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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维半导体存储器装置和包括其的电子系统-CN202310002776.6在审
发明人：崔茂林;成政泰;张允瑄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统，所述三维半导体存储器装置包括基底、设置在基底上的外围电路结构和设置在外围电路结构上的单元阵列结构。单元阵列结构包括：堆叠件，包括交替的层间绝缘层和导电图案，导电图案包括栅电极和作为导电图案的最上面的图案的第一源极导电图案；第二源极导电图案，设置在堆叠件上并与第一源极导电图案的顶表面接触，第二源极导电图案包括与第一源极导电图案的材料不同的材料；以及垂直沟道结构，设置为穿透堆叠件并插入到第二源极导电图案的下部中。垂直沟道结构包括连接到第二源极导电图案的垂直半导体图案。
三维半导体存储器装置包括电子系统

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的电子系统-CN202310324949.6在审
发明人：成政泰;张允瑄;崔茂林 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件包括：第一半导体结构，包括下接合结构；以及第二半导体结构，包括设置在第一半导体结构上的第二基板、在垂直于第二基板的下表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、接合到下接合结构的上接合结构、设置在第二基板的上表面上并电连接到沟道层且包括金属材料的板导电层、以及穿透全部栅电极并在垂直于第一方向的第二方向上延伸的隔离结构。隔离结构包括垂直导电层，该垂直导电层从板导电层延伸并与板导电层集成，并且包括与板导电层的金属材料相同的金属材料。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202310138415.4在审
发明人： 张允瑄;崔茂林 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括包含基底、电路元件和第一接合金属层的第一基底结构以及直接设置在第一基底结构上的第二基底结构。第二基底结构包括包含导电材料的板层、堆叠在板层下方的栅电极、穿过栅电极且均包含沟道层的沟道结构、穿过栅电极且在第一方向和第二方向上延伸的分离区域以及位于板层中且设置在分离区域上的源极接触件。源极接触件在第二方向上延伸。第二基底结构的第二接合金属层连接到第一接合金属层。板层与源极接触件的横向侧表面和每个沟道结构的沟道层的上端直接接触，并且电连接到源极接触件和沟道层。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]半导体存储器件和包括所述半导体器件的电子系统-CN202211496656.8在审
发明人： 张允瑄;崔茂林;成政泰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：半导体存储器件具有外围逻辑结构，该外围逻辑结构包括外围逻辑衬底和外围逻辑衬底上的外围逻辑绝缘膜。单元阵列结构包括顺序堆叠在外围逻辑结构上的单元衬底和源极结构。旁路过孔将单元衬底和外围逻辑衬底电连接。旁路过孔在单元衬底上具有在第一方向和第二方向中的至少一个方向上延伸的线形。第一方向和第二方向平行于单元衬底的上表面。
半导体存储器件包括半导体器件电子系统

[发明专利]半导体装置-CN202211222032.7在审
发明人：崔茂林;成政泰;张允瑄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括包含单元区域和外围电路区域的第一基底和第二基底、第一栅电极结构和第二栅电极结构、第一沟道和第二沟道以及第一晶体管至第三晶体管。第一栅电极结构和第二栅电极结构在竖直方向上包括第一栅电极和第二栅电极。第一沟道和第二沟道延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构。第一晶体管在外围电路区域上。第二栅电极结构在第一栅电极结构和第一晶体管上。第二晶体管和第三晶体管在第二栅电极结构上。第二基底在第二晶体管和第三晶体管上。第一沟道和第二沟道彼此不直接接触，彼此电连接，并且从第二晶体管接收电信号。第一晶体管和第三晶体管将电信号施加到第一栅电极和第二栅电极结构。
半导体装置

[发明专利]非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储系统-CN202210996420.4在审
发明人：崔茂林;张允瑄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件，包括：第一结构，该第一结构包括第一衬底、外围电路、第一绝缘结构、多个第一接合焊盘、以及第一互连结构；第二结构，该第二结构包括导电蚀刻停止层、公共源极线层、包括交替堆叠的栅极层和层间绝缘层的堆叠结构、穿透堆叠结构的单元区域的多个沟道结构、第二绝缘结构、多个第二接合焊盘、以及第二互连结构，并且该第二结构接合到第一结构；以及连接层，该连接层包括第三绝缘结构、输入/输出通孔、以及输入/输出焊盘，其中，第二绝缘结构和第三绝缘结构之间的界面设置在导电蚀刻停止层的顶表面和底表面之间的竖直高度处。
非易失性存储器包括存储系统

[发明专利]评估晶片或单晶锭的质量的方法及使用其控制单晶锭的质量的方法-CN201280033605.X有效
发明人： 张允瑄;洪宁皓;郑要韩;金世勋 -专利权人： LG矽得荣株式会社
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于评估晶片或单晶锭的质量的方法和一种通过使用上述方法来控制单晶锭的质量的方法。根据实施方式的用于评估晶片或单晶锭的质量的方法可以包括：对单晶锭的切片或晶片进行Cu（铜）雾度评估和相对于Cu雾度评估的结果进行Cu雾度评分。
评估晶片单晶锭质量方法使用控制

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