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[发明专利]钙钛矿柔性太阳电池与锂硫电池的集成自充电系统及其制备-CN202211513544.9在审
发明人： 常晶晶;杨文广;郭兴;张苗;林珍华;魏葳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M10/46 文献下载
摘要：本发明为一种钙钛矿柔性太阳电池与锂硫电池的集成自充电系统及其制备方法，系统包括钙钛矿柔性太阳电池与锂硫电池；钙钛矿柔性太阳电池包括依次设置的柔性衬底、透明导电层和若干钙钛矿电池单元，钙钛矿电池单元包括依次设置的电子传输层、钙钛矿层和空穴传输层；各钙钛矿电池单元为串联关系；最后一个钙钛矿电池单元的正电极作为钙钛矿柔性太阳电池的正电极；第一个钙钛矿电池单元的负电极作为钙钛矿柔性太阳电池的负电极；锂硫电池包括正极、负极和固体电解质，正极与正电极电连接，负极与负电极电连接，形成回路。本发明能够提高自充电系统的集成度、整体效率和稳定性。
钙钛矿柔性太阳电池电池集成充电系统及其制备

[发明专利]一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法-CN202211497523.2在审
发明人： 常晶晶;崔东升;林珍华;薛怡馨;苏杰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法，该铁电存储器包括：下电极(1)、Al1‑xScxN薄膜层(2)、Al1‑yScyN薄膜层(3)和上电极(4)，其中，所述Al1‑xScxN薄膜层(2)位于所述下电极(1)上；所述Al1‑yScyN薄膜层(3)位于所述Al1‑xScxN薄膜层(2)上，x≠y，且所述Al1‑yScyN薄膜层(3)的直径小于所述Al1‑xScxN薄膜层(2)的直径；所述上电极(4)位于所述Al1‑xScxN薄膜层(2)和所述Al1‑yScyN薄膜层(3)上。该铁电存储器采用Al1‑xScxN薄膜层和Al1‑yScyN薄膜层形成双层薄膜，通过控制Sc元素即x和y的含量来保证两层薄膜的组分不同，从而让第二层Al1‑yScyN薄膜起到改变第一层Al1‑xScxN薄膜的剩余极化强度，实现多级存储的中间状态。
一种多级存储基于 alscn 薄膜存储器及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳电池与锂硫电池的集成系统及其制备方法-CN202211351985.3在审
发明人： 常晶晶;杨文广;郭兴;张苗;林珍华;魏葳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01M10/46 文献下载
摘要：本发明为一种钙钛矿太阳电池与锂硫电池的集成系统及其制备方法，系统包括钙钛矿太阳电池、直流升压器与锂硫电池；直流升压器连接于钙钛矿太阳电池与锂硫电池之间，将钙钛矿太阳电池的输出电压上升到与锂硫电池的工作电压匹配，钙钛矿太阳电池对锂硫电池进行恒流充电，锂流电池将电能转换为化学能，实现电能存储以及稳定的能量供应。本发明通过钙钛矿太阳电池与直流升压器的串联，可以减少因系统连接方式导致的能量损耗。通过掺入硼和磷可以分别提高碳材料的表面极性和稳定性，且避免引入高活性杂原子导致的碳结构破坏，以此提升锂硫电池的电化学性能，使其更好地作为自充电系统的储能设备提高自充电系统的整体性能。
一种钙钛矿太阳电池电池集成系统及其制备方法

[发明专利]短信控制方法、系统、设备、存储介质及程序产品-CN202211401071.3在审
发明人：戴发盛;常晶晶 -专利权人：阿里巴巴（中国）有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H04W4/14 文献下载
摘要：本申请提供一种短信控制方法、系统、设备、存储介质及程序产品，其中方法包括：接收用户的第一终端发送的下行短信请求，下行短信请求中携带有：下行短信内容、下行接收方号码和用户的标记码，标记码用来标识所述用户；根据标记码和用户对应的预设号码位数，确定用户对应的第一目标扩展码和通道接入号；将通道接入号、第一目标扩展码和标记码确定为下行短信内容的短信号码，短信号码的位数等于预设号码位数；基于短信号码发送下行短信至下行接收方号码指向的第二终端，下行短信中携带有短信号码。本申请实现了提高了短信号码的自定义程度，提高有限短信号码资源的利用率。
短信控制方法系统设备存储介质程序产品

[发明专利]基于单一结构的光电/摩擦电混合纳米发电机及其制备方法-CN202211542925.X在审
发明人： 常晶晶;焦勇;林珍华;郭兴;胡赵胜;苏杰;魏葳;赵雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H02S10/10 文献下载
摘要：本发明为一种基于单一结构的光电/摩擦电混合纳米发电机及其制备方法，混合纳米发电机包括正极部分和负极部分，正极部分包括依次贴合布设的第一衬底、正电极和电子传输层、正摩擦层；负极部分包括依次贴合布设的负摩擦层、负电极和第二衬底；正摩擦层与负摩擦层相对且二者之间具有间距；正摩擦层为Ag NWs@BaTiO3/Cs0.1MA0.2FA0.7PbI3复合膜。本发明通过正摩擦层的材料设计，增大钙钛矿复合膜介电常数的同时在膜内构建肖特基结，不仅满足了通过单一结构同时收集光能和太阳能的功能，而且还有效的增大了正摩擦层的表面电荷密度，从而提升了混合纳米发电机的输出性能。
基于单一结构光电摩擦混合纳米发电机及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211460659.6在审
发明人：周龙;李鑫磊;张娇娇;林珍华;常晶晶;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：对基底依次采用生活用水和玻璃清洗剂的混合液、生活用水、无水乙醇各超声清洗，再用氮气吹尘枪吹干，再通过紫外‑臭氧装置处理；在处理后的基底表面旋涂电子传输层；将碘化铅、甲脒氢碘酸盐、甲基碘化胺、甲胺氯、碘化铯、碘化铷、L‑α‑磷脂酰胆碱和苯乙基氯化胺溶于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和乙二醇单甲醚的混合液中，获得钙钛矿前驱体溶液，将钙钛矿前驱体溶液刮涂至电子传输层的表面，形成钙钛矿层；在钙钛矿层表面旋涂空穴传输层；在空穴传输层和基底的表面蒸镀电极层。本发明在提高刮涂速度提升工艺制备效率的同时保证了良好的器件性能和稳定性。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]磁控可重构的银纳米线电磁屏蔽膜及制备方法-CN202111285515.7有效
发明人：魏葳;南泽;张宇曦;张凡;常晶晶;林珍华;苏杰;胡赵胜;张苗;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控可重构的银纳米线电磁屏蔽膜及制备方法，主要解决现有技术中电磁屏蔽膜密度大、磁损耗低、难以实现电磁屏蔽效能重构的问题。其包括三维骨架和可拉伸的高分子弹性体，该三维骨架是以银纳米线AgNWs@磁性材料的核壳结构复合粒子为原料，构成多个空心柱形单骨条，这些柱形单骨条紧密排布粘接，形成蜂窝状的骨架结构。高分子弹性体采用聚二甲基硅氧烷PDMS、橡胶、聚对苯二甲酸乙二醇酯、氢化苯乙烯‑丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、聚乙烯醇、聚氨酯丙烯酸酯中的一种，其填充在三维骨架中。本发明增强了电磁屏蔽薄膜磁损耗，提高了薄膜电磁屏蔽效能，减小了电磁屏蔽膜密度，可重复用作医用、民用及军用电子设备的电磁屏蔽。
磁控可重构纳米电磁屏蔽制备方法

[发明专利]一种可拉伸二维半导体薄膜的制备与应用-CN202210419754.5有效
发明人：高香香;常晶晶 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明属可拉伸二维半导体薄膜制备技术领域，具体涉及一种可拉伸二维半导体薄膜的制备与应用。本发明创造性地采用溶液自组装的方式通过两种物质之间的静电吸引作用直接在预拉伸的聚二甲基硅氧烷(PDMS)基板上制备二维半导体薄膜，最后将预拉伸基板的应变释放，由于强的粘附力和大的杨氏模量失配得到褶皱二维半导体薄膜，从而提高二维半导体薄膜的拉伸性能。本发明的有益效果在于制备方法简单，操作方便，成本低，可以直接在可拉伸基板上制备性能优异的可拉伸二维半导体薄膜，在高性能二维半导体薄膜柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。
一种拉伸二维半导体薄膜制备应用

[发明专利]一种基于钙钛矿材料的摩擦纳米发电机及其制备方法-CN202211412474.8在审
发明人： 常晶晶;马馨童;林珍华;焦勇;郭兴;胡赵胜;苏杰;魏葳;赵雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：一种基于钙钛矿材料的摩擦纳米发电机及其制备方法，摩擦纳米发电机包括负摩擦层和正摩擦层；负摩擦层为将MXene纳米粒子、铂纳米线和钙钛矿纳米颗粒引入电纺PVDF‑HFP纳米纤维的复合纳米纤维层；所述钙钛矿纳米颗粒分别与铂纳米线和MXene纳米粒子构建肖特基结，加速正电荷从铂纳米线及MXene纳米粒子向PVDF‑HFP的移动。本发明可使负极材料具有理想的机电耦合因子、机械柔韧性、较理想的压电常数以及可从其他材料获取电子的强大能力。并且通过引入贵金属铂纳米线、MXene纳米粒子以及混合型钙钛矿纳米颗粒，在负摩擦层内构建内部肖特基结，有效提升摩擦纳米发电机的输出电性能。
一种基于钙钛矿材料摩擦纳米发电机及其制备方法

[发明专利]水下工作的光伏储能一体化装置及其制备方法-CN202110362994.1有效
发明人： 常晶晶;林珍华;郭雨佳;王璐;张苗;苏杰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种水下工作的光伏储能一体化装置及其制备方法，主要解决现有技术光电转换效率低、水下稳定性差、成本高的问题。其包括钙钛矿太阳能电池模组、稳压器、充放电管理组件和储能电池。稳压器连接在太阳能电池模组的输出端与充放电管理组件的输入端口之间，充放电管理组件的输入输出双向端口与储能电池的输入输出双向端口相接，该太阳能电池模组，由多个钙钛矿太阳能电池构成，每个钙钛矿太阳能电池包括透明导电衬底、电子传输层、吸光层、空穴传输层、金属电极、隧穿疏水层和双层封装结构。该吸光层采用三维钙钛矿与二维钙钛矿的复合材料，弱光性能好。本发明成本低、效率高、能全时段全天候的储能供电，稳定性好，可用于水下供能系统。
水下工作光伏储能一体化装置及其制备方法

[发明专利]基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管及制备方法-CN202211354448.4在审
发明人：李祥东;王峻博;王萌;杨伟涛;袁嘉惠;游淑珍;常晶晶;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P‑AlGaN栅增强型晶体管及制备方法，该制备方法包括步骤：在衬底层上依次生长AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P‑AlGaN层、金属层和掩膜层；使用干法刻蚀方法去除栅极区域外的掩膜层和金属层，露出P‑AlGaN层的上表面；使用湿法刻蚀方法，以GaN帽层为自停止层，刻蚀掉栅极区域外的P‑AlGaN层，形成P‑AlGaN栅极结构；湿法去除掩膜层，并在金属层、P‑AlGaN层、P‑AlGaN层的表面沉积介质材料，形成钝化层；在器件有源区之外制备隔离区；在P‑AlGaN栅极结构上的金属层上制备栅极；在栅极的一侧制备源极，另一侧制备漏极，使得源极和漏极均与隔离区相邻且深入GaN沟道层中。该方法解决了传统干法刻蚀所造成的损伤导致的P‑GaN侧墙缺陷产生的问题。
基于选择性湿法腐蚀工艺 algan 增强晶体管制备方法

[发明专利]一种基于双层掺杂Al1-x-CN202211409812.2在审
发明人： 常晶晶;薛怡馨;林珍华;郭兴;苏杰;赵雪;魏葳;胡赵胜;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种基于双层掺杂Al1‑xScxN的铁电调控晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底层及位于衬底层上的沟道层，沟道层上分布源极区、栅介质层和漏极区，栅介质层为双层掺杂结构，每层均采用Al1‑xScxN铁电材料，其中x表示掺Sc浓度，双层掺杂结构的掺Sc浓度不同。本发明在显著提升器件性能的同时降低了晶体管的漏电流，并进一步提升了器件的电学性能、热稳定性、化学稳定性以及抗辐射性能中的部分或全部，同时使得其制备方法能与现有CMOS工艺兼容，降低生产成本，在提升性能的同时兼顾环境友好性。
一种基于双层掺杂 al base sub

[实用新型]一种便于组装的采样仪器用支架-CN202222468035.0有效
发明人：刘卓通;郭朋朋;王书超;陈毅;常晶晶 -专利权人：河南耀增检测技术有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F16M11/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于组装的采样仪器用支架，属于设备支架技术领域，包括安装板，安装板上端开设有矩形槽，矩形槽内转动连接有螺纹杆，螺纹杆两侧外螺纹呈相对方向设置，螺纹杆底端设有驱动机构，螺纹杆下侧通过螺纹机构连接有滑动套，滑动套通过连动机构连接有多个支撑杆，多个支撑杆底端均设有底座，矩形槽上端滑动连接有相适配的活动杆，活动杆底端开设有与螺纹杆相适配的螺纹槽，螺纹杆上端位于螺纹槽内，并与螺纹槽侧壁螺纹连接，活动杆上端延伸至外部，并通过卡接机构连接有承载板；本实用新型通过驱动杆端部的卡接板，配合承载板内的卡接槽，可便捷对支架进行安装和拆卸，有效的提高了采样仪器使用的效率。
一种便于组装采样仪器支架

[发明专利]具有MXenes插入层的Ga2-CN202211163076.7在审
发明人：苏杰;张孜鑫;常晶晶;林珍华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有MXenes插入层的Ga2O3基紫外探测器及制备工艺，本发明在Ga2O3/SiC异质结之间插入了具有高迁移率的少层MXenes材料，使用的MXenes材料构型非镜面对称，其能带结构有一定坡度，从而增加了载流子的漂移速率，提升了Ga2O3基紫外探测器的响应度和响应速率。本发明的制备工艺中将MXenes材料转移到Ga2O3基紫外探测器的衬底上，形成的Ga2O3基紫外探测器的衬底上存在着空隙的、小面积的、非连续的MXenes材料，方便控制形核结晶，提高Ga2O3薄膜结晶度，处于Ga2O3晶界处的MXenes材料可以作为载流子传输的桥梁，促进载流子的运输。
具有 mxenes 插入 ga base sub

[发明专利]纸张典型光谱提取方法、装置及相关设备-CN202211275829.3在审
发明人：曲亮;李广华;张立福;孙雪剑;高宇;岑奕;陈垚;常晶晶 -专利权人：故宫博物院;中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纸张典型光谱提取方法、装置及相关设备，通过获取纸张的第一光谱遥感影像；对第一光谱遥感影像进行过滤，得到纸张的第二光谱遥感影像；将第二光谱遥感影像中各个像元光谱进行聚类分析得到多个类簇；根据每个类簇中的像元光谱数量筛选出正常类簇，将正常类簇中所有像元光谱的均值作为纸张的典型光谱数据，通过过滤操作去除干扰数据，有效提高高光谱遥感技术在纸张参量分析、评估结果的准确性以及可靠性；通过聚类算法获取表征纸张材质整体特征的典型光谱，节约提取成本，并且不易受人为主观因素干扰，有利于纸张光谱技术的普及应用。
纸张典型光谱提取方法装置相关设备

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