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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体发光器件制作的方法及半导体发光器件-CN201611230364.4有效
发明人：刘硕;刘治;万小承 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光器件制作的方法，包括如下步骤：在衬底上生产缓冲层和第一半导体层；在第一半导体层上制作周期性图案，并将周期性图案转移到衬底表面，在衬底表面获取表面改性区域；去除缓冲层和第一半导体层；在衬底上重新生长第二半导体层、发光层和第三半导体层。本发明还公开一种半导体发光器件，包括：衬底，以及衬底表面具有改性区域，以及依次在衬底结构上生长出的第二半导体层、发光层和第三半导体层。本发明通过外延工艺将部分半导体层区域改性处理，获得表面粗化的LED外延片的同时，且不会增加LED芯片的工作电压，提高了LED芯片的发光效率。
一种半导体发光器件制作方法

[发明专利]一种LED外延片及其制造方法-CN201410738294.8有效
发明人：刘治;袁述 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片及其制造方法，该方法包括以下步骤：在纯氮气或第一混合气氛下生长第一电子溢出阻挡层，在纯氢气或第二混合气氛下生长第二电子溢出阻挡层，所述第一混合气氛和第二混合气氛均包含氮气和氢气，所述第一混合气氛中的氮气的比例高于氢气的比例，所述第二混合气氛中的氢气的比例高于氮气的比例。本发明中的LED外延片包括两个在不同气氛下生长得到的电子溢出阻挡层，能够在保证Mg掺杂浓度的基础上，有效地提高电子溢出阻挡层的空穴浓度，填补V型缺陷，避免电子溢流，并降低了Mg掺杂的GaN层的厚度，从而大幅提升了LED外延片的发光效率。
一种 led 外延及其制造方法

[发明专利]一种倒装LED芯片结构及其制造方法-CN201410425677.X有效
发明人：刘英策;胡红坡 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供一种倒装LED芯片结构及其制作方法，其中该方法包括：步骤1，依次布置衬底、缓冲层、N型层、发光层和P型欧姆接触层；步骤2，通过刻蚀形成芯片隔离区；步骤3，在芯片两侧边缘对称分别形成N型电极形成区；步骤4，在P型欧姆接触层之上形成扩散反射层，在隔离区、N型电极形成区、扩散发射层之上形成绝缘介质膜层；步骤5、对N型电极型成区、扩散反射层之上的绝缘介质膜层形成N电极、P电极的窗口区，并对绝缘介质膜层形成山脊分离形状；步骤6、制作形成P型电极和N型电极，焊接于PCB板上。
绝缘介质膜倒装LED芯片反射层隔离区扩散芯片分离形状两侧边缘依次布置窗口区发光层发射层缓冲层山脊衬底刻蚀制作焊接对称申请制造

[发明专利]一种LED芯片及其制造方法-CN201510010137.X有效
发明人：刘英策;胡红坡;刘治 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种LED芯片及其制造方法，该LED芯片包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层、电流扩散导电层、P电极和N电极，与所述P电极接触的电流扩散导电层采用孔洞结构，所述电流扩散导电层的孔洞的大于P电极的尺寸。电流扩散导电层的孔洞比P电极的尺寸大3～8um，P电极具有Finger结构，且Finger结构与所述LED芯片中的氧化铟锡接触。本发明中的LED芯片能够增强边缘的电流扩散导电层与电极之间的结合力，降低边缘的电流扩散导电层和电极之间的脱落风险。
电流扩散导电层孔洞电极孔洞结构氧化铟锡发光层缓冲层结合力衬底制造

[发明专利]一种具有反射和电流阻挡特性的发光元件及其制造方法-CN201210559322.0有效
发明人：李琦 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供一种具有反射和电流阻挡特性的发光元件及其制造方法，包括1）在衬底上依次外延生长缓冲层、n型氮化镓基外延层、有源层和p型氮化镓基层；2）在p型氮化镓层上表面蚀刻出凹槽；3）用金属反射材料填充p型氮化镓层上的凹槽；4）制备电流阻挡层，该电流阻挡层覆盖所述金属反射材料；5）在电流阻挡层制备透明导电层，最后再制备p型电极和n型电极。本发明能够提升发光元件外量子效率,并且成本低、工艺简单且可靠性高。
一种具有反射电流阻挡特性发光元件及其制造方法

[发明专利]一种蓝宝石衬底图形化制作的方法-CN201611225598.X在审
发明人：刘硕;刘治;万小承 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种蓝宝石衬底图形化制作的方法，包括如下步骤在蓝宝石衬底上制作二维图案；在二维图案的蓝宝石衬底上制作三维图案。本发明通过两次图案制作，在可以实现蓝宝石衬底的生长表面呈现周期性起伏分布的外延片，增加外延层的出光面积，可进一步提高氮化镓基发光二极管的光功率。
一种蓝宝石衬底图形制作方法

[发明专利]金属电极具有阵列型微结构的发光二极管及其制造方法-CN201210349636.8有效
发明人：周圣军;王书方 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属电极具有阵列型微结构的发光二极管，包括外延片衬底和制备在外延片衬底上的多层结构，所述多层结构由下至上依次为缓冲层、第一型半导体层、多量子阱活性层、电子阻挡层、第二型半导体层和透明电流扩展层，第一型金属电极和第二型金属电极制备在透明电流扩展层之上，且第一型金属电极和透明电流扩展层与第二型半导体层之间由绝缘层隔开。本申请还提供了相应的发光二极管制作方法。本发明能够明显改善发光二极管芯片在制造过程中有源区面积大幅减小的情况，可以有效的提高发光二极管的光功率。
金属电极具有阵列微结构发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的回收方法-CN201510021864.6在审
发明人：胡红坡;刘英策;袁述 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底的回收方法，包括以下步骤：在氮气和/或氢气的气氛下，对LED外延片进行高温烘烤，去除图形化蓝宝石衬底上的外延层；使用氢氧化钾溶液和/或氢氧化钠溶液，对高温烘烤后的图形化蓝宝石衬底进行腐蚀；使用超纯水对腐蚀后的图形化蓝宝石衬底进行清洗，从而得到能够重新使用的图形化蓝宝石衬底，极大地提高了图形化蓝宝石衬底的利用率，进而降低了LED芯片的生产成本。此外，该方法简单易行，安全方便，回收周期短，效果好。
一种图形蓝宝石衬底回收方法

[发明专利]一种半导体发光器件及其制造方法-CN201410706335.5在审
发明人：胡红坡;袁述 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括衬底、位于所述衬底之上的外延层、透明导电层、p电极和n电极，外延层由非故意掺杂缓冲层、n型半导体层、发光层和p型半导体层构成，且所述外延层上蚀刻出n型半导体层；透明导电层位于p型半导体层之上，p电极位于透明导电层之上，n电极位于蚀刻出的n型半导体层上，发光层由3-8个量子阱构成，该量子阱由薄的势垒层与薄的势阱层组成，且量子阱的两端有载流子限制层，能够降低发光光谱半高宽，提高发光层内的载流子的复合效率，进而提高发光器件的发光效率。
一种半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN201410425629.0在审
发明人：刘英策;胡红坡 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供一种LED芯片结构及其制备方法，该方法包括：粗化外延片；和平化电极接触区。该结构包括：从底向上顺序布置的衬底、缓冲层、N性材料层、MQW发光区和经过粗化的P性材料；其中，P性材料的表面一部分存在平化区域，平化区域上布置透明导电层和电极。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]具有表面微结构的发光二极管及其制造方法-CN201210322627.X在审
发明人：周圣军;王书方 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有表面微结构的发光二极管，所述发光二极管发光的一侧表面制备有镶嵌式微结构，所述镶嵌式微结构包括第一微结构和制备在所述第一微结构表面的第二微结构，所述第一微结构的图案与所述发光二极管的金属电极的导线图案相匹配，且为微米级尺寸；所述第二微结构的尺寸小于所述第一微结构，为纳米级。本申请还提供了相应的发光二极管制备方法。本发明既能够提高芯片的电流扩展能力，又能够提升芯片的光提取率，因此能显著提高芯片的整体电光转换效率。
具有表面微结构发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种LED灯具-CN201210118503.X有效
发明人：袁述 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED灯具，包括立式灯座、LED光源和光学灯罩，光学灯罩安装在灯座的前端，LED光源安装在灯座上，LED光源包括圆锥形的散热基板，散热基板上均匀布置LED器件，散热基板和灯座之间跨接布置半球形反射板。
一种 led 灯具

[发明专利]一种LED发光结构-CN201110364855.9有效
发明人：方方 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED发光结构，包括：用于注入空穴的p型掺杂区域；位于底部、用于注入电子的n型掺杂区域；位于所述n型掺杂区域上的发光有源区，其特征在于，所述发光有源区包括：至少一个第一类量子阱的InGaN阱层和InAlGaN垒层，至少一个第二类量子阱的InGaN阱层和InAlGaN垒层，和至少一个第三类量子阱的InGaN阱层和垒层。
一种 led 发光结构

[发明专利]光电元器件封装结构-CN201110264057.9有效
发明人：王瑞庆;陈浩明 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供一种聚光型光电元器件封装结构，包括：陶瓷基座，上表面设置凹槽，凹槽的至少二相对内侧壁形成阶梯状结构，每一阶梯状结构包含上阶梯平台与下阶梯平台；太阳能芯片，设置于凹槽底面；第一电极线路，贯穿陶瓷基座，且第一电极线路的顶端与太阳能芯片电性连接；第二电极线路，贯穿陶瓷基座两侧的下阶梯平台，且利用金属导线连接至太阳能芯片；锥体形二次光学棱镜，设置于上阶梯平台上，覆盖凹槽及太阳能芯片。
光电元器件封装结构

[实用新型]LED照明设备-CN201220173360.8有效
发明人：袁述 -专利权人： 广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED照明设备，包括立式灯座、LED光源和光学灯罩，光学灯罩安装在灯座的前端，LED光源安装在灯座上并且被光学灯罩包围，LED光源包括圆锥形的散热基板，散热基板上均匀布置LED器件；前端锥尖LED器件周围布置连通中空的通气孔，散热基板和灯座之间跨接布置半球形反射板。
led 照明设备

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