时伴随着轧制变形，利用轧辊冷却来实现有效淬火和限制热畸变；本发明能够有效解决室温塑性差以及轧制后热处理变形的问题，且所得到的产品具有较高的成形性能、强化效果和尺寸精度；同时，也是一种短流程制备方法。
轧制淬火热轧工艺铝合金变形成形性能固溶处理后热处理加热工件热量散失室温塑性有效解决轧辊冷却轧制过程变形的短流程冷却辊热畸变制备

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