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[发明专利]基板液处理装置-CN201810161560.3有效
发明人：永井高志;佐藤秀明;原大海;吉田博司;平山司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种更精确地控制处理槽内的处理液的沸腾状态的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34A)，其贮存处于沸腾状态的处理液，并且通过将基板(8)浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；浓度传感器(55B)，其检测处理液中包含的药液成分的浓度；浓度调整部(7、40、41)，其基于浓度传感器的检测浓度来向处理液添加药液成分或添加稀释液，由此将处理液中包含的药液成分的浓度调整为设定浓度；水头压力传感器(86B)，其检测处理槽内的处理液的水头压力；以及浓度设定值校正运算部(7)，其基于水头压力传感器的检测值来对提供给浓度调整部的设定浓度进行校正。
基板液处理装置

[发明专利]基板液处理装置-CN201810096859.5有效
发明人：田中幸二;盐川俊行;山下浩司;益富裕之;小杉仁;稻田尊士;池田贵志;平山司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72)，该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的开放位置之间移动。盖体具有：主体部(71A、72A)，其在该盖体位于封闭位置时覆盖内槽的上部开口；以及飞沫遮蔽部(71B、72B、71D、72D)，其连接到主体部。在盖体位于封闭位置时，飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
基板液处理装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202210267097.7在审
发明人： 平山司;后平拓 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制蚀刻中的凹部的侧壁的形状不良。例示性的实施方式所涉及的基板处理方法是对具备蚀刻对象膜和掩模的基板进行处理的方法，该掩模设置在蚀刻对象膜上并具有开口。该方法包括以下工序：工序(a)，使用第一处理气体来在与开口对应地设置于蚀刻对象膜的凹部的侧壁形成包含氮原子和氢原子的第一层；工序(b)，在工序(a)之后，使用包括含卤气体的第二处理气体来将第一层改性为第二层；以及工序(c)，在工序(b)之后，使用第三处理气体来蚀刻凹部。
处理方法装置

[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质-CN201710414430.1有效
发明人：田中裕司;平山司;稻田尊士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。不改变磷酸水溶液的浓度地将磷酸水溶液的沸腾状态保持固定，实现蚀刻均匀性。基板液处理装置(1)具有液处理部(39)、处理液循环线(42)以及调整设置于液处理部(39)的处理槽(34)的沸腾状态检测部(70)。控制部(7)基于来自沸腾状态检测部(70)的信号对处理液循环线(42)的供给泵(51)进行控制来对供给的流路内的磷酸水溶液的压力进行调整，从而将磷酸水溶液的沸腾状态调整为期望的状态。
基板液处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板液处理装置和基板液处理方法-CN201610849288.9有效
发明人：田中幸二;盐川俊行;益富裕之;佐藤尊三;田中裕司;稻田尊士;平山司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种基板液处理装置和基板液处理方法。基板液处理装置能够利用处理液对基板均匀地进行处理。在本发明中，基板液处理装置具有：处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面和/或所述第2侧面的外侧端缘设于比从所述管体的中心沿着径向使内侧端缘延伸而得的位置（B1、D1）朝向水平方向地向外侧打开的位置（A1、C1）。
基板液处理装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202010079765.4在审
发明人： 平山司;稻田尊士;百武宏展;高山和也;河野央 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。
处理方法装置

[实用新型]干燥装置及基板处理装置-CN201920657660.5有效
发明人：稻田尊士;平山司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种干燥装置，其使用干燥蒸气可以将被处理体良好干燥。根据本实用新型的干燥装置,在处理槽内部设置气体喷出口，并且连通连结有干燥蒸气供给机构，所述干燥蒸气供给机构将使药液气化所得的干燥蒸气与载流气体一起从所述气体喷出口向被处理体进行供给，所述干燥装置的特征在于：所述干燥蒸气供给机构通过气体供给管将所述载流气体的供给源和所述气体喷出口连通连结，并且在所述气体供给管的中途部配设用来使作为所述干燥蒸气的原料的所述药液进行气化的加热单元，在比所述加热单元更上游侧的所述气体供给管的中途部经由药液供给管连通连结所述药液的供给源，并在所述药液供给管的中途部设置有间歇地供给所述药液的间歇供给机构。
干燥装置处理

[发明专利]超导膜成膜用基板、超导线材和它们的制造方法-CN200980146380.7有效
发明人：宫田成纪;福岛弘之;栗木礼二;衣斐显;吉积正晃;木下晶雄;山田穣;塩原融;吉田竜视;加藤丈晴;平山司 -专利权人：财团法人国际超电导产业技术研究中心;古河电气工业株式会社;日本精细陶瓷中心
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种超导膜成膜用基板，其具备基体和氧化物层，该基体由金属形成，该氧化物层直接形成在该基体上，具有10nm～300nm的层厚和以Ra计为50nm以下的算数平均粗糙度，并且该氧化物层以氧化铬为主体。本发明涉及一种超导膜成膜用基板的制造方法，其具备以下工序：直接在由金属形成的基体上形成氧化物层，该氧化物层具有10nm～300nm的层厚和以Ra计为50nm以下的算数平均粗糙度，并且该氧化物层以氧化铬为主体。
超导膜成膜用基板线材它们制造方法

[发明专利]在基体材料上经中间层形成薄膜的方法-CN200380102131.0无效
发明人：长谷川胜哉;和泉辉郎;盐原融;菅原义弘;平山司;大场史康;几原雄一 -专利权人：住友电气工业株式会社;财团法人国际超电导产业技术研究中心
申请日： 2003-10-29 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及在基体材料上经中间层形成优质的薄膜的技术。这样的成膜技术可较好地应用于，例如在超导线材和超导器件等中能利用的氧化物高温超导体薄膜的形成。其特征在于，在基体材料上经中间层形成薄膜的方法中，计算出该基体材料与中间层间的界面A的界面能量Ea和中间层与薄膜间的界面B的界面能量Eb，计算出在中间层不存在的状态下的基体材料与薄膜间的界面C的界面能量Ec，然后，选择满足Ea＜Ec且Eb＜Ec的条件的中间层材料。
基体材料中间层形成薄膜方法

[发明专利]单晶性薄膜-CN200380102130.6无效
发明人：长谷川胜哉;和泉辉郎;盐原融;菅原义弘;平山司;大场史康;几原雄一 -专利权人：住友电气工业株式会社;财团法人国际超电导产业技术研究中心
申请日： 2003-10-29 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及在基底层上形成优质薄膜的技术。该成膜技术可较好地应用于提供，例如在超导线材或超导器件等中能利用的氧化物高温超导体薄膜。其是在基体材料上形成的单晶性薄膜，其特征在于：该薄膜由与基体材料不同的物质构成，在基底层和薄膜中共同地包含的特定的原子层在这些基体材料与薄膜的界面中被共有，在从界面起到薄膜的100个单位晶格以内的界面附近区域中，以基体材料的晶体方位为基准具有偏移角±2度以内的方位而生长的晶体所占的比例大于或等于50％。
单晶性薄膜

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