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[发明专利]一种键合丝拉丝穿模装置-CN202110671851.9有效
发明人：周志强;崔成强 -专利权人：广东禾木科技有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B21C1/02 文献下载
摘要：本发明适用于键合丝技术领域，提供了一种键合丝拉丝穿模装置，包括箱体和模具外壳，还包括：磁致伸缩夹具，设于箱体内，用于对键合丝的线径进行首次调节；第一夹具，设于箱体内，用于对键合丝的线径进行二次调节以及进行穿模；第二夹具，设于箱体内，用于配合第一夹具对键合丝的线径进行二次调节。本发明使得在键合丝拉丝工序穿模过程的繁琐性大大降低，节省了穿模时间，提高了工作效率，生产效率得到提高。
一种键合丝拉丝装置

[发明专利]用于纳米金属膏定厚涂覆的涂覆设备及涂覆方法-CN202110360601.3有效
发明人：杨冠南;李权震;崔成强;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： B05C11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米金属膏定厚涂覆的柔性刷板、涂覆设备及涂覆方法。提供一种用于纳米金属膏定厚涂覆的柔性刷板，包括刚性部和柔性部；还提供一种用于纳米金属膏定厚涂覆的涂覆设备，包括点胶装置、柔性刷板、厚度检测装置、控制系统，控制系统分别与柔性刷板、厚度检测装置和点胶装置分别独立控制连接；还提供一种纳米金属膏可控定厚涂覆方法，基于上述的定厚涂覆设备，包括以下步骤：S1、滴加纳米金属膏体，S2、柔性刷板涂扫，S3、涂覆层厚度检测、S4、涂覆调整。本发明可通过改变柔性刷板到待涂覆区域表面的法向压力、角度以及接触面积来控制涂覆厚度，能够均匀地涂覆纳米金属膏，并且涂覆厚度可控，能够得到理想要求的涂覆厚度。
用于纳米金属膏定厚涂覆设备方法

[发明专利]一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法-CN202110584785.1有效
发明人：杨冠南;刘宇;黄钰森;崔成强;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法，属于芯片封装技术领域。包括玻璃基板、再布线层、芯片和导电金属和若干环氧塑封层，玻璃基板置于底层，再布线层置于玻璃基板与环氧塑封层之间以及各层环氧塑封层之间，芯片焊接于再布线层上，若干导电金属堆叠置于再布线层上，环氧塑封层内芯片和导电金属之间填充有环氧塑封料。本发明能够解决引脚数目制约芯片封装的问题，导电金属封装的设计，使线路板制作效率大大提升，并且可以实现多层不同尺寸不同高度及不同性能芯片集成封装，具有良好的应用前景。
一种使用玻璃系统级扇出型封装结构及其加工方法

[发明专利]一种纳米金属辅助定向电镀及电解的线路成型与修复方法-CN202110276041.3有效
发明人：杨冠南;吴润熹;崔成强;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H05K3/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米金属辅助定向电镀及电解的线路成型与修复方法，包括：确定待修复的金属线路板上的待修复区域/确定待成型的金属线路板上的待成型区域，对金属线路板接电，其中修复时接负电，成型时接正电；将接电后的金属线路板浸没在金属盐溶液中，利用金属探针移动到待修复/成型区域上方，修复时给金属探针通正电，成型时给金属探针通负电，利用电势差使金属盐还原成金属微粒进行修复，或电解腐蚀金属线路板以进行成型。本发明通过细探针的使用，使电场局域化，从而实现区域化高精度电镀、电解；本方法有助于提高工业中精细线路板的成型效率和精细线路板的利用率。
一种纳米金属辅助定向电镀电解线路成型修复方法

[发明专利]一种微型LED封装结构及其制备方法-CN202210099601.7在审
发明人：杨斌;崔成强;华显刚 -专利权人：广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种微型LED封装结构及其制备方法，属于集成电路封装技术领域。其中，微型LED封装结构的制备方法包括：提供可离型铜箔FR‑4板，所述可离型铜箔FR‑4板的一侧具有可剥离型铜箔层；在所述可剥离型铜箔层上制作线路结构及固定与该线路结构电连接的LED芯片。本发明采用可离型铜箔FR‑4板制作微型LED封装结构，可以直接在可离型铜箔FR‑4板的可剥离型铜箔层上制作线路结构，与现有技术相比，简化了步骤，提高了产品生产效率及产品良率，有效降低了生产成本。
一种微型 led 封装结构及其制备方法

[发明专利]一种LED衬底结构及其制备方法、微型LED封装结构-CN202210100381.5在审
发明人：杨斌;崔成强;华显刚 -专利权人：广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种LED衬底结构及其制备方法、包含该LED衬底结构的微型LED封装结构，属于集成电路封装技术领域。其中，LED衬底结构的制备方法包括以下步骤：S10、提供覆铜板，并固定于载板上，使覆铜板的基板外露；S20、在基板上制备图形化的第一线路层，并使第一线路层与覆铜板的铜箔层电连接；S30、拆键合，并在外露的铜箔层上制作第二线路层。本发明采用覆铜板制作LED衬底结构，可以直接在覆铜板上制作线路结构，不需要在线路结构下方额外制作种子层以提高线路结构的导电性，简化了步骤，提高了正产效率和产品良率，降低了生产成本。
一种 led 衬底结构及其制备方法微型封装

[发明专利]一种LED衬底结构及其制备方法、微型LED封装结构-CN202210100394.2在审
发明人：杨斌;崔成强;华显刚 -专利权人：广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种LED衬底结构及其制备方法、包含该LED衬底结构的微型LED封装结构，属于集成电路封装技术领域。其中，LED衬底结构的制备方法包括以下步骤：S10、提供可离型铜箔FR‑4板，可离型铜箔FR‑4板的一侧具有可剥离型铜箔层，在可剥离型铜箔层上制作塑封层；S20、对塑封层进行开孔处理，并在开孔处制作导电柱以及在塑封层表面制作与导电柱电连接的图形化的第一线路层；S30、拆键合后在可剥离型铜箔层远离导电柱的一侧制作第二线路层。本发明采用可离型铜箔FR‑4板制作LED衬底结构，可以直接在可离型铜箔FR‑4板上制作线路结构，不需要在线路结构下方制作种子层以提高线路结构的导电性，简化了步骤，提高了正产效率和产品良率，降低了生产成本。
一种 led 衬底结构及其制备方法微型封装

[发明专利]一种LED衬底结构及其制备方法、微型LED封装结构-CN202210100396.1在审
发明人：杨斌;崔成强;华显刚 -专利权人：广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种LED衬底结构及其制备方法、微型LED封装结构，属于集成电路封装技术领域。其中，LED衬底结构的制备方法包括以下步骤：S10、提供可离型铜箔FR‑4板，可离型铜箔FR‑4板的一侧具有可剥离型铜箔层，在可剥离型铜箔层上制作导电柱；S20、制作与导电柱电连接的第一线路层；S30、拆键合后在可剥离型铜箔层远离导电柱的一侧制作第二线路层。本发明采用可离型铜箔FR‑4板制作LED衬底结构，可以直接在可离型铜箔FR‑4板上制作线路结构，不需要在线路结构下方制作种子层以提高线路结构的导电性，简化了步骤，提高了正产效率和产品良率，降低了生产成本。
一种 led 衬底结构及其制备方法微型封装

[实用新型]一种芯片互连结构-CN202122524864.1有效
发明人：杨斌;赵迎宾;崔成强 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型属于芯片互连技术领域，特别涉及一种芯片互连结构。该芯片互连结构包括至少一个芯片模组组合，每个芯片模组组合包括两个相对设置的芯片模组，每个芯片模组各自向其几何中心电性引出，每个芯片模组组合的芯片模组通过导电线路电性连接，每个芯片模组组合的导电线路相互电性连接，每个芯片模组组合之间填充有介电层。本芯片互连结构的导电线路，通过逐层生长介电层，可根据相对设置的芯片模组的距离，其长度灵活调整，有利于降低封装结构的整体体积，具有更好的适应性。该互连结构工艺更简单，孔的深度并不受单层芯片的厚度的限制固定不变，而是由介电层的单次生长高度决定，导电线路更完整地沉积在孔内，不容易出现工艺缺陷。
一种芯片互连结构

[实用新型]一种多芯片封装结构-CN202122597111.3有效
发明人：杨斌;赵迎宾;崔成强 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型属于芯片封装技术领域，特别涉及一种多芯片封装结构，该封装结构包括具有线路层的柔性电路板，柔性电路板包括多个连接区和多个贴片区，至少一个贴片区设置有空缺区，贴片区在除空缺区之外的区域设置有芯片，空缺区设置有散热片和无源器件的至少一种，芯片和无源器件分别与线路层电性连接，多个贴片区的边缘相贴合形成封装结构。本申请多芯片立体化封装结构封装后的立体式结构体积小，互连线长度显著缩短，减少对信号传输的影响，提升芯片的性能；贴片区还设置有空缺区，空缺区贴装有散热片或无源器件，提升了封装结构的空间利用率。
一种芯片封装结构

[发明专利]一种基于纳米金属的深孔互连结构制备方法-CN202011641344.2有效
发明人：孙斐;杨冠南;刘宇;崔成强;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种基于纳米金属的深孔互连结构制备方法，先在待形成深孔互连结构的玻璃板上形成深孔；再通过点胶装置将纳米金属膏对深孔进行填充；填充完毕后，刮除玻璃板表面溢出的残余纳米金属颗粒；之后再对填充的纳米金属进行变深度烧结成型；最后对玻璃板进行湿法清洗，去除残留纳米金属颗粒，玻璃板上的深孔互连结构制备完成。本发明是在深孔中采用纳米金属填充，然后烧结形成深孔互连的导体结构，无需采用电镀铜的方式，避免造成对环境的污染。
一种基于纳米金属互连结构制备方法

[发明专利]一种激光烧结成型方法-CN202110486352.2有效
发明人：杨冠南;张海德;崔成强;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明涉及激光加工线路板技术领域，更具体地，涉及一种激光烧结成型方法，包括以下步骤：a、在玻璃载板单侧表面上要烧结的位置涂抹含有纳米金属颗粒的膏体；b、对玻璃载板和膏体结合体的两侧同一位置分别进行激光照射；c、完成玻璃载板的单面烧结；d、重复步骤a至c完成玻璃载板另一侧表面的烧结；e、用激光穿透上下表面烧结的金属和玻璃载板；f、在被穿透区域填充含有纳米金属颗粒的膏体；g、对膏体进行激光照射，使膏体中的纳米金属颗粒与上下表面金属结合，将上下表面线路连通。本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种激光烧结成型方法，可提升玻璃与金属的连接可靠性，使玻璃与金属的连接效果更优，不易脱落，连接更稳固。
一种激光烧结成型方法

[发明专利]一种波导层和交叉波导-CN202210032807.8有效
发明人：郭嘉梁;赵迎宾;崔成强;张跃芳 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本申请属于光波导技术领域，公开了一种波导层和交叉波导；该波导层包括垂直相交的两支波导，两支波导的形状和尺寸相同且中心点重合；波导为双轴对称结构，其对称轴包括沿长度方向经过中心点的第一对称轴和沿宽度方向经过中心点的第二对称轴，第一对称轴与第二对称轴垂直；波导包括变宽部和两个分别设置在变宽部两端的等宽部，等宽部的任何横截面上的宽度均相同，变宽部的侧边沿点到所述第二对称轴的距离与该侧边沿点到第一对称轴的距离之间存在特定关系；该交叉波导包括该波导层；从而该波导层和交叉波导可在1310nm光通信波段有效降低传输损失和串扰。
一种波导交叉

[发明专利]一种基于键合丝的精细线路修复方法-CN202011216935.5有效
发明人：罗绍根;杨斌;崔成强 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明公开一种基于键合丝的精细线路修复方法，包括以下步骤：S10、提供线路已断开的待修复线路板，采用激光在待修复线路板的待连接的两个线路端部分别烧蚀出凹槽；S20、在凹槽中放置纳米铜膏，并将键合丝两端放置在凹槽内的纳米铜膏上；或者，先将键合丝两端分别放置在两个凹槽中，然后再将纳米铜膏涂于键合丝上方；S30、使纳米铜膏烧结，使键合丝固定于凹槽内，实现已断开的线路修复。本发明通过在线路端部烧蚀凹槽，并将键合丝和纳米铜膏限定于凹槽内，纳米铜作为键合丝与线路的互连材料，烧结温度与基于锡基焊接材料熔点温度相差不大，但烧结的电阻率更低，有力保证修复线路的可靠性，同时简化了精细线路修复步骤。
一种基于键合丝精细线路修复方法

[发明专利]TMV结构的制备方法、大板扇出型异构集成封装结构及其制备方法-CN201911050901.0有效
发明人： 崔成强;李潮;杨斌 -专利权人：广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种TMV结构的制备方法，包括以下步骤：提供芯片塑封板，在芯片塑封板的非芯片区域沿芯片塑封板的厚度方向开设盲孔；在盲孔内填充金属填充柱；对芯片塑封板远离盲孔开口的一侧面进行研磨抛光处理，使金属填充柱远离该侧面的一端与芯片塑封板的表面平齐，形成TMV结构。本发明可制得高质量、高可靠性的TMV结构，与传统的TMV结构采用通孔沉积制备方法相比，盲孔填充成本低，可改善TMV结构通孔填充缝隙问题，降低虚填概率，提高封装质量与可靠性，降低生产成本；本发明还公开了大板扇出型异构集成封装结构的制备方法，采用该方法可制得低成本、小型化、高集成度的大板扇出型异构集成封装结构，可提高垂直互连结构的可靠性。
tmv 结构制备方法大板扇出型异构集成封装及其