专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]三维半导体存储器装置和包括其的电子系统-CN202310002776.6在审
  • 崔茂林;成政泰;张允瑄 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-03 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统,所述三维半导体存储器装置包括基底、设置在基底上的外围电路结构和设置在外围电路结构上的单元阵列结构。单元阵列结构包括:堆叠件,包括交替的层间绝缘层和导电图案,导电图案包括栅电极和作为导电图案的最上面的图案的第一源极导电图案;第二源极导电图案,设置在堆叠件上并与第一源极导电图案的顶表面接触,第二源极导电图案包括与第一源极导电图案的材料不同的材料;以及垂直沟道结构,设置为穿透堆叠件并插入到第二源极导电图案的下部中。垂直沟道结构包括连接到第二源极导电图案的垂直半导体图案。
  • 三维半导体存储器装置包括电子系统
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的电子系统-CN202310324949.6在审
  • 成政泰;张允瑄;崔茂林 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-29 - 2023-10-17 - H10B41/41
  • 本公开涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件包括:第一半导体结构,包括下接合结构;以及第二半导体结构,包括设置在第一半导体结构上的第二基板、在垂直于第二基板的下表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、接合到下接合结构的上接合结构、设置在第二基板的上表面上并电连接到沟道层且包括金属材料的板导电层、以及穿透全部栅电极并在垂直于第一方向的第二方向上延伸的隔离结构。隔离结构包括垂直导电层,该垂直导电层从板导电层延伸并与板导电层集成,并且包括与板导电层的金属材料相同的金属材料。
  • 半导体器件包括电子系统
  • [发明专利]操作非易失性存储器装置的方法-CN201711156987.6有效
  • 崔昌玟;金东赞;李爱晶;崔茂林 - 三星电子株式会社
  • 2017-11-20 - 2023-10-13 - G06F12/02
  • 提供了操作非易失性存储器装置的方法。在操作非易失性存储器装置的方法中,响应于擦除命令和地址,在包括第一子块和相邻于第一子块的第二子块的第一存储器块中选择待擦除的第一子块。第一子块包括与多条字线连接的存储器单元,所述多条字线包括相邻于第二子块的至少一条边界字线和除了所述至少一条边界字线之外的内部字线。将擦除电压施加到形成有第一存储器块的基底。基于施加到基底的擦除电压的电压电平,在正在对第一子块执行的擦除操作期间,将第一擦除偏置条件施加到所述至少一条边界字线并将不同于第一擦除偏置条件的第二擦除偏置条件施加到内部字线。
  • 操作非易失性存储器装置方法
  • [发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202310138415.4在审
  • 张允瑄;崔茂林 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-14 - 2023-08-29 - H10B41/35
  • 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括包含基底、电路元件和第一接合金属层的第一基底结构以及直接设置在第一基底结构上的第二基底结构。第二基底结构包括包含导电材料的板层、堆叠在板层下方的栅电极、穿过栅电极且均包含沟道层的沟道结构、穿过栅电极且在第一方向和第二方向上延伸的分离区域以及位于板层中且设置在分离区域上的源极接触件。源极接触件在第二方向上延伸。第二基底结构的第二接合金属层连接到第一接合金属层。板层与源极接触件的横向侧表面和每个沟道结构的沟道层的上端直接接触,并且电连接到源极接触件和沟道层。
  • 半导体装置包括数据存储系统
  • [发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202211357542.5在审
  • 崔茂林;崔峻荣 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-01 - 2023-05-09 - H10B43/30
  • 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括:第一衬底;电路装置,其设置在第一衬底上;下互连结构,其电连接到电路装置;下接合结构,其连接到下互连结构;上接合结构,其接合到下接合结构;上互连结构,其连接到上接合结构;第二衬底,其设置在上互连结构上;导电板,其设置在第二衬底下方;栅电极,其设置在上互连结构与导电板之间,并且在竖直方向上堆叠;沟道结构,其穿透栅电极;多个导电图案,其分别设置在穿透第二衬底的多个开口中;以及外围接触插塞,其在从导电板起的外部区域中在竖直方向上延伸,并且连接到多个导电图案中的一个。
  • 半导体装置包括数据存储系统
  • [发明专利]半导体装置-CN202211222032.7在审
  • 崔茂林;成政泰;张允瑄 - 三星电子株式会社
  • 2022-10-08 - 2023-05-09 - H10B43/27
  • 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括包含单元区域和外围电路区域的第一基底和第二基底、第一栅电极结构和第二栅电极结构、第一沟道和第二沟道以及第一晶体管至第三晶体管。第一栅电极结构和第二栅电极结构在竖直方向上包括第一栅电极和第二栅电极。第一沟道和第二沟道延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构。第一晶体管在外围电路区域上。第二栅电极结构在第一栅电极结构和第一晶体管上。第二晶体管和第三晶体管在第二栅电极结构上。第二基底在第二晶体管和第三晶体管上。第一沟道和第二沟道彼此不直接接触,彼此电连接,并且从第二晶体管接收电信号。第一晶体管和第三晶体管将电信号施加到第一栅电极和第二栅电极结构。
  • 半导体装置
  • [实用新型]一种墙身护角墙裙组合组件-CN202223421521.3有效
  • 魏源;时景彬;贾赓;吴婧;房林福;崔茂林;刘大方 - 中建八局第四建设有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-05-02 - E04F19/02
  • 本实用新型公开了一种墙身护角墙裙组合组件,涉及墙裙技术领域,一种墙身护角墙裙组合组件,包括安装角本体,所述安装角本体的外壁固定连接有垫板,所述安装角本体上开设有安装孔,所述安装角本体的外壁固定连接有缓冲胶垫,所述缓冲胶垫上粘合连接有纳米胶,所述安装角本体的一侧开设有连接槽,所述连接槽上卡接有卡块,所述卡块的外壁固定连接有连接片,所述连接片上开设有圆孔,所述连接片的内壁卡接有墙体组件。本实用达到了使装置可以防止施工过程中对墙面、墙身阳角成品的污染和破坏的效果,通过纳米胶的使用可以使装置无痕与墙面相互连接且可以保护不毁坏墙体,达到了使装置具备防潮的效果,且可以使装置具备安装便捷,可频繁拆装。
  • 一种墙身护角墙裙组合组件
  • [发明专利]非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储系统-CN202210996420.4在审
  • 崔茂林;张允瑄 - 三星电子株式会社
  • 2022-08-18 - 2023-04-21 - H10B41/41
  • 提供了一种非易失性存储器件,包括:第一结构,该第一结构包括第一衬底、外围电路、第一绝缘结构、多个第一接合焊盘、以及第一互连结构;第二结构,该第二结构包括导电蚀刻停止层、公共源极线层、包括交替堆叠的栅极层和层间绝缘层的堆叠结构、穿透堆叠结构的单元区域的多个沟道结构、第二绝缘结构、多个第二接合焊盘、以及第二互连结构,并且该第二结构接合到第一结构;以及连接层,该连接层包括第三绝缘结构、输入/输出通孔、以及输入/输出焊盘,其中,第二绝缘结构和第三绝缘结构之间的界面设置在导电蚀刻停止层的顶表面和底表面之间的竖直高度处。
  • 非易失性存储器包括存储系统
  • [发明专利]制造三维半导体存储器装置的方法-CN202211113052.0在审
  • 金志泳;崔茂林;崔峻荣;成政泰;尹尚希;全祐用 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-14 - 2023-03-17 - H10B43/35
  • 一种制造三维半导体存储器装置的方法包括在第一基板的第一表面上形成外围电路结构,在第二基板的第一表面上形成单元阵列结构,以及将单元阵列结构附接到外围电路结构,使得第一基板的第一表面和第二基板的第一表面彼此面对。单元阵列结构可以通过在第二基板上形成背侧通路和初步接触焊盘并形成半导体层来形成。孔可以形成为穿透半导体层并暴露初步接触焊盘,并且可以通过去除初步接触焊盘的上部而形成,从而形成与半导体层分离的接触焊盘。该方法可以进一步包括在半导体层上形成堆叠、在堆叠上形成绝缘层、以及形成穿透绝缘层并连接到接触焊盘的接触插塞。
  • 制造三维半导体存储器装置方法

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