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[实用新型]具有防水功能的交通数据采集器-CN202321221542.2有效
发明人： 庄楚楠 -专利权人：深圳华科交通规划设计有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及交通数据采集领域的具有防水功能的交通数据采集器，包括保护壳体、交通检测模组、数据交流模组和散热组件，散热组件包括导热盒体和散热环套，散热环套环绕于保护壳体的外侧，散热环套与保护壳体之间设有通风涵道，保护壳体内设有用于与外部进行连接的密封腔体，导热盒体安装在密封腔体内，导热盒体内设有散热腔体，在使用时，可通过导热盒体将交通检测模组和数据交流模组上产生的热量通过散热鳍片传递至通风涵道处，通过外部道路上汽车带起的风力，将通风涵道内的空气与外部空气进行更换交流，以增加散热效率，在保证散热质量的同时，合理利用外部资源，以减少能源浪费，增进环保意识。
具有防水功能交通数据采集

[发明专利]一种电动车的控制方法、系统、装置及存储介质-CN202310475019.0在审
发明人：颜慧;吴轶群;庄楚楠;叶金辉;黄哲韬;李勇填;郭梓烽 -专利权人：广东水利电力职业技术学院（广东省水利电力技工学校）
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B62M6/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种电动车的控制方法、系统、装置及存储介质。该方法包括：获取电动车与前方第一障碍物的距离，作为第一距离；根据所述第一距离，确定第一限速区间；所述第一限速区间用于表征所述电动车在所述第一距离下应保持的行驶速度范围；获取所述电动车的当前车速，记为第一车速；根据所述第一车速与所述第一限速区间的关系，调节所述电动车的车速。本发明实施例能够对电动车的行驶速度进行调节，有利于提升速度调节精度，提升电动车的安全性能。本方法可以广泛的应用于电动车技术领域。
一种电动车控制方法系统装置存储介质

[发明专利]芯片单元布局优化方法、装置、设备及可读存储介质-CN202310295307.8在审
发明人：解壁伟;巫文锐;蔡晔;庄楚楠;李兴权 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片单元布局优化方法、装置、设备及可读存储介质，该方法包括步骤：获取芯片单元的整体布局数据；根据整体布局数据，确定芯片单元所处的多个单元区域，并确定每个单元区域的引脚密度；确定引脚密度是否大于预设密度；若大于，则将引脚密度大于预设密度的单元区域内的芯片单元扩散至其他的单元区域，并返回确定引脚密度是否大于预设密度的步骤，直至每个引脚密度均小于等于预设密度。本申请实现了从芯片单元布局的整体情况出发，分别确定各个单元区域内的引脚密度，将引脚密度大于预设密度的单元区域内的芯片单元扩散至其他的单元区域，以降低单元区域的引脚密度，以降低布线成本。
芯片单元布局优化方法装置设备可读存储介质

[实用新型]用于铺设路面光纤的设备-CN202221467782.6有效
发明人： 庄楚楠 -专利权人：深圳华科交通规划设计有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G02B6/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及光纤铺设技术领域的用于铺设路面光纤的设备，包括机壳、开垦部、分隔部和电路板，电路板安装在机壳内，伸缩机壳的一端底面安装有安装块，开垦部可转动地与安装块进行连接，所述安装块的侧面安装有转动电机，转动电机的一端与开垦部连接，分隔部安装在机壳的另一端底面，所述机壳的底面边缘均匀的安装有四组支撑部，所述机壳的一端顶面安装有用于安装光缆卷的线缆架，所述机壳内开设有一条连通机壳底面与机壳顶面的过线槽。本实用新型设置的开垦部能进行旋转，配合支撑部的伸缩，可以调节开垦的深度，且可以从斜向进行开垦，一次开垦的距离更长，分隔部能起到分隔开垦后的地面，以便埋入光缆。
用于铺设路面光纤设备

[发明专利]一种三元化合物半导体薄膜的制备方法-CN201910394420.5有效
发明人：许佳雄;刘怀远;邱磊;庄楚楠 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三元化合物半导体薄膜的制备方法。本发明提供了一种三元化合物半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将乙二醇、铜盐溶液和锡盐溶液混合并进行第一超声，形成含有Cu元素和Sn元素的第一溶液；步骤2：将乙酰丙酮和含硫化合物混合并进行第二超声，形成含有S元素的第二溶液；步骤3：将所述第一溶液和所述第二溶液混合并进行第三超声，形成Cu2SnS3前驱体溶胶；步骤4：将所述Cu2SnS3前驱体溶胶旋涂在玻璃衬底上，微波处理并硫化得到三元化合物半导体薄膜。本发明解决了现有溶液法制备的Cu2SnS3薄膜也易出现较多二次相，且颗粒的粒径较小的技术问题。
一种三元化合物半导体薄膜制备方法

[发明专利]一种双掺杂铜锌锡硫薄膜及其制备方法-CN201910285172.0有效
发明人：许佳雄;邱磊;庄楚楠;谢致薇;杨元政 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料技术领域，尤其涉及一种双掺杂铜锌锡硫薄膜及其制备方法。本发明公开了一种双掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，该制备方法简单，制备过程中共使用三次超声处理，使得各反应原料可以完全溶解成均一的溶液，从而制备出的前驱体溶胶体系更加稳定，能够长期保存。另外，该制备方法制备得到的铜锌锡硫薄膜为双掺杂铜锌锡硫薄膜。该薄膜缺陷少，颗粒大，结晶度和吸收系数高，解决了现有的铜锌锡硫薄膜的颗粒过小且缺陷多的问题。
一种掺杂铜锌锡硫薄膜及其制备方法

[发明专利]一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法-CN201811013186.9有效
发明人：许佳雄;黄晓梦;林俊辉;邱磊;庄楚楠 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料技术领域，尤其涉及一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法。本发明公开了一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：衬底上依次循环真空溅射锌、锡和铜银合金，得到前驱体；步骤2：将所述前驱体进行硫化，得到银掺杂铜锌锡硫薄膜。本发明解决了现有的制备方法得到的银掺杂铜锌锡硫薄膜致密性和银掺杂效率较低且工艺重复性差的技术问题。
一种掺杂铜锌锡硫薄膜制备方法

[发明专利]一种应用于3D打印机的温度控制方法及系统-CN201711310221.9有效
发明人：杨程喻;何玉定;谢致薇;庄楚楠 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G05D23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于3D打印机的温度控制方法及系统，包括：根据打印件的数字三维模型得到最优温度函数的文本型文件；将最优温度函数的文本型文件和数控代码进行整合得到新数控代码；调取一句新数控代码，其中，新数控代码中包括与最优温度函数的文本型文件所对应的新数控代码的最优温度值；判断温度传感器采集到的加热设备的实际温度是否达到最优温度值，若是，则执行新数控代码的机械操作，若否，则重新调整加热设备的温度，并判断温度传感器采集到的加热设备的实际温度是否达到最优温度值。本发明缓和了热应力集中所导致的不良反应，达到了节能减排的效果，同时还可以保证打印件底部不会因为过热而再次发生软化甚至融化之类的不良后果。
一种应用于打印机温度控制方法系统

[发明专利]一种单机移位寄存器以及一种行驱动电路-CN201810213477.6有效
发明人：刘振;杨程喻;张圳彬;庄楚楠 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本申请公开了一种单机移位寄存器，包括输入模块、时钟控制反向器和交直流驱动输出级，所述输入模块包括第一传输门，所述时钟控制反相器包括第二传输门、反相器和第一电容，所述交直流驱动输出级包括第二电容、第一交流TFT器件、第二交流TFT器件、第一直流TFT模块与第二直流TFT模块，所述第一传输门、所述第二传输门和所述反相器均包括以STT结构连接的两个TFT器件。由于本发明的单机移位寄存器中具有两个信号输出端口，而且这两个信号输出端口适用两种输出环境，能够满足不同的负载要求，克服了现有技术中交流驱动功耗大和直流驱动速度慢的缺点。本申请还相应公开了一种行驱动电路，具有精度高、延时短、功耗低的特点。
传输门移位寄存器单机信号输出端口驱动输出级行驱动电路输入模块电容反相器交直流功耗时钟控制反相器负载要求交流驱动结构连接时钟控制输出环境直流驱动反向器延时短申请交流

[实用新型]一种Cu₂ZnSn(S;Se)₄薄膜太阳能电池-CN201820034857.9有效
发明人：许佳雄;林俊辉;庄楚楠 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池，由依次复合的衬底、背电极、背表面场层、吸收层、缓冲层、窗口层和前电极组成；所述背表面场层为Cu2ZnSn(S,Se)4背表面场层或非晶硅背表面场层；所述吸收层为Cu2ZnSn(S,Se)4吸收层。与现有技术相比，本实用新型提供的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有背表面场层，能够扩展Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的内建电场分布区域，提高Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的总内建电势，形成光生少子势垒，钝化Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池背表面，从而使得到的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有良好的光伏特性。
薄膜太阳能电池背表面场吸收层本实用新型分布区域内建电场背表面背电极窗口层非晶硅缓冲层前电极衬底电势钝化光伏内建少子势垒复合

[发明专利]一种Cu2-CN201810014685.3在审
发明人：许佳雄;林俊辉;庄楚楠 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池，由依次复合的衬底、背电极、背表面场层、吸收层、缓冲层、窗口层和前电极组成；所述背表面场层为Cu2ZnSn(S,Se)4背表面场层或非晶硅背表面场层；所述吸收层为Cu2ZnSn(S,Se)4吸收层。与现有技术相比，本发明提供的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有背表面场层，能够扩展Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的内建电场分布区域，提高Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的总内建电势，形成光生少子势垒，钝化Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池背表面，从而使得到的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有良好的光伏特性。
一种 cu base sub

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