专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有金属栅电极的半导体器件的制造方法-CN201110375613.X有效
  • 崔锡宪;尹普彦;白在职;赵炳权 - 三星电子株式会社
  • 2011-11-23 - 2012-07-04 - H01L21/8238
  • 本发明提供了一种具有金属栅电极的半导体器件的制造方法。所述方法包括制备具有第一区域和第二区域的半导体衬底的工序,以及在半导体衬底上形成绝缘层的工序。绝缘层形成为包含具有分别配置在第一和第二区域内的第一槽和第二槽的层间绝缘层、和至少覆盖第一和第二槽的底面的栅绝缘层。在具有绝缘层的衬底的整个表面上形成层叠金属层,在层叠金属层上形成具有非感光性的平坦化层。平坦化层形成为填充第一和第二槽。使用干法刻蚀工艺来选择性地去除第一区域内的平坦化层,以暴露第一区域内的层叠金属层并形成覆盖第二区域内的层叠金属层的平坦化层图案。
  • 具有金属电极半导体器件制造方法
  • [发明专利]磁存储器件-CN201010282801.3有效
  • 吴世忠;李将银;李济珩;金佑填;林佑昶;郑峻昊;崔锡宪 - 三星电子株式会社
  • 2010-09-13 - 2011-04-20 - H01L43/08
  • 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层,其中,非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上,其中,第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上,其中,隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间,并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上,其中,第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
  • 磁存储器
  • [发明专利]包括沟道层的半导体器件的制造方法-CN200710169154.3无效
  • 林钟欣;洪昌基;尹普彦;尹煋圭;崔锡宪;韩相晔 - 三星电子株式会社
  • 2007-12-27 - 2008-09-03 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种包含沟道层的半导体器件的制造方法,其包括在半导体衬底上形成单晶半导体层。该单晶半导体层具有从其表面延伸的突起。对单晶半导体层执行第一抛光工艺以除去部分突起,使得单晶半导体层包括突起的保留部分。执行不同于第一抛光工艺的第二抛光工艺以除去突起的保留部分并定义具有基本均匀厚度的大致平坦的单晶半导体层。在单晶半导体层上形成牺牲层并用作第一抛光工艺的抛光停止以定义牺牲层图案,该牺牲层图案可以在第二抛光工艺之前移除。也论述了堆叠半导体存储器件的相关制造方法。根据本发明,形成具有改善表面粗糙特性和大致均匀厚度的硅沟道层,因而,形成在硅沟道层上的晶体管可以具有改善的特性。
  • 包括沟道半导体器件制造方法

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